電子信息技術(shù)的理論與應(yīng)用

一、特邀報(bào)告
中國(guó)集成電路材料的發(fā)展和展望
電子微組裝技術(shù)的可靠性研究新進(jìn)展
GaN基電子器件與可靠性研究進(jìn)展
Unified Compact Modeling of Emerging Multiple－Gate MOSFETs
Instability of High-k Dielectric Films and Its Influence on the Reliability of Nanoscale MOS Device
Ferrite-Integrated Inductor for RF IC
二、微電子與元件可靠性
國(guó)產(chǎn)VDMOS輻射效應(yīng)研究
半導(dǎo)體器件的失效率和計(jì)算方法
從硅基裸芯片到微波裸芯片的應(yīng)用研究
在提高芯片電磁兼容性方面的物理設(shè)計(jì)研究
BGA焊點(diǎn)的有限元模擬仿真方法
可制造設(shè)計(jì)及其在深亞微米階段的挑戰(zhàn)
一種改進(jìn)的GCNMOS ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)
質(zhì)子SEU率計(jì)算模型及其對(duì)比
中帶電壓法分離MOSFET氧化層陷阱電荷與界面態(tài)電荷
超高總劑量輻射下SOI MOS器件特性研究
NMOS器件ESD特性模擬
微波功率晶體管的發(fā)展和應(yīng)用前景
環(huán)境溫度對(duì)熱載流子注入效應(yīng)的影響
芯片產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性保障技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)
MOSFET遷移率隨溫度變化關(guān)系研究
PMOSFET中NBTI效應(yīng)的壽命評(píng)價(jià)
ESD應(yīng)力下多指條MOS器件的柵過(guò)耦合效應(yīng)及對(duì)策
ESD加固設(shè)計(jì)的CAD工具
偏置條件對(duì)PMOS器件X射線(xiàn)總劑量效應(yīng)的影響
基于高端應(yīng)用的陶瓷柱柵陣列封裝焊點(diǎn)可靠性
“爆米花”效應(yīng)導(dǎo)致的塑封器件失效及評(píng)價(jià)方法
銅一低k集成技術(shù)的失效模式及失效分析
端口電測(cè)技術(shù)在失效分析定位中的應(yīng)用
GaAs PHEMT器件柵金屬下沉效應(yīng)及其對(duì)性能的影響
無(wú)鉛BGA／有鉛焊錫膏混裝焊點(diǎn)的典型可靠性問(wèn)題
高效同相降壓—升壓DC／DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
一種低電場(chǎng)干擾的FAIMS離子遷移管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
一種新型結(jié)構(gòu)的硅微加速計(jì)的設(shè)計(jì)
聚合物材料中RollS管制物質(zhì)六價(jià)鉻檢測(cè)方法研究
微波組件熱模擬分析方法研究
限波器簧片失效原因分析與對(duì)策
鍍層材料對(duì)鍵合質(zhì)量的影響
淺談提高電子元器件的使用可靠性
LED常見(jiàn)失效模式及機(jī)理研究
固體鉭電解電容器結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)和失效機(jī)理的研究
DC／DC變換器可靠性探討
MLCC的材料、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及常見(jiàn)失效模式
破壞性物理分析（DPA）方法在識(shí)別假冒、翻新集成電路中的應(yīng)用
三、電子設(shè)備質(zhì)量與可靠性
基于模糊Markov過(guò)程的系統(tǒng)可用度分析
星載合成孔徑雷達(dá)電子設(shè)備的力學(xué)環(huán)境適應(yīng)性分析
工作頻率對(duì)有機(jī)復(fù)合絕緣子耐壓性能影響研究
以可靠性為中心的型號(hào)質(zhì)量管理
無(wú)鉛轉(zhuǎn)移的可制造性與可靠性
印制線(xiàn)路板CAF失效分析
純錫鍍層表面晶須評(píng)估方法與對(duì)策
化學(xué)鎳金焊盤(pán)的兩大潛在問(wèn)題及其預(yù)防
波傳輸件鍍銀銹蝕原因探討
四、電子設(shè)計(jì)、制造與控制
基于0.5pLm CMOS工藝的高壓器件研究
IP核設(shè)計(jì)與復(fù)用
一種用于LVDS的高速低功耗8位并串轉(zhuǎn)換器
DDR2 SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
MPEG-2視頻解碼分析器的FPGA設(shè)計(jì)
基于FPGA的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)
LDMOS全耗盡漂移區(qū)的電流計(jì)算方法
半導(dǎo)體器件模擬技術(shù)及軟件發(fā)展與現(xiàn)狀
基于FPGA的SoC芯片軟硬件協(xié)同驗(yàn)證平臺(tái)的設(shè)計(jì)
基于PCCM模式SIMO開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)化設(shè)計(jì)
Ku波段固態(tài)功率放大合成器的仿真設(shè)計(jì)
一種S波段PIN開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)
用于相控陣的模擬移相器設(shè)計(jì)
基于IGBT的雷達(dá)天線(xiàn)伺服控制器設(shè)計(jì)
FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的內(nèi)部邏輯在線(xiàn)測(cè)試技術(shù)研究
一種Verilog—A的SCR簡(jiǎn)潔電路級(jí)模型
基于3-LevelΣ-△調(diào)制器的優(yōu)化設(shè)計(jì)
基于MATLAB的二階鎖相環(huán)誤差響應(yīng)仿真與分析
駕駛員疲勞檢測(cè)系統(tǒng)的SoC的設(shè)計(jì)
……
五、信息與通信技術(shù)
六、計(jì)算機(jī)與軟件工程