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碳化硅技術基本原理:生長、表征、器件和應用

碳化硅技術基本原理:生長、表征、器件和應用

定 價:¥150.00

作 者: (日)木本恒暢,(美)詹姆士 A. 庫珀
出版社: 機械工業(yè)出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

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ISBN: 9787111586807 出版時間: 2018-05-01 包裝:
開本: 16開 頁數(shù): 499 字數(shù):  

內容簡介

  本書是一本有關碳化硅材料、器件工藝、器件和應用方面的書籍,其主題包括碳化硅的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的表征、擴展缺陷和點缺陷,器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念,單/雙極型器件的物理和特征、擊穿現(xiàn)象、高頻和高溫器件,以及碳化硅器件的系統(tǒng)應用,涵蓋了基本概念和新發(fā)展現(xiàn)狀,并針對每個主題做深入的闡釋,包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰(zhàn)。

作者簡介

  本書的作者TsunenobuKimoto是京都大學電子科學與工程系的一名教授,長期 從事碳化硅材料、表征、器件工藝以及功率器件等方面的研究,是日本碳化硅界的 領軍人物,在碳化硅的外延生長、光學和電學特性表征、缺陷電子學、離子注入、 金屬-氧化物-半導體(MOS) 物理和高電壓器件等方面均有建樹。 而另一位作 者,美國普渡大學電氣與計算機工程學院的JamesACooper則是一位半導體界的元 老級人物,他在MOS器件、IC及包括硅和碳化硅在內的功率器件方面都有研究和 建樹,特別是碳化硅基UMOSFET、肖特基二極管、UMOSFET、橫向DMOSFET、 BJT和IGBT等的開發(fā)做出了突出貢獻。

圖書目錄

譯者序
原書前言
原書作者簡介
第1章 導論1
 1.1 電子學的進展1
?。?2 碳化硅的特性和簡史3  
?。?2.1 早期歷史3
 ?。?2.2 SiC晶體生長的革新4
 ?。?2.3 SiC功率器件的前景和展示5
?。?3 本書提綱6  參考文獻7
第2章 碳化硅的物理性質10
第3章 碳化硅晶體生長36
第4章 碳化硅外延生長70
第5章 碳化硅的缺陷及表征技術117
第6章 碳化硅器件工藝177
第7章 單極型和雙極型功率二極管262
第8章 單極型功率開關器件286
第9章 雙極型功率開關器件336
?。?1 雙極結型晶體管(BJT) 336
  9.1.1 內部電流337
 ?。?1.2 增益參數(shù)338
 ?。?1.3 端電流340
 ?。?1.4 電流-電壓關系341
 ?。?1.5 集電區(qū)中的大電流效應:飽和和準飽和343
  9.1.6 基區(qū)中的大電流效應:Rittner效應347
  9.1.7 集電區(qū)的大電流效應:二次擊穿和基區(qū)擴散效應351
 ?。?1.8 共發(fā)射極電流增益:溫度特性353
 ?。?1.9 共發(fā)射極電流增益:復合效應353
  9.1.10 阻斷電壓355
?。?2 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 356
 ?。?2.1 電流-電壓關系357
 ?。?2.2 阻斷電壓367
  9.2.3 開關特性368
 ?。?2.4 器件參數(shù)的溫度特性373
 9.3 晶閘管375
 ?。?3.1 正向導通模式377
 ?。?3.2 正向阻斷模式和觸發(fā)381
  9.3.3 開通過程386
 ?。?3.4 dV/dt觸發(fā)388
  9.3.5?。洌桑洌舻南拗疲常福?
 ?。?3.6 關斷過程390
 ?。?3.7 反向阻斷模式397
 參考文獻397
第10章 功率器件的優(yōu)化和比較398
第11章 碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應用425
第12章 專用碳化硅器件及應用466
附錄490
 附錄A 4H-SiC中的不完全雜質電離490
 參考文獻494
 附錄B 雙曲函數(shù)的性質494
 附錄C 常見SiC多型體主要物理性質497
 ?。?1 性質497  
 C.2 主要物理性質的溫度和/或摻雜特性498
 參考文獻499

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