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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　在半導(dǎo)體芯片被廣泛關(guān)注的當(dāng)下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導(dǎo)體芯片原理、設(shè)計(jì)、制造工藝的學(xué)習(xí)參考書。《極簡(jiǎn)圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡(jiǎn)單明了地介紹了什么是半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細(xì)介紹了ISI的開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)、ISI制造的前端工程、ISI制造的后端工程以使讀者全面了解集成電路芯片的設(shè)計(jì)技術(shù)、制造工藝和測(cè)試、封裝技術(shù)。最后，介紹了代表性半導(dǎo)體元件以及半導(dǎo)體工藝的發(fā)展極限。本書面向電子技術(shù)，特別是半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員、大專院校的學(xué)生，作為專業(yè)技術(shù)學(xué)習(xí)資料，同時(shí)也可作為廣大科技愛(ài)好者了解半導(dǎo)體技術(shù)的科普讀物。通過(guò)本書的閱讀，讀者可以快速了解半導(dǎo)體集成電路芯片技術(shù)的全貌，同時(shí)在理論上對(duì)其原理和制造方法進(jìn)行全面分析和理解，從而為實(shí)際的開(kāi)發(fā)打下深厚的理論基礎(chǔ)，為技術(shù)創(chuàng)新提供具有啟發(fā)性的方向和路徑。

作者簡(jiǎn)介

　　西久保靖彥出生于日本埼玉縣。從電子通信大學(xué)畢業(yè)后，曾先后就職于西鐵城鐘表株式會(huì)社技術(shù)研究所、大日本印刷株式會(huì)社電子設(shè)計(jì)研究所、Inotech株式會(huì)社、三榮High Tex株式會(huì)社，現(xiàn)為Westbrain代表，靜岡大學(xué)客座教授（2005.4～2018.3）。以西鐵城石英晶體手表用CMOS IC開(kāi)發(fā)為開(kāi)端，西久保靖彥從青年時(shí)期就涉足了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。著作有《圖解入門：易懂的最新半導(dǎo)體基礎(chǔ)與結(jié)構(gòu)》《圖解入門：易懂的最新顯示技術(shù)基礎(chǔ)與結(jié)構(gòu)》《圖解入門：易懂的CPU基礎(chǔ)與結(jié)構(gòu)》《圖解摻雜半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)》《大畫面超薄型顯示器100問(wèn)》《基本ASIC術(shù)語(yǔ)詞典》《基本系統(tǒng)LSI術(shù)語(yǔ)詞典》《電路模擬器SPICE入門》、《LSI設(shè)計(jì)的實(shí)際現(xiàn)狀與日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)課題》等。西久保靖彥還是一名業(yè)余無(wú)線電愛(ài)好者（JA1EGN，一級(jí)業(yè)余無(wú)線電技師），經(jīng)常在是國(guó)內(nèi)和國(guó)外處奔走旅行。

圖書目錄

目錄
譯者序
原書前言
第1章什么是半導(dǎo)體？
需要了解的基本物理知識(shí)
1-1什么是半導(dǎo)體？
1-2導(dǎo)體和絕緣體有什么不同？
1-3半導(dǎo)體的雙重導(dǎo)電性：從絕緣體到導(dǎo)體的質(zhì)變
1-4半導(dǎo)體材料硅是什么？
1-5根據(jù)雜質(zhì)類型的不同制成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體
1-6N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)——能級(jí)提升的真正原因是什么？
1-7搭載LSI的基板——硅晶圓的制造方法
第2章什么是IC、LSI？
LSI的類型和應(yīng)用
2-1實(shí)現(xiàn)高性能電子設(shè)備的LSI
2-2硅晶圓上的LSI
2-3LSI有哪些種類？
2-4按功能對(duì)LSI進(jìn)行分類
2-5存儲(chǔ)器的類型
2-6定制ASIC有哪些種類？
2-7微型計(jì)算機(jī)的組成
2-8所有功能向單片化、系統(tǒng)LSI的方向發(fā)展
2-9搭載系統(tǒng)LSI的設(shè)備——手機(jī)發(fā)生的變化
2-10搭載系統(tǒng)LSI的設(shè)備——數(shù)碼相機(jī)的變化
第3章半導(dǎo)體元件的基本操作
晶體管的基本原理
3-1PN結(jié)是半導(dǎo)體的根本
3-2使電流單一方向流動(dòng)的二極管
3-3雙極型晶體管的基本原理
3-4LSI的基本元件MOS晶體管（PMOS、NMOS）
3-5什么是最常用的CMOS？
3-6存儲(chǔ)器DRAM的基本構(gòu)造和工作原理
3-7什么是活躍于移動(dòng)設(shè)備的閃存？
3-8DRAM、閃存及下一代通用存儲(chǔ)器
第4章數(shù)字電路原理
了解如何進(jìn)行計(jì)算
4-1模擬量和數(shù)字量有什么不同？
4-2數(shù)字處理的基礎(chǔ)——什么是二進(jìn)制數(shù)？
4-3LSI邏輯電路的基礎(chǔ)——布爾代數(shù)
4-4LSI中使用的基本邏輯門
4-5用邏輯門進(jìn)行十進(jìn)制數(shù)到二進(jìn)制數(shù)的轉(zhuǎn)換
4-6數(shù)字電路中如何實(shí)現(xiàn)加法運(yùn)算(加法器)？
4-7數(shù)字電路中如何實(shí)現(xiàn)減法運(yùn)算(減法器)？
4-8其他重要的基本數(shù)字電路
第5章LSI的開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)工程是怎樣的
5-1LSI開(kāi)發(fā)——從規(guī)劃到產(chǎn)品化
5-2功能設(shè)計(jì)——確定想要實(shí)現(xiàn)什么樣的功能
5-3邏輯設(shè)計(jì)——邏輯門級(jí)的功能確認(rèn)
5-4 版圖／掩模設(shè)計(jì)——在保證電氣性能的前提下實(shí)現(xiàn)芯片最小化
5-5電路設(shè)計(jì)——更詳細(xì)的晶體管級(jí)設(shè)計(jì)
5-6光掩模——LSI制造過(guò)程中使用的版圖原版
5-7最新的設(shè)計(jì)技術(shù)趨勢(shì)——基于軟件技術(shù)、IP利用的設(shè)計(jì)
5-8LSI電氣特性的缺陷分析與評(píng)價(jià)——如何進(jìn)行出廠測(cè)試?
第6章LSI制造的前端工程
硅芯片是如何制成的？
6-1半導(dǎo)體生產(chǎn)的全過(guò)程概覽
6-2清洗技術(shù)和清洗設(shè)備
6-3沉積技術(shù)和膜的類型
6-4膜是如何成型的？
6-5用于精細(xì)加工的光刻技術(shù)
6-6決定晶體管尺寸極限的曝光技術(shù)是什么？
6-7什么是三維精細(xì)加工的蝕刻？
6-8什么是雜質(zhì)擴(kuò)散工序？
6-9連接半導(dǎo)體元件的金屬布線
6-10通過(guò)CMOS反相器了解制造工序
第7章LSI制造的后端工程和封裝技術(shù)
從封裝到測(cè)試和發(fā)貨
7-1從硅芯片的封裝到測(cè)試和發(fā)貨
7-2封裝的種類和外形
7-3BGA和CSP是什么樣的封裝？
7-4將多個(gè)芯片封裝在同一個(gè)封裝中的SIP
7-5采用貫通電極TSV的三維封裝技術(shù)
7-6高密度封裝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展
第8章代表性半導(dǎo)體元件
8-1光電半導(dǎo)體的基本原理 (發(fā)光二極管和光電二極管)
8-2作為照明燈具的白色光LED的出現(xiàn)
8-3集成大量光電二極管的圖像傳感器
8-4使IT社會(huì)的高速通信網(wǎng)絡(luò)成為可能的半導(dǎo)體激光器
8-5藍(lán)光激光器實(shí)現(xiàn)了高圖像質(zhì)量和長(zhǎng)時(shí)間的記錄存儲(chǔ)
8-6有助于節(jié)約電能的功率半導(dǎo)體
8-7IC卡微處理器
8-8改變銷售管理機(jī)制的無(wú)線通信IC電子標(biāo)簽
第9章半導(dǎo)體的工藝制程將被微細(xì)化到什么程度?
9-1晶體管微細(xì)化結(jié)構(gòu)的極限
9-2微細(xì)化加速了電子設(shè)備的高性能化
參考文獻(xiàn)