材料缺陷的先進計算電子結(jié)構(gòu)方法

第1章　固體缺陷與雜質(zhì)電子結(jié)構(gòu)方法的研究進展
第2章　量子蒙特卡羅方法對于固體點缺陷計算的準確性
第3章　多體微擾理論下界面和缺陷的電子性質(zhì)：近期的發(fā)展和應用
第4章　最優(yōu)極化基下GW計算的加速
第5章　屏蔽交換密度泛函下半導體能帶結(jié)構(gòu)和缺陷的計算
第6章　固體的HSE屏蔽雜化
第7章　雜化密度泛函理論下的缺陷能級：理論和應用
第8章　準確的帶隙能級以及對其他缺陷性能計算可靠性的影響
第9章　ZnO、SnO2和TiO2中缺陷的LDA+U和雜化泛函計算
第10章　關于點缺陷計算中帶隙修正的LDA+U方法的客觀評價：以ZnO中的氧空位為例
第11章　運用廣義Koopmans定理的密度泛函計算預測極化子缺陷態(tài)
第12章　密度泛函理論下的其他方法SiO2的計算
第13章　克服寬帶半導體中雙極摻雜困難
第14章　超晶胞中帶電缺陷間的靜電相互作用
第15章　有限溫度下點缺陷的形成能量
第16章　具有緊束速度的精確Kohn-Sham DFT:材料模擬當前技術(shù)和未來方向
第17章　半導體中淺層缺陷超精細相互作用的從頭格林函數(shù)計算
第18章　半導體中點缺陷激發(fā)態(tài)光譜的含時密度泛函理論研究
第19章　選用何種電子結(jié)構(gòu)研究缺陷問題：評注