氮化鋁單晶材料生長與應(yīng)用

　　氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，參考國內(nèi)外的Z新研究成果，詳細(xì)介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、Z新進(jìn)展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎(chǔ)，物理氣相傳輸法、氫化物氣相外延法、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法制備氮化鋁單晶和氮化鋁器件應(yīng)用。 本書基于翔實的數(shù)據(jù)，對氮化鋁單晶材料生長的技術(shù)方法及應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展進(jìn)行了討論，注重專業(yè)性和系統(tǒng)性，具有簡明、扼要等特點，可供從事相關(guān)研究的科研和工程技術(shù)人員閱讀，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的參考教材。

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