產(chǎn)業(yè)專利分析報告：第三代半導體（第67冊）

目 錄
第1章 緒 論
1.1 技術背景
1.2 主要內容
1.2.1 技術現(xiàn)狀
1.2.2 市場現(xiàn)狀
1.2.3 政策現(xiàn)狀
1.3 主要研究內容
1.3.1 技術分解
1.3.2 數(shù)據(jù)來源及檢索策略
1.3.3 查全查準驗證
1.4 相關約定
1.4.1 專利分析術語
1.4.2 技術術語
第2章 第三代半導體產(chǎn)業(yè)全球專利態(tài)勢
2.1 專利申請趨勢
2.1.1 碳化硅專利申請趨勢
2.1.2 氮化鎵專利申請趨勢
2.1.3 其他材料專利申請趨勢
2.2 全球專利區(qū)域分布
2.2.1 國家/地區(qū)分布
2.2.2 專利流向分析
2.2.3 在華分布情況
2.3 主要申請人排名
2.3.1 全球專利申請人排名
2.3.2 在華專利申請人排名
2.4 技術構成
2.4.1 全球技術構成
2.4.2 主要國家/地區(qū)技術構成對比
第3章 碳化硅關鍵技術專利分析
3.1 碳化硅制備技術分析
3.1.1 專利申請趨勢
3.1.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
3.1.3 主要申請人分析
3.1.4 單晶生長技術發(fā)展路線
3.1.5 外延生長技術發(fā)展路線
3.1.6 技術生命周期分析
3.2 碳化硅器件技術分析
3.2.1 專利申請趨勢
3.2.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
3.2.3 主要申請人分析
3.2.4 碳化硅IGBT技術發(fā)展路線
3.2.5 技術生命周期分析
3.3 碳化硅應用技術分析
3.3.1 專利申請趨勢
3.3.2 主要國家專利布局對比
3.3.3 主要申請人分析
3.3.4 技術生命周期分析
第4章 氮化鎵關鍵技術專利分析
4.1 氮化鎵制備技術分析
4.1.1 專利申請趨勢
4.1.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
4.1.3 主要申請人分析
4.1.4 氮化鎵技術發(fā)展路線
4.1.5 技術生命周期分析
4.2 氮化鎵器件和應用技術分析
4.2.1 專利申請趨勢
4.2.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
4.2.3 主要申請人分析
4.2.4 MicroLED技術發(fā)展路線
4.2.5 技術生命周期分析
第5章 英飛凌專利布局及運用策略分析
5.1 發(fā)展歷程
5.2 專利布局
5.2.1 專利申請趨勢
5.2.2 專利區(qū)域布局
5.2.3 專利主題布局
5.3 主要研發(fā)團隊
5.3.1 研發(fā)團隊總覽
5.3.2 研發(fā)合作分析
5.4 專利運用
5.4.1 專利運用圖譜
5.4.2 專利運用策略
第6章 科銳專利布局及運用策略研究
6.1 發(fā)展歷程
6.2 專利布局
6.2.1 專利申請趨勢
6.2.2 專利區(qū)域布局
6.2.3 專利主題布局
6.3 主要研發(fā)團隊
6.3.1 研發(fā)團隊總覽
6.3.2 研發(fā)合作分析
6.4 專利運用
6.4.1 專利運用圖譜
6.4.2 專利運用策略
第7章 第三代半導體領域主要發(fā)明人分析
7.1 發(fā)明人全景分析
7.1.1 全球主要發(fā)明人
7.1.2 技術分支主要發(fā)明人
7.2 國外主要發(fā)明人
7.2.1 國外發(fā)明人
7.2.2 技術分支主要發(fā)明人
第8章 第三代半導體領域專利轉讓策略研究
8.1 專利轉讓態(tài)勢分析
8.1.1 專利轉讓趨勢
8.1.2 專利轉讓主要區(qū)域
8.1.3 專利轉讓人排名
8.1.4 專利受讓人
8.1.5 專利轉讓技術排名
8.2 英飛凌專利轉讓案例分析
第9章 第三代半導體領域專利許可策略研究
9.1 專利許可分析
9.1.1 專利許可趨勢
9.1.2 專利許可人排名
9.1.3 專利被許可人
9.1.4 專利許可技術排名
9.2 科銳專利許可案例分析
第10章 第三代半導體領域專利訴訟策略研究
10.1 專利訴訟態(tài)勢分析
10.1.1 專利訴訟主要國家/地區(qū)
10.1.2 專利訴訟人排名
10.1.3 專利訴訟技術排名
10.2 專利訴訟案例分析
10.2.1 科銳vs.旭明光電
10.2.2 威科vs.中微半導體
10.3 專利訴訟策略小結
第11章 美國政府資助項目知識產(chǎn)權產(chǎn)出機制研究
11.1 項目簡介
11.2 美國政府資助項目專利產(chǎn)出機制
11.3 美國政府資助典型案例分析
第12章 主要結論和建議
12.1 主要結論
12.2 主要建議
附錄 美國政府資助項目碳化硅領域主要專利
圖索引
表索引