納米電子學(xué)

第1章 緒論
1.1 引言
1.2 微電子技術(shù)現(xiàn)狀和極限
1.2.1 微電子技術(shù)的發(fā)展
1.2.2 傳統(tǒng)器件的基本極限
1.2.3 傳統(tǒng)集成電路進(jìn)一步小型化的技術(shù)障礙
1.3 納米結(jié)構(gòu)中的新現(xiàn)象
1.3.1 彈道輸運(yùn)
1.3.2 相位干涉
1.3.3 普適電導(dǎo)漲落
1.3.4 弱局域化
1.3.5 載流子熱化
1.3.6 隧穿現(xiàn)象
1.3.7 單電子現(xiàn)象與庫(kù)侖阻斷
1.4 特征時(shí)間、空間尺度
1.4.1 特征長(zhǎng)度
1.4.2 系統(tǒng)尺度與半導(dǎo)體材料特征參數(shù)
參考文獻(xiàn)
第2章 納米電子結(jié)構(gòu)及其電子態(tài)
2.1 引言
2.2 低維限制系統(tǒng)
2.2.1 二維電子氣
2.2.2 一維限制系統(tǒng)
2.2.3 零維系統(tǒng)
2.2.4 量子點(diǎn)接觸
2.2.5 反點(diǎn)格子
2.2.6 超小隧道結(jié)
2.3 低維系統(tǒng)中電子態(tài)描述方法
2.3.1 引言
2.3.2 包絡(luò)函數(shù)方法
2.3.3 量子阱與準(zhǔn)二維系統(tǒng)中的電子態(tài)
2.3.4 耦合量子阱與超晶格
2.3.5 摻雜異質(zhì)結(jié)系統(tǒng)與自洽解
2.4 納米限制結(jié)構(gòu)中的電子態(tài)
2.4.1 量子線中的電子態(tài)
2.4.2 量子點(diǎn)中的電子態(tài)
2.4.3 量子點(diǎn)中的電子統(tǒng)計(jì)
2.5 磁場(chǎng)對(duì)納米結(jié)構(gòu)電子態(tài)的影響
2.5.1 磁場(chǎng)中的2DEG
2.5.2 處于磁場(chǎng)中的1D波導(dǎo)：邊沿態(tài)
2.5.3 磁場(chǎng)中的量子點(diǎn)
2.5.4 量子點(diǎn)的能譜
參考文獻(xiàn)
第3章 納米電子器件輸運(yùn)理論
3.1 引言
3.2 隧穿理論
3.2.1 隧穿的波函數(shù)描述方法
3.2.2 隧穿時(shí)間
3.2.3 隧穿電流
3.2.4 量子化電荷隧穿
3.3 Landauer公式
3.3.1 單通道形式
3.3.2 多通道Landauer公式
3.3.3 Büttiker 公式
3.3.4 Landauer公式討論
3.4 納米結(jié)構(gòu)中的量子化電導(dǎo)
3.4.1 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與定性解釋
3.4.2 絕熱輸運(yùn)模型
3.4.3 溫度的效應(yīng)
3.4.4 非均勻效應(yīng)
3.4.5 非線性輸運(yùn)
3.4.6 應(yīng)用Landauer公式的條件
3.5 復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)中的輸運(yùn)
3.5.1 引言
3.5.2 S矩陣組合方法
3.5.3 格林函數(shù)
3.5.4 模式匹配方法
3.5.5 拐彎波導(dǎo)的輸運(yùn)
3.5.6 橫向共振隧穿
3.5.7 耦合波導(dǎo)
參考文獻(xiàn)
第4章 共振隧穿現(xiàn)象與器件
4.1 引言
4.2 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的共振隧穿現(xiàn)象
4.2.1 結(jié)構(gòu)與現(xiàn)象概述
4.2.2 共振隧穿機(jī)理
4.2.3 負(fù)微分電阻起源
4.3 共振隧穿器件輸運(yùn)理論
4.3.1 引言
4.3.2 RTD相干隧穿理論
4.3.3 發(fā)射極態(tài)的量子化與2D 2D共振隧穿
4.3.4 雙勢(shì)阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)共振隧穿
4.3.5 散射破壞相位干涉與相繼隧穿
4.4 RTD器件特性分析
4.4.1 引言
4.4.2 散射因素對(duì)器件性能的影響
4.4.3 瞬態(tài)特性分析 隧穿時(shí)間
4.4.4 材料和結(jié)構(gòu)對(duì)器件性能的影響
4.5 RTD器件模型
4.5.1 電路模擬RTD器件模型
4.5.2 物理基礎(chǔ)RTD模型
4.6 共振隧穿器件的應(yīng)用
4.6.1 RTD在高速電路中的應(yīng)用
4.6.2 RTD在功能電路中的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第5章 單電子現(xiàn)象與器件
5.1 引言
5.1.1 單電荷現(xiàn)象產(chǎn)生條件
5.1.2 單電子系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)及類型
5.2 單電荷輸運(yùn)的唯象理論
5.2.1 單電子隧穿率
5.2.2 相繼隧穿的主方程
5.2.3 高階隧穿過(guò)程
5.3 隧道結(jié)偏置方式
5.3.1 電流偏置單個(gè)隧道結(jié)
5.3.2 電壓偏置單電荷隧道結(jié)
5.3.3 充電能
5.3.4 單隧道結(jié)的局部與整體觀點(diǎn)
5.4 環(huán)境描述方法
5.4.1 經(jīng)典描述方法
5.4.2 LC電路的量子力學(xué)
5.4.3 與環(huán)境耦合隧道結(jié)系統(tǒng)的哈密頓量
5.5 單隧道結(jié)的電子隧穿率
5.5.1 隧穿哈密頓量
5.5.2 隧穿率計(jì)算
5.5.3 相位－相位相關(guān)函數(shù)和環(huán)境阻抗
5.5.4 P(E)的普遍性質(zhì)
5.5.5 電流－電壓特性
5.5.6 低阻抗環(huán)境
5.5.7 高阻抗環(huán)境
5.6 環(huán)境耦合例子
5.6.1 單模式環(huán)境耦合
5.6.2 歐姆阻抗
5.6.3 具有有限品質(zhì)因子的模型
5.6.4 傳輸線
5.6.5 LC傳輸線
5.6.6 RC傳輸線
5.7 雙隧道結(jié)系統(tǒng)
5.7.1 島電荷模式
5.7.2 網(wǎng)絡(luò)分析方法
5.7.3 雙隧道結(jié)系統(tǒng)隧穿率
5.7.4 低阻抗環(huán)境中的雙隧道結(jié)系統(tǒng)
5.7.5 高阻抗環(huán)境中的雙隧道結(jié)系統(tǒng)
5.7.6 雙隧道結(jié)系統(tǒng)的電流－電壓特性
5.7.7 庫(kù)侖臺(tái)階
5.8 單電子器件
5.8.1 小隧道結(jié)電路描述方法
5.8.2 單電子盒
5.8.3 單電子陷阱
5.8.4 單電子晶體管
5.8.5 單電子旋轉(zhuǎn)門
5.8.6 單電子泵
5.8.7 多隧道結(jié)電路
5.9 單電子器件在模擬電路中的應(yīng)用
5.9.1 超靈敏電表
5.9.2 單電子能譜儀
5.9.3 直流電流標(biāo)準(zhǔn)
5.9.4 溫度標(biāo)準(zhǔn)
5.9.5 紅外輻射探測(cè)器
5.10 單電子器件在數(shù)字電路中的應(yīng)用
5.10.1 邏輯電路
5.10.2 單電子存儲(chǔ)器
參考文獻(xiàn)
第6章 半導(dǎo)體量子點(diǎn)器件
6.1 引言
6.2 量子點(diǎn)系統(tǒng)的共振隧穿
6.2.1 低維共振隧穿結(jié)構(gòu)
6.2.2 三維S矩陣?yán)碚?
6.2.3 橫向模式守恒與不守恒共振隧穿
6.2.4 面積可變共振隧穿器件
6.2.5 三維限制對(duì)于隧穿特性的影響
6.2.6 通過(guò)單雜質(zhì)態(tài)的隧穿
6.2.7 一維共振隧穿二極管
6.3 量子點(diǎn)系統(tǒng)的單電子現(xiàn)象
6.3.1 能級(jí)量子化對(duì)于單電子隧穿的影響
6.3.2 量子點(diǎn)庫(kù)侖振蕩周期
6.3.3 量子點(diǎn)庫(kù)侖振蕩幅值與線型
6.3.4 量子點(diǎn)非線性輸運(yùn)
6.3.5 量子點(diǎn)其他輸運(yùn)理論工作綜述
6.3.6 庫(kù)侖振蕩的線性響應(yīng)
6.3.7 單個(gè)橫向量子點(diǎn)非線性輸運(yùn)區(qū)
6.3.8 共振隧穿與庫(kù)侖阻塞的互相影響
6.4 耦合量子點(diǎn)系統(tǒng)
6.4.1 靜電耦合量子點(diǎn)
6.4.2 隧道耦合量子點(diǎn)
6.4.3 耦合量子點(diǎn)的譜技術(shù)
6.4.4 通過(guò)多量子點(diǎn)的相干隧穿
6.5 量子點(diǎn)輸運(yùn)的交流特性
6.5.1 半導(dǎo)體量子點(diǎn)電子旋轉(zhuǎn)門
6.5.2 非絕熱區(qū)；Tien Gordon理論
6.5.3 量子點(diǎn)的光電流譜
6.5.4 雙量子點(diǎn)中的Rabi諧振
6.6 量子點(diǎn)計(jì)算
6.6.1 引言
6.6.2 QCA的量子模擬
6.6.3 QCA陣列開(kāi)關(guān)
6.6.4 流水線（Pipelining）操作絕熱開(kāi)關(guān)電路
6.6.5 QCA的可能實(shí)現(xiàn)方法
6.6.6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第7章 納米CMOS技術(shù)
7.1 引言
7.2 納米CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)
7.2.1 電源電壓和閾值電壓
7.2.2 柵氧化層
7.2.3 高場(chǎng)效應(yīng)
7.2.4 雜質(zhì)隨機(jī)分布效應(yīng)
7.2.5 互連線延遲
7.3 納米CMOS的新器件結(jié)構(gòu)〖WT〗
7.3.1 SOI CMOS
7.3.2 SiGe CMOS
7.3.3 低溫 CMOS
7.3.4 雙柵CMOS
7.3.5 環(huán)柵 CMOS
7.3.6 動(dòng)態(tài)閾值CMOS
7.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章 納米電子結(jié)構(gòu)與器件的噪聲
8.1 引言
8.1.1 納米器件穩(wěn)固性
8.1.2 介觀系統(tǒng)中的噪聲
8.2 納米器件中的散粒噪聲及其抑制
8.2.1 電流漲落
8.2.2 散粒噪聲的散射理論
8.2.3 簡(jiǎn)單納米結(jié)構(gòu)中的散粒噪聲
8.2.4 散粒噪聲的動(dòng)力學(xué)理論
8.2.5 相位破壞、熱化和非彈性散射
8.2.6 傳導(dǎo)電荷統(tǒng)計(jì)
8.2.7 雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的散粒噪聲抑制
8.2.8 量子點(diǎn)中的散粒噪聲抑制
8.2.9 無(wú)序金屬中的散粒噪聲抑制
8.3 納米器件中的1/ f 噪聲〖WT〗
8.3.1 介觀系統(tǒng)中的1/ f 噪聲
8.3.2 單電子器件1/ f α 噪聲產(chǎn)生機(jī)理
8.4 單電子晶體管背景電荷噪聲控制
8.4.1 引言
8.4.2 BCN的一般特性
8.4.3 利用改變晶體管設(shè)計(jì)降低噪聲
8.4.4 討論
8.5 噪聲用于單電子電路可靠性表征
8.5.1 引言
8.5.2 Eb/N0BET特征
8.5.3 Eb/N0BER表征單電子電路可靠性
8.6 單電子器件低噪聲化技術(shù)
8.6.1 低噪聲化設(shè)計(jì)
8.6.2 噪聲分析與結(jié)論
8.7 單電子器件優(yōu)化設(shè)計(jì)技術(shù)
8.7.1 納米結(jié)構(gòu)自加熱模型
8.7.2 單電子器件的電流特性
8.7.3 單電子器件中的電荷噪聲
8.7.4 單電子器件島尺寸綜合優(yōu)化技術(shù)
參考文獻(xiàn)
主要參考書(shū)目