晶體生長手冊1：晶體生長及缺陷形成概論

縮略語Part A晶體生長基礎(chǔ)及缺陷形成1.晶體生長技術(shù)和表征：綜述　1.1發(fā)展歷史　1.2晶體生長理論　1.3晶體生長技術(shù)　1.4晶體缺陷及表征　參考文獻(xiàn)2.表面成核　2.1晶體環(huán)境相平衡　2.2晶核形成及工作機(jī)理　2.3成核率　2.4飽和晶核密度　2.5在同質(zhì)外延中的第二層成核　2.6異質(zhì)外延中的聚集機(jī)理　2.7表面活性劑對成核的影響　2.8結(jié)論與展望　參考文獻(xiàn)3.溶液中的晶體生長形態(tài)　3.1相平衡　3.2晶體的生長相理論　3.3影響晶體特性的因素　3.4表面結(jié)構(gòu)　3.5晶體缺陷　3.6成核動(dòng)力學(xué)一一過飽和　3.7溶劑　3.8雜質(zhì)　3.9其他因素　3.10晶體特性變化過程　3.11小結(jié)　3.A附錄　參考文獻(xiàn)4.晶體生長過程中缺陷的生長及演變　4.1綜述　4.2包晶　4.3條紋和生長區(qū)　4.4位錯(cuò)　4.5孿晶　4.6溶液中快速生長完整晶體　參考文獻(xiàn)5.沒有約束條件下的單晶生長　5.1背景　5.2光滑和粗糙的接觸面：生長機(jī)理和形態(tài)學(xué)　5.3表面微形貌　5.4多面體材料晶體的生長形貌　5.5內(nèi)部形態(tài)　5.6完整單晶　參考文獻(xiàn)6.熔體生長晶體期間缺陷的形成　6.1綜述　6.2點(diǎn)缺陷　6.3位錯(cuò)　6.4第二相粒子　6.5面缺陷　6.6孿晶　6.7總結(jié)　參考文獻(xiàn)