光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)（上冊(cè)）

目錄
(上冊(cè))
序言
前言
第1章 緒論 1
1.1集成電路發(fā)展歷程 1
1.2集成電路制造工藝 3
1.3光刻機(jī)技術(shù)的發(fā)展 5
1.3.1光刻機(jī)曝光方式的演變 5
1.3.2光刻分辨率的提升 7
1.4光刻機(jī)整機(jī)關(guān)鍵技術(shù) 8
1.4.1光刻機(jī)基本結(jié)構(gòu) 8
1.4.2光刻機(jī)主要性能指標(biāo) 14
1.4.3光刻機(jī)的技術(shù)挑戰(zhàn) 15
1.5光刻機(jī)的成像質(zhì)量與主要性能指標(biāo) 16
1.5.1成像質(zhì)量的影響因素 16
1.5.2成像質(zhì)量對(duì)光刻機(jī)性能指標(biāo)的影響 17
1.6光刻機(jī)的技術(shù)進(jìn)步與成像質(zhì)量提升 18
1.6.1光刻機(jī)成像質(zhì)量與像質(zhì)控制 18
1.6.2像質(zhì)控制與光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)步 18
1.7光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù) 20
1.7.1不同類(lèi)型像質(zhì)參數(shù)的檢測(cè)需求 21
1.7.2不同場(chǎng)合下像質(zhì)參數(shù)的檢測(cè)需求 22
1.7.3像質(zhì)檢測(cè)的技術(shù)類(lèi)型 22
1.7.4光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)體系 24
1.8本書(shū)主要內(nèi)容 25
參考文獻(xiàn) 26
第2章光刻成像模型 29
2.1光刻成像理論 29
2.1.1標(biāo)量衍射理論 29
2.1.2矢量衍射理論 31
2.2標(biāo)量光刻成像模型 51
2.2.1相干成像模型 51
2.2.2部分相干成像模型 52
2.3矢量光刻成像模型 62
2.3.1建?；A(chǔ) 62
2.3.2厚掩模近場(chǎng)模型 64
2.3.3 物方矢量場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)衍射模型 67
2.3.4入瞳球面到出瞳球面的映射關(guān)系 76
2.3.5像方矢量場(chǎng)會(huì)聚成像模型 77
2.4投影物鏡熱效應(yīng)模型 78
2.4.1快速熱效應(yīng)模型 78
2.4.2嚴(yán)格熱效應(yīng)模型 86
參考文獻(xiàn) 93
第3章初級(jí)像質(zhì)參數(shù)檢測(cè) 95
3.1初級(jí)像質(zhì)參數(shù)對(duì)光刻成像位置的影響 95
3.1.1垂軸像質(zhì)參數(shù)的影響 95
3.1.2軸向像質(zhì)參數(shù)的影響 97
3.2垂軸像質(zhì)檢測(cè)技術(shù) 99
3.3軸向像質(zhì)檢測(cè)技術(shù) 101
3.3.1 FEM技術(shù) 101
3.3.2 FOCAL技術(shù) 102
3.3.3基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的檢測(cè)技術(shù) 144
3.3.4基于雙線線寬變化量的檢測(cè)技術(shù) 153
3.3.5其他檢測(cè)技術(shù) 158
3.4垂軸與軸向像質(zhì)同步檢測(cè)技術(shù) 159
3.4.1 TIS技術(shù) 159
3.4.2 鏡像 FOCAL技術(shù) 170
3.5初級(jí)像質(zhì)參數(shù)檢測(cè)技術(shù)的應(yīng)用拓展 178
3.5.1焦深檢測(cè) 178
3.5.2硅片表面不平度檢測(cè) 185
3.5.3套刻精度檢測(cè) 191
3.5.4像質(zhì)參數(shù)熱漂移檢測(cè) 198
參考文獻(xiàn) 203
第4章基于光刻膠曝光的波像差檢測(cè) 205
4.1波像差對(duì)光刻成像質(zhì)量的影響 205
4.1.1奇像差對(duì)光刻成像質(zhì)量的影響 205
4.1.2偶像差對(duì)光刻成像質(zhì)量的影響 211
4.1.3波像差對(duì)套刻精度的影響 214
4.2光束干涉檢測(cè)法 219
4.2.1雙光束干涉檢測(cè) 219
4.2.2三光束干涉檢測(cè) 229
4.2.3多光束干涉檢測(cè) 233
4.3像面曝光檢測(cè)法 242
4.3.1單一照明條件檢測(cè) 242
4.3.2多照明條件檢測(cè) 244
4.4多離焦面曝光檢測(cè)法 251
4.4.1單一照明條件檢測(cè) 251
4.4.2多照明條件檢測(cè) 259
參考文獻(xiàn) 273
第5章基于空間像測(cè)量的波像差檢測(cè) 275
5.1基于空間像位置偏移量的檢測(cè) 275
5.1.1二元光柵標(biāo)記檢測(cè)法 275
5.1.2相移掩模標(biāo)記檢測(cè)法 298
5.1.3混合標(biāo)記檢測(cè)法 322
5.2基于空間像線寬不對(duì)稱(chēng)度的檢測(cè) 328
5.2.1雙線標(biāo)記檢測(cè)法 328
5.2.2 Brick Wall標(biāo)記檢測(cè)法 333
5.3基于空間像峰值光強(qiáng)差的檢測(cè) 337
5.3.1相移掩模標(biāo)記檢測(cè)法 337
5.3.2二元雙縫圖形標(biāo)記檢測(cè)法 346
5.4基于空間像傅里葉分析的檢測(cè) 354
5.4.1檢測(cè)原理 354
5.4.2仿真實(shí)驗(yàn) 359
5.5基于空間像解析線性模型的檢測(cè) 362
5.5.1檢測(cè)原理 362
5.5.2仿真實(shí)驗(yàn) 368
5.5.3技術(shù)優(yōu)化 371
參考文獻(xiàn) 373
第6章基于空間像主成分分析的波像差檢測(cè) 375
6.1 AMAI-PCA技術(shù) 375
6.1.1檢測(cè)原理 375
6.1.2仿真與實(shí)驗(yàn) 390
6.1.3工程應(yīng)用技術(shù) 404
6.2高精度波像差檢測(cè)方法 433
6.2.1 多級(jí) BBD采樣法 433
6.2.2 Three-Space標(biāo)記檢測(cè)法 438
6.2.3階梯相位環(huán)標(biāo)記檢測(cè)法 442
6.3高階波像差檢測(cè)方法 452
6.3.1多照明設(shè)置法 452
6.3.2環(huán)形照明檢測(cè)法 457
6.3.3六方向孤立空標(biāo)記檢測(cè)法 468
6.3.4二階模型檢測(cè)法 483
6.4浸液光刻機(jī)投影物鏡波像差檢測(cè) 496
6.4.1基于矢量成像模型的波像差檢測(cè) 496
6.4.2基于八方向孤立空標(biāo)記的高階波像差檢測(cè) 507
6.4.3基于線性采樣的波像差快速檢測(cè) 517
6.4.4基于多偏振照明條件的高精度波像差檢測(cè) 521
參考文獻(xiàn) 528
(下冊(cè))
第7章基于原位 PMI的波像差檢測(cè)
第8章偏振像差檢測(cè)
第9章極紫外光刻投影物鏡波像差檢測(cè)
第10章像質(zhì)檢測(cè)關(guān)鍵依托技術(shù)
后記