GaAs基光電陰極

　　本書是著作者承擔(dān)國家科研項(xiàng)目的總結(jié)，是論述GaAs光電陰極的專著。全書共分10章，介紹了三代微光像增強(qiáng)器、數(shù)字微光器件、GaAs和GaAlAs材料和光電陰極的發(fā)展概況；研究了GaAs光電陰極的光電發(fā)射與光譜響應(yīng)理論、多信息量測控與評估系統(tǒng)、激活工藝及其優(yōu)化；提出了變摻雜GaAs光電陰極物理概念，探索了反射式和透射式變摻雜GaAs光電陰極理論，在三代微光像增強(qiáng)器中進(jìn)行了實(shí)踐；提出了窄帶響應(yīng)GaAs光電陰極物理概念，研究了窄帶GaAlAs光電陰極的電子與原子結(jié)構(gòu)，探索了陰極設(shè)計(jì)與制備工藝；最后針對新一代微光像增強(qiáng)技術(shù)，對GaAs光電陰極進(jìn)行了回顧與展望。

暫缺《GaAs基光電陰極》作者簡介