硅基半導體應變理論與生長動力學

　　硅基半導體應變技術是21世紀延續(xù)摩爾定律的關鍵技術之一。根據(jù)IRDS（國際設備和系統(tǒng)路線圖）對DRAM技術發(fā)展趨勢的預測， 在今后很長一段時間內(nèi)， 硅基半導體應變技術仍然是提升半導體器件與電路遷移率和高場傳輸特性的可持續(xù)改進關鍵技術。本書共分為9章， 主要內(nèi)容包括硅基半導體應變理論與技術、硅基半導體應變能帶理論與空間群、應變鍺能帶結構計算、硅基半導體應變彈塑性力學理論、臨界帶隙應變Ge1-xSnx合金能帶特性與遷移率計算、硅基半導體應變材料的RPCVD計算流體動力學模擬、硅基半導體應變材料CVD生長機理與生長動力學模型、硅基半導體應變材料的缺陷形成機理與控制方法、硅基半導體應變材料的生長動力學與制備實驗等。本書主要面向硅基半導體應變理論與技術領域的研究者， 同時也可作為本科微電子科學與工程專業(yè)和研究生微電子學與固體電子學專業(yè)相關課程的教學參考書。

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