晶體生長(zhǎng)手冊(cè)1：晶體生長(zhǎng)及缺陷形成概論

　　多年以來(lái)，有很多探索研究已經(jīng)成功地描述了晶體生長(zhǎng)的生長(zhǎng)工藝和科學(xué)，有許多文章、專(zhuān)著、會(huì)議文集和手冊(cè)對(duì)這一領(lǐng)域的前沿成果做了綜合評(píng)述。這些出版物反映了人們對(duì)體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長(zhǎng)，這是由于它們的電子、光學(xué)、機(jī)械、微結(jié)構(gòu)以及不同的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用引起的。實(shí)際上，大部分半導(dǎo)體和光器件的現(xiàn)代成果，如果沒(méi)有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶體的發(fā)展則是不可能的。這些文章致力于生長(zhǎng)機(jī)制的基本理解、缺陷形成、生長(zhǎng)工藝和生長(zhǎng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，因此數(shù)量是龐大的。 本手冊(cè)針對(duì)目前備受關(guān)注的體材料晶體和薄膜晶體的生長(zhǎng)技術(shù)水平進(jìn)行闡述。我們的目的是使讀者了解經(jīng)常使用的生長(zhǎng)工藝、材料生產(chǎn)和缺陷產(chǎn)生的基本知識(shí)。為完成這一任務(wù)，我們精選了50多位頂尖科學(xué)家、學(xué)者和工程師，他們的合作者來(lái)自于22個(gè)不同國(guó)家。這些作者根據(jù)他們的專(zhuān)業(yè)所長(zhǎng)，編寫(xiě)了關(guān)于晶體生長(zhǎng)和缺陷形成共計(jì)52章內(nèi)容：從熔體、溶液到氣相體材料生長(zhǎng)；外延生長(zhǎng)；生長(zhǎng)工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術(shù)以及一些現(xiàn)代的特別課題。

暫缺《晶體生長(zhǎng)手冊(cè)1：晶體生長(zhǎng)及缺陷形成概論》作者簡(jiǎn)介