氮化鎵凹槽陽(yáng)極器件理論與應(yīng)用

第1章 緒論
1.1 半導(dǎo)體肖特基二極管的發(fā)展
1.2 平面型氮化鎵肖特基二極管存在的問(wèn)題
1.3 凹槽陽(yáng)極氮化鎵肖特基二極管的提出
1.3.1 凹槽結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的創(chuàng)新發(fā)展
1.3.2 凹槽陽(yáng)極GaN肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)與原理
參考文獻(xiàn)
第2章 凹槽陽(yáng)極GaN肖特基結(jié)器件制備工藝
2.1 凹槽陽(yáng)極GaN肖特基二極管制備
2.2 AlGaN/GaN器件低漏電臺(tái)面隔離工程
2.3 AlGaN/GaN器件低阻歐姆接觸
2.3.1 凹槽結(jié)構(gòu)低阻歐姆接觸
2.3.2 SiN插入層結(jié)構(gòu)低阻歐姆接觸
2.4 AlGaN/GaN器件低損傷陽(yáng)極凹槽刻蝕技術(shù)
2.4.1 低損傷GaN干法刻蝕技術(shù)
2.4.2 低損傷GaN濕法腐蝕技術(shù)
2.4.3 濕法腐蝕凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)AlGaN/GaN SBD特性
2.5 AlGaN/GaN器件陽(yáng)極后退火工程
2.5.1 平面陽(yáng)極后退火對(duì)器件特性的影響
2.5.2 凹槽陽(yáng)極后退火對(duì)器件特性的影響
2.5.3 陽(yáng)極后退火處理對(duì)界面態(tài)的影響
2.5.4 陽(yáng)極后退火對(duì)器件肖特基結(jié)的影響機(jī)制
2.6 AlGaN/GaN器件低界面態(tài)鈍化工程
2.6.1 不同氧源對(duì)Al2O3/GaN界面的影響
2.6.2 不同表面處理對(duì)Al2O3/GaN界面的影響
2.7 AlGaN/GaN器件全局鈍化可靠性提升技術(shù)
2.7.1 LPCVD表面鈍化抑制電流崩塌
2.7.2 全局鈍化提升二極管長(zhǎng)時(shí)可靠性
參考文獻(xiàn)
第3章 位錯(cuò)免疫的凹槽陽(yáng)極GaN肖特基結(jié)器件結(jié)構(gòu)與特性
3.1 凹槽陽(yáng)極器件特殊工作機(jī)理與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
3.1.1 Silvaco仿真模型與參數(shù)
3.1.2 凹槽陽(yáng)極深度對(duì)器件特性的影響
3.1.3 場(chǎng)板結(jié)構(gòu)對(duì)器件耐壓的影響
3.2 凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的位錯(cuò)免疫特性
3.2.1 不同襯底上AlGaN/GaN外延材料表征
3.2.2 平面和凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)AlGaN/GaN肖特基二極管特性分析
3.3 場(chǎng)板結(jié)構(gòu)對(duì)陽(yáng)極勢(shì)壘高度及電容的影響
3.3.1 鏡像力對(duì)陽(yáng)極勢(shì)壘高度的影響
3.3.2 凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)GaN肖特基二極管勢(shì)壘高度模型
3.3.3 GaN肖特基二極管勢(shì)壘高度調(diào)控模型的驗(yàn)證
3.3.4 場(chǎng)板介質(zhì)及場(chǎng)板長(zhǎng)度對(duì)陽(yáng)極電容的影響
3.4 凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)GaN肖特基結(jié)器件電流輸運(yùn)機(jī)制
3.4.1 凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)AlGaN/GaN SBD變溫特性
3.4.2 凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)AlGaN/GaN SBD漏電機(jī)制
3.4.3 凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)AlGaN/GaN SBD擊穿機(jī)制
參考文獻(xiàn)
第4章 凹槽陽(yáng)極GaN肖特基結(jié)開(kāi)啟電壓調(diào)控方法
4.1 金屬功函數(shù)對(duì)陽(yáng)極勢(shì)壘高度的影響
4.1.1 凹槽側(cè)壁非極性GaN表面第一性原理計(jì)算
4.1.2 金屬/GaN非極性面界面電子結(jié)構(gòu)研究
4.2 不同功函數(shù)金屬陽(yáng)極GaN肖特基結(jié)
4.2.1 不同功函數(shù)金屬與GaN材料肖特基勢(shì)壘分析
4.2.2 不同功函數(shù)金屬陽(yáng)極器件電學(xué)特性
4.3 低功函數(shù)金屬陽(yáng)極GaN肖特基二極管
4.3.1 鎢金屬陽(yáng)極AlGaN/GaN肖特基二極管
4.3.2 鉬金屬陽(yáng)極AlGaN/GaN肖特基二極管
4.4 凹槽陽(yáng)極GaN MIS準(zhǔn)肖特基二極管
4.4.1 AlGaN/GaN MIS準(zhǔn)肖特基二極管基本特性
4.4.2 AlGaN/GaN MIS準(zhǔn)肖特基二極管導(dǎo)通機(jī)制
4.5 雙陽(yáng)極金屬低開(kāi)啟電壓GaN肖特基二極管
參考文獻(xiàn)
第5章 面向不同應(yīng)用的凹槽陽(yáng)極GaN肖特基二極管
5.1 低漏電高耐壓凹槽陽(yáng)極GaN肖特基二極管
5.1.1 36nA/mm低漏電同質(zhì)襯底GaN肖特基二極管
5.1.2 28nA/mm低漏電AlGaN溝道肖特基二極管
5.2 耐電流崩塌厚本征帽層GaN肖特基二極管
5.2.1 厚本征帽層GaN/AlGaN/GaN肖特基二極管
5.2.2 不同帽層厚度凹槽陽(yáng)極GaN/AlGaN/GaN肖特基二極管
5.2.3 厚本征帽層GaN/AlGaN/GaN肖特基二極管抗質(zhì)子輻照特性
5.3 超高頻凹槽陽(yáng)極GaN肖特基二極管
5.3.1 GaN微波二極管核心指標(biāo)相關(guān)性分析
5.3.2 場(chǎng)板結(jié)構(gòu)凹槽陽(yáng)極GaN肖特基二極管
5.3.3 自對(duì)準(zhǔn)凹槽陽(yáng)極GaN肖特基二極管
5.3.4 InAlN/GaN高品質(zhì)因數(shù)GaN肖特基二極管
5.4 GaN肖特基二極管產(chǎn)品化及建模技術(shù)
5.4.1 氮化鎵微波二極管產(chǎn)品化
5.4.2 二極管建模與本征參數(shù)提取
5.4.3 二極管的外圍寄生參數(shù)提取
參考文獻(xiàn)
第6章 凹槽陽(yáng)極結(jié)構(gòu)肖特基漏高電子遷移率晶體管
6.1 凹槽肖特基漏雙向阻斷高電子遷移率晶體管
6.1.1 材料結(jié)構(gòu)和器件制備
6.1.2 器件電學(xué)特性測(cè)試
6.1.3 TCAD仿真及熱穩(wěn)定性測(cè)試
6.2 肖特基-歐姆混合漏雙向阻斷高電子遷移率晶體管
6.2.1 器件結(jié)構(gòu)分析與器件制備
6.2.2 器件電學(xué)特性測(cè)試與分析
6.2.3 器件電學(xué)特性測(cè)試與分析結(jié)構(gòu)尺寸和溫度對(duì)器件性能的影響
6.3 二極管橋結(jié)構(gòu)GaN單片集成雙向開(kāi)關(guān)研究
6.3.1 材料結(jié)構(gòu)及器件制備
6.3.2 二極管橋結(jié)構(gòu)GaN單片集成雙向開(kāi)關(guān)的工作原理
6.3.3 雙向開(kāi)關(guān)電學(xué)特性測(cè)試及分析
6.3.4 雙向開(kāi)關(guān)功能驗(yàn)證
6.4 反并聯(lián)雙向阻斷p-GaN HEMT單片集成雙向開(kāi)關(guān)研究
6.4.1 材料結(jié)構(gòu)及器件制備
6.4.2 反并聯(lián)雙向阻斷p-GaN HEMTs單片集成雙向開(kāi)關(guān)工作原理 …… 第7章氮化鎵P溝道凹槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第8章大功率GaN二極管整流及限幅電路