IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論

序
前言
第1章　緒論
　1.1　半導(dǎo)體功率器件與電力電子技術(shù)
　1.2　半導(dǎo)體功率器件及其主要應(yīng)用領(lǐng)域
　1.3　電力電子與民族工業(yè)的振興
　1.4　本書的主要內(nèi)容和章節(jié)安排
第2章　半導(dǎo)體功率器件技術(shù)回顧
　2.1　引言
　2.2　雙極結(jié)型晶體管（BJT）技術(shù)
　2.3　場效應(yīng)晶體管（FFT）技術(shù)
　2.4　MOSFET的發(fā)展歷程
　2.5　絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
　2.6　其他半導(dǎo)體功率器件
　2.7　半導(dǎo)體新材料和新器件
　2.8　IGBT等半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用
　2.9　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第3章　IGBT的工作機(jī)理分析
　3.1　引言
　3.2　IGBT的基本結(jié)構(gòu)及輸出，I-V特性
　3.3　IGBT工作機(jī)理的數(shù)值分析
　3.4 IGBT重要電性能參數(shù)的分析和優(yōu)化設(shè)計
　3.5　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第4章　IGBT準(zhǔn)數(shù)值分析模型
　4.1　引言
　4.2 IGBT n-區(qū)壓降計算的準(zhǔn)數(shù)值模型
　4.3 IGBT n-區(qū)壓降計算的PIN二極管模型
　4.4 IGBT樣品測量與模型計算的比較
　4.5　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第5章　IGBT的等效電路模型
　5.1　引言
　5.2 IGBT等效電路的建立
　5.3 IGBT n-區(qū)電阻的VCR模型
　5.4 IGBT等效電路模型參數(shù)的非破壞測試和提取
　5.5　模擬與測量的比較與討論
　5.6　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第6章　IGBT的開關(guān)特性和溫度效應(yīng)
　6.1　引言
　6.2　IGBT關(guān)斷特性的分析
　6.3　IGBT溫度效應(yīng)的分析
　6.4　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第7章　平面工藝IGBT設(shè)計與制作
　7.1　引言
　7.2　半導(dǎo)體功率器件的襯底材料
　7.3　平面工藝IGBT設(shè)計與制作
　7.4　全自對準(zhǔn)淺結(jié)平面工藝IGBT設(shè)計
　7.5　制作芯片的測試與結(jié)果分析
　7.6　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第8章　Trench Gate（槽柵）IGBT結(jié)構(gòu)和工藝
　8.1 Trench工藝的提出
　8.2 Trench工藝的發(fā)展
　8.3 Trench的幾種結(jié)構(gòu)
　8.4 Trench結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢與不足
　8.5　難熔金屬硅化物工藝
　8.6　全自對準(zhǔn)Trench Gate IGBT結(jié)構(gòu)與工藝設(shè)計
　8.7　電力電子新器件與新工藝
　8.8　小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第9章　pn結(jié)擊穿與終端保護(hù)技術(shù)
主要符號表