晶體生長手冊1：晶體生長及缺陷形成概論

　　多年以來，有很多探索研究已經(jīng)成功地描述了晶體生長的生長工藝和科學(xué)，有許多文章、專著、會議文集和手冊對這一領(lǐng)域的前沿成果做了綜合評述。這些出版物反映了人們對體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長，這是由于它們的電子、光學(xué)、機(jī)械、微結(jié)構(gòu)以及不同的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用引起的。實際上，大部分半導(dǎo)體和光器件的現(xiàn)代成果，如果沒有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶體的發(fā)展則是不可能的。這些文章致力于生長機(jī)制的基本理解、缺陷形成、生長工藝和生長系統(tǒng)的設(shè)計，因此數(shù)量是龐大的。 本手冊針對目前備受關(guān)注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術(shù)水平進(jìn)行闡述。我們的目的是使讀者了解經(jīng)常使用的生長工藝、材料生產(chǎn)和缺陷產(chǎn)生的基本知識。為完成這一任務(wù)，我們精選了50多位頂尖科學(xué)家、學(xué)者和工程師，他們的合作者來自于22個不同國家。這些作者根據(jù)他們的專業(yè)所長，編寫了關(guān)于晶體生長和缺陷形成共計52章內(nèi)容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術(shù)以及一些現(xiàn)代的特別課題。

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