數(shù)字集成電路分析與設(shè)計(jì)：深亞微米工藝

第1章深亞微米數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)
1.1緒論
1.2集成電路產(chǎn)業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史
1.3數(shù)字邏輯門(mén)設(shè)計(jì)的回顧
1.3.1基本的邏輯函數(shù)
1.3.2邏輯電路的實(shí)現(xiàn)
1.3.3噪聲容限的定義
1.3.4瞬態(tài)特性的定義
1.3.5功耗估算
1.4數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)
1.4.1MOS晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理
1.4.2CMOS與NMOS
1.4.3深亞微米互連
1.5數(shù)字電路的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)
1.5.1電路模擬和分析
*1.6面臨的挑戰(zhàn)
1.7小結(jié)
1.8參考文獻(xiàn)
1.9習(xí)題
第2章MOS晶體管
2.1緒論
2.2MOS晶體管的結(jié)構(gòu)和原理
2.3MOS晶體管的閾值電壓
2.4一次電流-電壓特性
2.5速度飽和公式的來(lái)源
2.5.1高電場(chǎng)的影響
2.5.2速度飽和器件的電流公式
*2.6a功率定律模型
2.7閾值傳導(dǎo)
2.8MOS晶體管的電容
2.8.1薄氧化物電容
2.8.2pn結(jié)電容
2.8.3覆蓋電容
2.9小結(jié)
2.10參考文獻(xiàn)
2.11習(xí)題
第3章制造.版圖和模擬
3.1緒論
3.2IC制造工藝
3.2.11C制造工藝概述
3.2.21C光刻工藝
3.2.3晶體管的制造
3.2.4制造連線
3.2.5連線電容和電阻
3.3版圖基礎(chǔ)
3.4電路模擬中MOS晶體管的模型構(gòu)造
3.4.1SPICE中的MOS模型
3.4.2MOS晶體管的具體說(shuō)明
3.5SPICEMOSLEVELl器件模型
3.5.1MOSLEVEL1參數(shù)的提取
*3.6BSIM3模型
3.6.1BSIM3中的加載過(guò)程
3.6.2短溝道閾值電壓
3.6.3遷移率模型
3.6.4線性區(qū)和飽和區(qū)
3.6.5亞閾值電流
3.6.6電容模型
3.6.7源/漏電阻
*3.7MOS晶體管中的附加效應(yīng)
3.7.1產(chǎn)品中的參數(shù)變化
3.7.2溫度效應(yīng)
3.7.3電源變化
3.7.4電壓極限
3.7.5CMOS閂鎖
*3.8絕緣體上的硅工藝
*3.9SPICE模型小結(jié)
3.10參考文獻(xiàn)
3.11習(xí)題
第4章MOS反相器電路
4.1緒論
4.2電壓傳輸特性
4.3噪聲容限的定義
4.3.1單源噪聲容限(SSNM)
4.3.2多源噪聲容限(MSNM)
4.4電阻負(fù)載反相器的設(shè)計(jì)
4.5NMOS晶體管作為負(fù)載器件
4.5.1飽和增強(qiáng)型負(fù)載
4.5.2線性增強(qiáng)型負(fù)載
4.63互補(bǔ)MOS(CMOS)反相器
4.6.1CMOS反相器的直流分析
4.6.2CMOS反相器的版圖設(shè)計(jì)
4.7偽NMOS反相器
4.8反相器的尺寸確定
4.9三態(tài)反相器
4.10小結(jié)
4.11參考文獻(xiàn)
4.12習(xí)題
第5章靜態(tài)MOS門(mén)電路
5.1緒論
5.2CMOS門(mén)電路
5.2.1基本的CMOS門(mén)的尺寸確定
5.2.2扇人和扇出研究
5.2.3CMOS門(mén)的電壓傳輸特性
5.3復(fù)雜的CMOS門(mén)
5.4異或門(mén)和同或門(mén)
5.5多路選擇器電路
5.6觸發(fā)器和鎖存器
5.6.1基本的雙穩(wěn)態(tài)電路
5.6.2SR鎖存器
5.6.3JK觸發(fā)器
5.6.4主從JK觸發(fā)器
5.6.5邊沿觸發(fā)的JK觸發(fā)器
5.7D觸發(fā)器和D鎖存器
5.8CMOS門(mén)電路的功耗
5.8.1動(dòng)態(tài)(轉(zhuǎn)換)功耗
5.8.2靜態(tài)(待機(jī))功耗
5.8.3完整的功耗公式
5.9功耗和延遲的折中
5.10小結(jié)
5.11參考文獻(xiàn)
5.12習(xí)題
第6章高速CMOS邏輯設(shè)計(jì)
6.1緒論
6.2轉(zhuǎn)變時(shí)間分析
6.2.1再次討論門(mén)的尺寸--速度飽和效應(yīng)
6.3負(fù)載電容的詳細(xì)計(jì)算
6.3.1門(mén)扇出電容
6.3.2自身電容計(jì)算
6.3.3連線電容
6.4斜波輸人情況下改善延遲計(jì)算
6.5針對(duì)最佳路徑延遲確定門(mén)的尺寸
6.5.1最佳延遲問(wèn)題
6.5.2反相器鏈延遲最優(yōu)化--F04延遲
6.5.3包含與非門(mén)和或非門(mén)的路徑優(yōu)化
6.6用邏輯強(qiáng)度優(yōu)化路徑
6.6.1邏輯強(qiáng)度的導(dǎo)出
6.6.2理解邏輯強(qiáng)度
6.6.3分支強(qiáng)度和旁路負(fù)載
6.7小結(jié)
6.8參考文獻(xiàn)
6.9習(xí)題
第7章傳輸門(mén)和動(dòng)態(tài)邏輯設(shè)計(jì)
7.1緒論
7.2基本概念
7.2.1傳輸管
7.2.2電容饋通
7.2.3電荷共享
7.2.4電荷丟失的其他途徑
7.3CMOS傳輸門(mén)邏輯
7.3.1使用CMOS傳輸門(mén)的多路器
7.3.2CMOS傳輸門(mén)延遲
7.3.3CMOS傳輸門(mén)的邏輯強(qiáng)度
7.4動(dòng)態(tài)D鎖存器和D觸發(fā)器
7.5多米諾邏輯
7.5.1多米諾門(mén)的邏輯強(qiáng)度
7.5.2多米諾邏輯的局限性
7.5.3軌(差分)多米諾邏輯
7.5.4自復(fù)位電路
7.6小結(jié)
7.7參考文獻(xiàn)
7.8習(xí)題
第8章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)
8.1緒論
8.1.1存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
8.1.2存儲(chǔ)器類型
8.1.3存儲(chǔ)器時(shí)間參數(shù)
8.2MOS譯碼器
8.3靜態(tài)RAM單元設(shè)計(jì)
8.3.1靜態(tài)存儲(chǔ)器操作
8.3.2讀操作
8.3.3寫(xiě)操作
8.3.4SRAM單元版圖
8.4SRAM列UO電路
8.4.1列上拉電路
8.4.2列選擇
8.4.3寫(xiě)電路
8.4.4讀電路
8.5存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)
8.6小結(jié)
8.7參考文獻(xiàn)
8.8習(xí)題
第9章存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)中的其他課題
9.1緒論
*9.2內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器
*9.3現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列
9.4動(dòng)態(tài)讀瀉存儲(chǔ)器
9.4.1三管動(dòng)態(tài)單元
9.4.2單管動(dòng)態(tài)單元
9.4.3動(dòng)態(tài)RAM的外部特性
9.5只讀存儲(chǔ)器
9.5.1MOSROM單元陣列
9.6EPROM和E2PROM
*9.7Flash存儲(chǔ)器
*9.8FRAM
9.9小結(jié)
9.10參考文獻(xiàn)
9.11習(xí)題
第10章連線設(shè)計(jì)
10.1緒論
10.2連線的RC延遲
10.2.1導(dǎo)線電阻
10.2.2艾蒙延遲的計(jì)算
10.2.3長(zhǎng)導(dǎo)線的RC延遲
10.3超長(zhǎng)導(dǎo)線的緩沖器插入
10.4連線的耦合電容
10.4.1耦合電容的構(gòu)成
10.4.2耦合對(duì)延遲的影響
10.4.3電容噪聲或串?dāng)_
*10.5連線的電感
*10.6天線效應(yīng)
10.7小結(jié)
10.8參考文獻(xiàn)
10.9習(xí)題
第11章電源網(wǎng)格和時(shí)鐘設(shè)計(jì)
11.1緒論
11.2電源分布設(shè)計(jì)
11.2.11R壓降和Ldi/dt
11.2.2電遷移
11.2.3電源布線要考慮的問(wèn)題
11.2.4去耦電容設(shè)計(jì)
11.2.5電源分布設(shè)計(jì)舉例
11.3時(shí)鐘和時(shí)序問(wèn)題
11.3.1時(shí)鐘定義和量度
11.3.2時(shí)鐘偏斜
11.3.3噪聲對(duì)時(shí)鐘和觸發(fā)器的影響
11.3.4時(shí)鐘的功耗
11.3.51t寸鐘發(fā)生器
11.3.6高性能設(shè)計(jì)中的時(shí)鐘分布
11.3.7時(shí)鐘分布網(wǎng)絡(luò)舉例
*11.4鎖相環(huán)／鎖延遲環(huán)
11.4.1PLL設(shè)計(jì)考慮
11.4.2時(shí)鐘分布總結(jié)
11.5參考文獻(xiàn)
11.6習(xí)題
附錄ASPICE的簡(jiǎn)要介紹
附錄B極型晶體管和電路