第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展態(tài)勢分析

目?錄

第1章?緒論 / 1
1．1　研究背景 / 1
1．2　研究內(nèi)容和方法 / 2
1．2．1?研究內(nèi)容 / 2
1．2．2?研究方法 / 2
1．3　數(shù)據(jù)來源 / 3
1．4　術(shù)語解釋 / 4
1．5　其他說明 / 6
第2章?第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 7
2．1?美國第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 10
2．1．1　寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)計(jì)劃 / 13
2．1．2　下一代電力電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心和
電力美國制造業(yè)創(chuàng)新中心 / 14
2．1．3　電子復(fù)興計(jì)劃 / 18
2．1．4　CIRCUITS計(jì)劃 / 22
2．2　歐洲第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 24
2．2．1　LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目 / 27
2．2．2　微電子聯(lián)合研究和創(chuàng)新項(xiàng)目 / 28
2．3　日本第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 30
2．3．1　下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟 / 31
2．3．2　NEDO啟動(dòng)功率電子領(lǐng)域新研究 / 32
2．3．3　有助于實(shí)現(xiàn)節(jié)能社會(huì)的新一代半導(dǎo)體研究
開發(fā)項(xiàng)目 / 32
2．4　韓國第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 33
2．5　中國第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 34
2．5．1　“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”
重大專項(xiàng) / 36
2．5．2　“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”
重大專項(xiàng) / 36
2．5．3　“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng) / 37
第3章?碳化硅半導(dǎo)體材料 / 41
3．1?碳化硅半導(dǎo)體材料研究背景 / 41
3．2?碳化硅半導(dǎo)體材料專利分析 / 42
3．2．1　專利申請時(shí)間分析 / 42
3．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 44
3．2．3?專利申請國家/地區(qū)分析 / 46
3．2．4　專利申請人分析 / 51
3．2．5　在華專利分析 / 55
3．3　碳化硅半導(dǎo)體材料專利主題分析 / 61
3．3．1　碳化硅半導(dǎo)體材料專利研究主題分析 / 61
3．3．2　碳化硅半導(dǎo)體材料專利主要研究主題分析 / 69
3．4　碳化硅半導(dǎo)體材料專利被引科學(xué)文獻(xiàn)分析 / 82
3．4．1　被引科學(xué)文獻(xiàn)的文獻(xiàn)類型分析 / 83
3．4．2　被引科學(xué)文獻(xiàn)的時(shí)間趨勢分析 / 83
3．4．3　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源機(jī)構(gòu)分析 / 84
3．4．4　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源出版物分析 / 86
3．4．5　被引科學(xué)文獻(xiàn)的高被引科學(xué)論文分析 / 87
3．4．6　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源研究領(lǐng)域分析 / 103
3．4．7　被引科學(xué)文獻(xiàn)的研究主題分析 / 104
3．5　碳化硅半導(dǎo)體材料小結(jié) / 106
第4章?氮化鎵半導(dǎo)體材料 / 41
4．1?氮化鎵半導(dǎo)體材料研究背景 / 109
4．2　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利分析 / 110
4．2．1　專利申請時(shí)間分析 / 110
4．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 113
4．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 117
4．2．4　專利申請人分析 / 119
4．2．5　在華專利分析 / 127
4．3　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利主題分析 / 130
4．3．1　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利技術(shù)演進(jìn)分析 / 130
4．3．2　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利研究主題分析 / 135
4．3．3　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利主要研究主題分析 / 149
4．4　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利被引科學(xué)文獻(xiàn)分析 / 175
4．4．1　被引科學(xué)文獻(xiàn)的文獻(xiàn)類型分析 / 175
4．4．2　被引科學(xué)文獻(xiàn)的時(shí)間趨勢分析 / 176
4．4．3　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源機(jī)構(gòu)分析 / 176
4．4．4　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源出版物分析 / 178
4．4．5　被引科學(xué)文獻(xiàn)的高被引科學(xué)論文分析 / 179
4．4．6　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源研究領(lǐng)域分析 / 191
4．4．7　被引科學(xué)文獻(xiàn)的研究主題分析 / 192
4．5　氮化鎵半導(dǎo)體材料小結(jié) / 193
第5章?氮化鋁半導(dǎo)體材料 / 197
5．1　氮化鋁半導(dǎo)體材料研究背景 / 197
5．2　氮化鋁半導(dǎo)體材料專利分析 / 198
5．2．1　專利申請時(shí)間分析 / 198
5．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 199
5．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 206
5．2．4　專利申請人分析 / 208
5．2．5　在華專利分析 / 215
5．3　氮化鋁半導(dǎo)體材料小結(jié) / 222
第6章?氧化鋅半導(dǎo)體材料 / 225
6．1?氧化鋅半導(dǎo)體材料研究背景 / 225
6．2?氧化鋅半導(dǎo)體材料專利分析 / 226
6．2．1　專利申請時(shí)間分析 / 226
6．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 227
6．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 231
6．2．4　專利申請人分析 / 233
6．2．5　在華專利分析 / 240
6．3　氧化鋅半導(dǎo)體材料小結(jié) / 243
第7章?金剛石半導(dǎo)體材料 / 245
7．1　金剛石半導(dǎo)體材料研究背景 / 245
7．2　金剛石半導(dǎo)體材料專利分析 / 246
7．2．1　專利申請時(shí)間分析 / 246
7．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 247
7．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 252
7．2．4　專利申請人分析 / 252
7．2．5　在華專利分析 / 260
7．3　金剛石半導(dǎo)體材料小結(jié) / 263
第8章?結(jié)論及建議 / 265
8．1　發(fā)展態(tài)勢總結(jié) / 265
8．1．1　專利申請時(shí)間趨勢和技術(shù)成熟度 / 265
8．1．2　專利技術(shù)構(gòu)成和重點(diǎn)研究領(lǐng)域 / 265
8．1．3　專利申請國家/地區(qū) / 266
8．1．4　專利主要申請人 / 266
8．1．5　在華專利 / 267
8．1．6　被引科學(xué)文獻(xiàn) / 267
8．2　存在問題 / 267
8．2．1　研究機(jī)構(gòu)數(shù)量多但規(guī)模不大 / 268
8．2．2　研究機(jī)構(gòu)缺乏合作 / 268
8．2．3　原始創(chuàng)新現(xiàn)狀慘淡 / 268
8．3　對策建議 / 269
8．3．1　集中優(yōu)勢資源扶持龍頭企業(yè)和研究機(jī)構(gòu) / 269
8．3．2　借力市場，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級 / 269
8．3．3　注重全產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)環(huán)境的建設(shè) / 270
8．3．4　明確產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，強(qiáng)化頂層設(shè)計(jì) / 270
參考文獻(xiàn) / 273