半導體物理與器件

　　本書涵蓋了量子力學、固體物理及半導體器件等內(nèi)容。全書包括8章內(nèi)容，可以分為三部分。第一部分為半導體基本屬性，包括第1章晶體中的電子運動狀態(tài)、第2章平衡半導體中的載流子濃度、第3章載流子的輸運、第4章過剩載流子。第二部分為半導體器件基礎，包括第5章PN結、第6章金屬半導體接觸和異質(zhì)結、第7章MOS結構及MOSFET器件。第三部分討論專用半導體器件，只有一章，即第8章半導體中的光器件。本書突出物理概念、物理過程和物理圖像，在重點內(nèi)容后均有例題，并編寫了一些利用計算機仿真實現(xiàn)的例題和習題。本書既可作為高等學校電子科學與技術、光電信息工程、微電子技術等專業(yè)本科生的教材，也可作為相關領域工程技術人員的參考資料。

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