材料缺陷的先進(jìn)計(jì)算電子結(jié)構(gòu)方法

第1章　固體缺陷與雜質(zhì)電子結(jié)構(gòu)方法的研究進(jìn)展
第2章　量子蒙特卡羅方法對(duì)于固體點(diǎn)缺陷計(jì)算的準(zhǔn)確性
第3章　多體微擾理論下界面和缺陷的電子性質(zhì)：近期的發(fā)展和應(yīng)用
第4章　最優(yōu)極化基下GW計(jì)算的加速
第5章　屏蔽交換密度泛函下半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)和缺陷的計(jì)算
第6章　固體的HSE屏蔽雜化
第7章　雜化密度泛函理論下的缺陷能級(jí)：理論和應(yīng)用
第8章　準(zhǔn)確的帶隙能級(jí)以及對(duì)其他缺陷性能計(jì)算可靠性的影響
第9章　ZnO、SnO2和TiO2中缺陷的LDA+U和雜化泛函計(jì)算
第10章　關(guān)于點(diǎn)缺陷計(jì)算中帶隙修正的LDA+U方法的客觀評(píng)價(jià)：以ZnO中的氧空位為例
第11章　運(yùn)用廣義Koopmans定理的密度泛函計(jì)算預(yù)測(cè)極化子缺陷態(tài)
第12章　密度泛函理論下的其他方法SiO2的計(jì)算
第13章　克服寬帶半導(dǎo)體中雙極摻雜困難
第14章　超晶胞中帶電缺陷間的靜電相互作用
第15章　有限溫度下點(diǎn)缺陷的形成能量
第16章　具有緊束速度的精確Kohn-Sham DFT:材料模擬當(dāng)前技術(shù)和未來(lái)方向
第17章　半導(dǎo)體中淺層缺陷超精細(xì)相互作用的從頭格林函數(shù)計(jì)算
第18章　半導(dǎo)體中點(diǎn)缺陷激發(fā)態(tài)光譜的含時(shí)密度泛函理論研究
第19章　選用何種電子結(jié)構(gòu)研究缺陷問(wèn)題：評(píng)注