集成電路芯片設計

目錄

第1章半導體物理基礎及PN結簡介

1.1半導體物理基礎

1.1.1晶體結構體

1.1.2基元、點陣和晶格

1.1.3原胞、基矢、晶向和晶面

1.1.4能帶的形成

1.1.5鍺、硅和砷化鎵的能帶結構

1.1.6絕緣體、半導體和導體

1.1.7本征半導體、半導體中的載流子、空穴

1.2載流子的輸運

1.2.1擴散運動

1.2.2漂移運動

1.3PN結簡介

1.3.1PN結的形成及其基本特性

1.3.2平衡PN結的能帶結構和載流子分布

1.3.3非平衡PN結的能帶結構和載流子分布

1.3.4PN結的電場和電勢分布

1.4PN結的有關特性

1.4.1PN結的直流特性

1.4.2PN結的電容特性

1.4.3PN結的小信號交流特性

1.4.4PN結的開關特性

1.4.5PN結的擊穿

第2章雙極型器件及集成電路設計

2.1雙極型晶體管的結構

2.2雙極型晶體管的工作原理

2.2.1雙極型晶體管內載流子的輸運過程

2.2.2晶體管的直流特性

2.3雙極型晶體管設計

2.3.1NPN雙極型晶體管的設計要求及預期參數(shù)

2.3.2參數(shù)設計

2.3.3仿真分析

2.4雙極型集成電路設計

2.4.1雙極型集成電路設計基礎

2.4.2雙極型集成電路設計實例

第3章場效應器件及MOS型集成電路設計

3.1MOSFET結構及工作原理

3.1.1半導體表面的特性和理想MOS結構

3.1.2MOSFET結構及其工作原理

3.1.3MOSFET的閾值電壓

3.1.4MOSFET的電流、電壓關系

3.1.5MOSFET的擊穿電壓

3.1.6MOSFET的高頻等效電路和頻率特性

3.2JFET結構及工作原理

3.2.1結型場效應晶體管的工作原理

3.2.2JFET的電流—電壓方程

3.2.3JFET的直流參數(shù)和頻率參數(shù)

3.3場效應器件設計

3.3.1MOSFET的設計要求及預期參數(shù)

3.3.2材料參數(shù)設計

3.3.3仿真分析

3.4MOS型集成電路設計

3.4.1MOS型集成電路設計基礎

3.4.2MOS型集成電路設計實例

第4章大功率器件及功率集成電路設計

4.1大功率器件簡介

4.2大功率器件設計

4.2.1VDMOS耐壓層的設計

4.2.2VDMOS原胞的設計及仿真分析

4.2.3VDMOS的終端結構設計

4.3功率集成技術簡介

4.4功率集成電路設計實例

4.4.1系統(tǒng)方案設計

4.4.2檢測、比較電路模塊

4.4.3控制電路模塊

4.4.4驅動電路模塊

4.4.5保護電路模塊

4.4.6整體電路設計

4.4.7集成智能功率模塊版圖設計

參考文獻

附錄A硅芯片制作、MOS管芯片制造原理、集成電路芯片設計參考視頻

附錄B常用物理常數(shù)

附錄C主要符號表