理科物理實(shí)驗(yàn)教程

1 測(cè)量誤差與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理
1.1 測(cè)量與測(cè)量誤差
1.1.1 測(cè)量
1.1.2 測(cè)量誤差
1.2 誤差的分類
1.2.1 系統(tǒng)誤差
1.2.2 隨機(jī)誤差
1.2.3 粗差
1.2.4 隨機(jī)誤差與系統(tǒng)誤差的關(guān)系
1.3 隨機(jī)誤差的統(tǒng)計(jì)處理
1.3.1 正態(tài)分布
1.3.2 t分布
1.4 直接測(cè)量結(jié)果的表示
1.5 間接測(cè)量結(jié)果的表示和不確定度的合成
1.6 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的有效位數(shù)
1.6.1 有效位數(shù)的概念
1.6.2 有效位數(shù)的確定規(guī)則
1.6.3 數(shù)據(jù)修約的進(jìn)舍規(guī)則
1.7 常用數(shù)據(jù)處理方法
1.7.1 列表法
1.7.2 作圖法
1.8 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的直線擬合
1.8.1 用最小二乘法進(jìn)行直線擬合
1.8.2 用EXCEL軟件進(jìn)行直線擬合
1.8.3 用ORIGIN進(jìn)行直線擬合
2 電磁學(xué)實(shí)驗(yàn)
2.1 磁場(chǎng)中載流導(dǎo)線的受力——安培力
2.2 用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)
2.3 標(biāo)定溫差電偶的刻度
2.4 用非平衡電橋組裝及標(biāo)定電阻溫度計(jì)
2.5 交流電橋
2.6 RC電路
2.7 沖擊電流計(jì)的研究
2.8 鐵磁材料磁滯回線的測(cè)定
2.9 鐵磁材料居里點(diǎn)的測(cè)定
2.10 逸出功的測(cè)定
2.11 電子束的偏轉(zhuǎn)與聚焦
2.12 電子荷質(zhì)比(e／m)的測(cè)定
2.13 金屬薄膜的制備及電阻率的測(cè)量
2.14 磁性薄膜磁電阻的測(cè)量
2.15 磁場(chǎng)分布、磁敏感元件特性研究
3 光學(xué)實(shí)驗(yàn)
3.1 幾何光學(xué)
3.2 測(cè)量固體和液體的折射率
3.3 超聲光柵
3.4 分波面干涉實(shí)驗(yàn)
3.5 激光散斑法測(cè)量橫向微小位移實(shí)驗(yàn)
3.6 壓電陶瓷振動(dòng)的干涉測(cè)量
3.7 多光束干涉儀(F—P干涉儀)
3.8 夫朗和費(fèi)衍射
3.9 菲涅耳衍射
3.10 偏振光的特性實(shí)驗(yàn)
3.11 旋光儀
3.12 光學(xué)圖像微分實(shí)驗(yàn)
3.13 全息照相(白光再現(xiàn))
4 近代物理實(shí)驗(yàn)
4.1 電子電荷e值的測(cè)定
4.2 汞原子激發(fā)電位的測(cè)定
4.3 用橫振動(dòng)法測(cè)量固體材料在高溫下的彈性模量
4.4 光電倍增管的光譜特性
4.5 核蛻變的統(tǒng)計(jì)規(guī)律和物質(zhì)對(duì)B射線的吸收
4.6 微波基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)
4.7 微波光學(xué)實(shí)驗(yàn)
4.8 用反射式諧振腔測(cè)量微波介質(zhì)材料的介電常數(shù)
4.9 氫與氘原子光譜
4.10 鈉原子光譜
4.11 塞曼效應(yīng)
4.12 鐵磁共振
4.13 核磁共振
5 現(xiàn)代物理實(shí)驗(yàn)
5.1 電子順磁共振
5.2 光泵磁共振
5.3 變溫霍爾效應(yīng)
5.4 干涉顯微鏡的使用
5.5 用干涉方法測(cè)量薄膜應(yīng)力
5.6 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)的使用
5.7 用阻抗分析儀測(cè)量介質(zhì)薄膜材料的電容率
5.8 原子力顯微鏡的使用
5.9 電子束蒸發(fā)鍍膜儀的使用
5.10 磁控濺射鍍膜儀的使用
5.11 硼元素的徑跡顯微分析技術(shù)
6 課題型實(shí)驗(yàn)
6.1 制備參數(shù)對(duì)銀薄膜電阻率和應(yīng)力的影響
6.2 梯度薄膜的制備及薄膜應(yīng)力的研究
6.3 制備參數(shù)對(duì)氧化鋅鋁透明電極材料電學(xué)性質(zhì)的影響
6.4 工藝參數(shù)對(duì)NiFe薄膜磁電阻特性的影響
6.5 氧化鋁陶瓷薄膜材料的制備及電絕緣特性的研究
6.6 高K介電薄膜材料的制備及介電特性研究
附錄
附錄1 常用物理學(xué)常數(shù)表
附錄2 物理量的單位(SI基本單位)
附錄3 物理量的單位(SI導(dǎo)出單位)