現(xiàn)代集成電路制造工藝原理

緒論
第1章 硅材料及襯底制備
1.1 半導(dǎo)體材料的特征與屬性
1.2 半導(dǎo)體材料硅的結(jié)構(gòu)特征
1.3 半導(dǎo)體單晶制備過程中的晶體缺陷
1.4 集成電路技術(shù)的發(fā)展和硅材料的關(guān)系
1.5 關(guān)于半導(dǎo)體硅材料及硅襯底晶片的制備
1.6 半導(dǎo)體硅材料的提純技術(shù)
1.6.1 精餾提純四氯化硅技術(shù)及其提純裝置
1.6.2 精餾提純四氯化硅的基本原理
1.7 直拉法生長硅單晶
1.8 硅單晶的各向異性特征在管芯制造中的應(yīng)用
小結(jié)
習(xí)題與解答
參考文獻(xiàn)
第2章 外延生長工藝原理
2.1 關(guān)于外延生長技術(shù)
2.2 外延生長工藝方法概論
2.2.1 典型的水平反應(yīng)器硅氣相外延生長系統(tǒng)簡介
2.2.2 硅化學(xué)氣相淀積外延生長反應(yīng)過程的一般描述
2.3 常規(guī)硅氣相外延生長過程的動(dòng)力學(xué)原理
2.4 常規(guī)硅氣相外延生長過程的結(jié)晶學(xué)原理
2.5 關(guān)于氣相外延生長的工藝環(huán)境和工藝條件
2.5.1 外延生長過程中的摻雜
2.5.2 外延生長速率與反應(yīng)溫度的關(guān)系
2.5.3 外延生長層內(nèi)的雜質(zhì)分布
2.5.4 外延生長缺陷
2.5.5 外延生長之前的氯化氫氣相拋光
2.5.6 典型的外延生長工藝流程
2.5.7 工業(yè)化外延工序的質(zhì)量控制
2.6 發(fā)生在硅氣相外延生長過程中的二級(jí)效應(yīng)
2.6.1 外延生長過程中基片襯底雜質(zhì)的再分布效應(yīng)
2.6.2 外延生長過程中摻入雜質(zhì)的再分布
小結(jié)
習(xí)題與解答
參考文獻(xiàn)
第3章 氧化介質(zhì)薄膜生長
3.1 氧化硅介質(zhì)膜的基本結(jié)構(gòu)
3.2 二氧化硅介質(zhì)膜的主要性質(zhì)
3.3 氧化硅介質(zhì)膜影響雜質(zhì)遷移行為的內(nèi)在機(jī)理
3.4 氧化硅介質(zhì)膜的熱生長動(dòng)力學(xué)原理
3.5 典型熱生長氧化介質(zhì)膜的常規(guī)生長模式
小結(jié)
習(xí)題與解答
參考文獻(xiàn)
第4章 半導(dǎo)體的高溫?fù)诫s
4.1 固體中的熱擴(kuò)散現(xiàn)象及擴(kuò)散方程
4.2 常規(guī)高溫?zé)釘U(kuò)散的數(shù)學(xué)描述
4.3 常規(guī)熱擴(kuò)散工藝簡介
4.4 實(shí)際擴(kuò)散行為與理論分布的差異
4.5 擴(kuò)散行為的仿真及影響擴(kuò)散行為的效應(yīng)
4.6 深亞微米工藝仿真系統(tǒng)所設(shè)置的小尺寸效應(yīng)模型
小結(jié)
習(xí)題與解答
參考文獻(xiàn)
第5章 離子注入低溫?fù)诫s
5.1 離子注入摻雜技術(shù)的特點(diǎn)
5.2 關(guān)于離子注人技術(shù)的理論描述
……
第6章 薄膜氣相淀積工藝
第7章 圖形光刻工藝原理
第8章 掩模制備工藝原理
第9章 超大規(guī)模集成工藝
第10章 芯片產(chǎn)業(yè)質(zhì)量管理
第11章 現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)術(shù)語詳解
附錄1 現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)縮略語
附錄2 常用數(shù)表