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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)理論和實(shí)踐相結(jié)合，首先概略介紹了I/O Library，包括I/O Library在芯片設(shè)計(jì)中的功能、設(shè)計(jì)流程等；接著介紹了I/O電路中的ESD現(xiàn)象、ESD的測(cè)試方法和多種ESD保護(hù)功能模塊的設(shè)計(jì)；然后著重講解閂鎖現(xiàn)象、GPIO的功能電路以及高速I(mǎi)/O電路的電路補(bǔ)償方法等；最后展望了I/O Library的未來(lái)發(fā)展。

作者簡(jiǎn)介

　　王國(guó)立，1999年獲得北京郵電大學(xué)信息工程專(zhuān)業(yè)碩士學(xué)位。其后先后在中國(guó)華為、德國(guó)柏林GMD FOKUS、美國(guó)微芯（Microchip）等公司從事通信電子和半導(dǎo)體芯片的工作。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，作者親身從事過(guò)形形色色的半導(dǎo)體芯片工程項(xiàng)目的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，使用過(guò)許多半導(dǎo)體制造工藝。

圖書(shū)目錄

第 1 章　I/O Library 介紹 ……………………………………………………………… 1
1．1　I/O Library 的特征 …………………………………………………………… 1
1．2　I/O Library 的設(shè)計(jì)流程 ……………………………………………………… 4
1．3　研究工藝的特點(diǎn) ……………………………………………………………… 5
1．4　設(shè)計(jì)測(cè)試芯片 ………………………………………………………………… 6
1．5　ESD 測(cè)試模塊 ………………………………………………………………… 7
第 2 章　ESD——I/O Library 的第一道墻 ………………………………………… 11
2．1　ESD 現(xiàn)象 ……………………………………………………………………… 11
2．2　半導(dǎo)體芯片中的ESD 失敗現(xiàn)象 ……………………………………………… 12
2．3　電路可靠性——ESD 測(cè)試模型 ……………………………………………… 16
2．4　ESD 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試模型的測(cè)試組合 ……………………………………………… 25
2．5　ESD 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試模型的測(cè)試誤差 ……………………………………………… 28
2．6　輸入/ 輸出管腳ESD 器件的設(shè)計(jì)和布局 …………………………………… 29
參考文獻(xiàn)……………………………………………………………………………… 75
第3 章　閂鎖和保護(hù)環(huán) ………………………………………………………………… 77
3．1　閂鎖的機(jī)理 …………………………………………………………………… 77
3．2　防止閂鎖的方法 ……………………………………………………………… 79
3．3　Latch-up 的測(cè)試方法 ………………………………………………………… 88
參考文獻(xiàn)……………………………………………………………………………… 94
第4 章　I/O 電路設(shè)計(jì) ………………………………………………………………… 95
4．1　通用型I/O 數(shù)據(jù)規(guī)范和設(shè)計(jì) ………………………………………………… 95
4．2　傳輸線(xiàn)現(xiàn)象 …………………………………………………………………… 96
4．3　GPIO 的輸出模塊 ……………………………………………………………… 100
4．4　GPIO 的輸入模塊 ……………………………………………………………… 114
4．5　模擬輸入信號(hào) ………………………………………………………………… 117
目　錄
芯片接口庫(kù)I/O Library 和ESD 電路的研發(fā)設(shè)計(jì)應(yīng)用
4．6　混合電壓輸入/ 輸出電路 …………………………………………………… 120
4．7　高壓容忍電路中的輸入/ 輸出電路 ………………………………………… 125
4．8　輸出電路的布局 ……………………………………………………………… 128
4．9　I/O 的電源線(xiàn)分布 ……………………………………………………………… 132
4．10　Bond PAD 的位置和布局 …………………………………………………… 134
4．11　內(nèi)核面積決定化和PAD 面積決定化 ……………………………………… 136
參考文獻(xiàn)……………………………………………………………………………… 139
第5 章　高速I(mǎi)/O 電路 ………………………………………………………………… 141
5．1　電路補(bǔ)償 ……………………………………………………………………… 141
5．2　DDR …………………………………………………………………………… 146
5．3　LVDS …………………………………………………………………………… 150
參考文獻(xiàn)……………………………………………………………………………… 154
第6 章　I/O Library 的模型…………………………………………………………… 155
6．1　綜合模型 ……………………………………………………………………… 155
6．2　行為模型 ……………………………………………………………………… 169
6．3　IBIS 模型 ……………………………………………………………………… 171
參考文獻(xiàn)……………………………………………………………………………… 181
結(jié)束語(yǔ) …………………………………………………………………………………… 183