模擬集成電路原理及設計

目錄
前言
教學建議
第1章　模擬集成電路中的無源元件1
　1.1　模擬集成電路的工藝基礎1
　1.2　模擬集成電路中的電阻8
　1.3　模擬集成電路中的電容16
　1.4　模擬集成電路中的電感24
　習題35
第2章　結型柵場效應晶體管36
　2.1　JFET的基本原理36
　2.2　JFET的伏安特性40
　2.3　JFET的直流和交流參數(shù)43
　2.4　MESFET的特性46
　2.5　場相關遷移率特性48
　2.6　結型柵場效應管的頻率特性53
　2.7　器件的噪聲特性58
　2.8　JFET和MESFET的結構舉例61
　習題66
第3章　MOSFET67
　3.1　MOSFET的結構和類型68
　3.2　MOSFET的閾值電壓72
　3.3　MOSFET的伏安特性80
　3.4　MOSFET的交流小信號特性87
　3.5　MOSFET的交流小信號等效電路和頻率特性96
　3.6　MOSFET的噪聲特性101
　3.7　MOSFET的擊穿特性104
　3.8　MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結構111
　3.9　MOSFET的溫度特性117
　3.10　短溝道效應120
　3.11　場效應晶體管的設計129
　習題134
第4章　CCD136
　4.1　CCD的工作原理136
　4.2　CCD的基本參數(shù)144
　4.3　成像原理148
　4.4　CCD的改進方式150
　4.5　CCD在模擬電路中的應用151
　習題153
第5章　模擬集成電路器件參數(shù)的提取154
　5.1　歐姆接觸的有關參數(shù)154
　5.2　MOSFET的有關參數(shù)提取159
　5.3　MESFET的有關參數(shù)提取168
　習題175
第6章　CMOS放大器176
　6.1　模擬電路中的MOS器件模型177
　6.2　共源級放大器182
　6.3　共源共柵級198
　6.4　差分放大器204
　習題211
第7章　集成運算放大器212
　7.1　集成運算放大器的構建212
　7.2　集成運算放大器基本模塊分析217
　7.3　集成運算放大器的設計223
　7.4　集成CMOS運算放大器版圖設計227
　7.5　集成CMOS運算放大器的實現(xiàn)232
　習題237
第8章　集成功率放大器238
　8.1　功率放大器的特性和典型電路238
　8.2　集成功率放大器實現(xiàn)的制約分析與設計251
　8.3　全集成CMOS功率放大器的實現(xiàn)255
　8.4　功率放大器的盡限問題261
　8.5　功率放大器研制的新進展265
　習題268
第9章　半導體制造技術269
　9.1　半導體工藝的發(fā)展及CMOS工藝流程269
　9.2　半導體工藝主要工序280
　習題291
附錄　常用物理參數(shù)292
參考文獻293