二氧化鈦半導(dǎo)體光催化材料離子摻雜

前言
第一章 二氧化鈦半導(dǎo)體光催化技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用
　1.1 半導(dǎo)體光催化技術(shù)的發(fā)展
　1.2 半導(dǎo)體光催化機理
　1.3 半導(dǎo)體催化劑的制備方法
　1.4 半導(dǎo)體光催化劑的改性
　1.5 二氧化鈦半導(dǎo)體光催化劑的應(yīng)用
第二章 半導(dǎo)體光催化的物理基礎(chǔ)
　2.1 晶體中能帶的形成
　2.2 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
　2.3 半導(dǎo)體載流子統(tǒng)計分布
　2.4 摻雜離子能級
　2.5 載流子的復(fù)合理論和陷阱效應(yīng)
第三章 離子摻雜對二氧化鈦光催化活性的影響
　3.1 廢水模型物與離子摻雜效果的關(guān)系
　3.2 摻雜離子類型對光催化活性的影響
　3.3 離子摻雜濃度的影響
第四章 離子化學(xué)性質(zhì)與摻雜活性的關(guān)系
　4.1 離子半徑與價態(tài)的影響
　4.2 離子穩(wěn)定氧化態(tài)的電子親和勢與光催化活性的關(guān)系
　4.3 離子電荷與半徑的比值與光催化活性的關(guān)系
　4.4 氧化物的生成焓與光催化活性的關(guān)系
　4.5 元素的電子親和能與光催化活性的關(guān)系
　4.6 元素的第一電離能與光催化活性的關(guān)系
　4.7 離子的電子構(gòu)型與光催化活性的關(guān)系
　4.8 離子摻雜濃度與光催化活性的關(guān)系
第五章 二氧化鈦離子摻雜的XRD研究
　5.1 XRD原理
　5.2 二氧化鈦XRD研究
　5.3 離子種類-TiO2物相一光催化活性的關(guān)系
　5.4 離子摻雜濃度-TiO2物相一光催化活性的關(guān)系
第六章 二氧化鈦離子摻雜的正電子湮沒研究
　6.1 正電子湮沒原理
　6.2 正電子壽命的影響因素
　6.3 二氧化鈦正電子湮沒圖譜
　6.4 離子摻雜對二氧化鈦正電子湮沒壽命譜的影響
　6.5 離子摻雜二氧化鈦正電子壽命譜與光催化活性的關(guān)系
第七章 離子摻雜對二氧化鈦半導(dǎo)體本征吸收的影響
　7.1 二氧化鈦的本征吸收
　7.2 離子摻雜對二氧化鈦半導(dǎo)俸本征吸收的影響
　7.3 摻雜離子濃度對二氧化鈦半導(dǎo)體本征吸收的影響
第八章 二氧化鈦半導(dǎo)體離子摻雜能級模型
　8.1 二氧化鈦半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)
　8.2 固液界面半導(dǎo)體能帶模型
　8.3 離子摻雜陷阱／捕獲模型
　8.4 摻雜離子能級的吸收光譜研究
第九章 二氧化鈦半導(dǎo)體薄膜離子摻雜研究
　9.1 引言
　9.2 實驗研究方法
　9.3 二氧化鈦薄膜熱處理溫度的影響
　9.4 不同載體表面二氧化鈦薄膜離子摻雜行為研究
第十章 二氧化鈦薄膜離子摻雜與載體交互效應(yīng)研究
　10.1 載體一摻雜離子濃度一脫色率的關(guān)系
　10.2 離子摻雜對二氧化鈦薄膜吸收光譜的影響
　10.3 二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)的影響
　10.4 二氧化鈦薄膜與載體間的雙電層結(jié)構(gòu)
　10.5 離子摻雜與載體作用的能帶模型
參考文獻