電子線路（線性部分）

第1章晶體二極管.
1.1半導體物理基礎(chǔ)知識
1.1.1本征半導體
1.1.2雜質(zhì)半導體
1.1.3兩種導電機理——漂移和擴散
1.1.4小結(jié)
1.2PN結(jié)
1.2.1動態(tài)平衡下的PN結(jié)
1.2.2剛結(jié)的伏安特性
1.2.3PN結(jié)的擊穿特性
1.2.4PN結(jié)的電容特性
1.2.5小結(jié)
1.3晶體二極管電路的分析方法
1.3.1晶體二極管模型
1.3.2晶體二極管電路分析方法
1.4晶體二極管的應(yīng)用
1.4.1整流與穩(wěn)壓電路
1.4.2限幅電路
*1.5其它二極管
1.5.1肖特基表面勢壘二極管
1.5.2光電二極管
習題
附錄PSPICE電路分析
第2章晶體三極管
2.1放大模式下晶體三極管的工作原理
2.1.1內(nèi)部載流子傳輸過程
2.1.2電流傳輸方程
2.1.3一般模型
2.2晶體三極管的其它工作模式
2.2.1飽和模式
2.2.2截止模式
2.3埃伯爾斯—莫爾模型
2.4晶體三極管的伏安特性曲線
2.5晶體三極管的小信號電路模型
2.6晶體三極管電路分析方法
2.6.1圖解分析法
2.6.2工程近似分析法
2.6.3小信號等效電路分析法
2.7晶體三極管應(yīng)用原理
2.7.1電流源
2.7.2放大器
2,7.3跨導線性電路
2.8集成工藝
2.8.1集成工藝的標準流程
2.8.2集成元器件
2.8.3集成元器件的特點
習題
附錄PSPICE電路分析
第3章場效應(yīng)管
3.1MOS場效應(yīng)管
3.1.1增強型MOS(EMOS)場效應(yīng)管
3.1.2耗盡型MOS(DMOS)場效應(yīng)管
3.1.3四種MOS場效應(yīng)管比較
3.1.4小信號電路模型
3.1.5分析方法
3.2結(jié)型場效應(yīng)管
3.2.1工作原理
3.2.2伏安特性曲線
3.3場效應(yīng)管應(yīng)用原理
3.3.1有源電阻
3.3.2開關(guān)
習題
附錄PSPICE電路分析
第4章放大器基礎(chǔ)
4.1偏置電路和耦合方式
4.1.1偏置電路..
4.1.2耦合方式
4.2放大器的性能指標
4.2.1輸入電阻.輸出電阻和增益
4.2.2失真
4.3基本組態(tài)放木器
4.3.1三種組態(tài)放大器的實際電路
4.3.2共發(fā).共基和共集放大器的性能
4.3.3改進型放大器
4.3.4共源.共柵和共漏放大器的性能
4.3.5集成MOS放大器
4.4差分放大器
4.4.1電路結(jié)構(gòu)
4.4.2性能特點
4.4.3電路兩邊不對稱對性能的影響
4.4.4差模傳輸特性
4.5電流源電路及其應(yīng)用
4.5.1鏡像電流源電路
4.5.2其它改進型電流源電路
4.5.3有源負載差分放大器
4.6集成運算放大器
4.6.1集成運放概述
4.6.2F007集成運放的內(nèi)部組成電路
4.7放大器的頻率響應(yīng)
4.7.1復頻域分析方法
4.7.2共發(fā)放大器的頻率特性
4.7.3共集和共基放大器的頻率響應(yīng)
4.7.4寬帶放大器
*4.8放大器的噪聲
4.8.1起伏噪聲的來源
4.8.2放大器噪聲分析
習題
附錄PSPICE電路分析
第5章放大器中的負反饋
5.1反饋放大器的基本概念
5.1.1反饋放大器的組成
5.1.2四種類型負反饋放大器
5.1.3反饋性質(zhì)和反饋類型的判別
5.2負反饋對放大器性能的影響
5.2.1增益靈敏度
5.2.2輸入和輸出電阻
5.2.3失真和噪聲
*5.3負反饋放大器的性能分析
5.4深度負反饋
5.4.1深度負反饋條件
5.4.2虛短路和虛開路
5.5負反饋放大器的穩(wěn)定性
5.5.1判別穩(wěn)定性的準則
5.5.2集成運放的相位補償技術(shù)
習題
附錄PSPICE電路分析
第6章集成運算放大器及其應(yīng)用電路
6.1集成運放應(yīng)用電路的組成原理
6.1.1集成運放的理想化條件
6.1.2運算電路
6.1.3精密整流電路
6.1.4儀器放大器
6.1.5電流傳輸器
6.2集成運放的性能參數(shù)及其對應(yīng)用電路的影響
6.2.1集成運放性能參數(shù)
6.2.2直流和低頻參數(shù)對性能的影響
6.2.3高頻參數(shù)對性能的影響
*6.3高精度和高速寬帶集成運放
6.3.1高精度集成運放
6.3.2高速寬帶集成運放
6.4集成電壓比較器
6.4.1電壓比較器的作用
6.4.2具有不同比較特性的電壓比較器電路
*6.4.3集成電壓比較器
習題
附錄PSPICE電路分析
主要參考書目
名詞索引...