硅基半導體應(yīng)變理論與生長動力學

　　硅基半導體應(yīng)變技術(shù)是21世紀延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。根據(jù)IRDS（國際設(shè)備和系統(tǒng)路線圖）對DRAM技術(shù)發(fā)展趨勢的預(yù)測， 在今后很長一段時間內(nèi)， 硅基半導體應(yīng)變技術(shù)仍然是提升半導體器件與電路遷移率和高場傳輸特性的可持續(xù)改進關(guān)鍵技術(shù)。本書共分為9章， 主要內(nèi)容包括硅基半導體應(yīng)變理論與技術(shù)、硅基半導體應(yīng)變能帶理論與空間群、應(yīng)變鍺能帶結(jié)構(gòu)計算、硅基半導體應(yīng)變彈塑性力學理論、臨界帶隙應(yīng)變Ge1-xSnx合金能帶特性與遷移率計算、硅基半導體應(yīng)變材料的RPCVD計算流體動力學模擬、硅基半導體應(yīng)變材料CVD生長機理與生長動力學模型、硅基半導體應(yīng)變材料的缺陷形成機理與控制方法、硅基半導體應(yīng)變材料的生長動力學與制備實驗等。本書主要面向硅基半導體應(yīng)變理論與技術(shù)領(lǐng)域的研究者， 同時也可作為本科微電子科學與工程專業(yè)和研究生微電子學與固體電子學專業(yè)相關(guān)課程的教學參考書。

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