電力電子器件原理與設(shè)計

主要符號表
第一章 電力電子器件的發(fā)展概況
1.1 雙極功率晶體管
1.2 晶閘管與可關(guān)斷晶閘管（GTO）
1.3 MOS控制晶閘管（MCT）
1.4 功率MOSFET
1.5 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
1.6 靜電感應(yīng)晶體管（SIT）與靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）
1.7 功率集成電路（PIC）
參考文獻(xiàn)
第二章 巨型晶體管（GTR）
2.1 達(dá)林頓晶體管
2.2 功率達(dá)林頓器件的版圖設(shè)計方法
2.3 功率達(dá)林頓器件的給向結(jié)構(gòu)與參數(shù)設(shè)計
2.4 功率達(dá)林頓晶體管的特性曲線
2.5 GTR模塊及其特點(diǎn)
2.6 GTR的芯片設(shè)計
2.7 GTR的結(jié)構(gòu)設(shè)計
2.8 GTR模塊的并聯(lián)作用
習(xí)題與思考題
參考文獻(xiàn)
第三章 晶閘管與GTO
3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)及工作原理
3.2 晶閘管的主要參數(shù)及性能
3.3 晶閘管的派生器件
3.4 GTO的結(jié)構(gòu)及最新技術(shù)概況
3.5 GTO的電特性與基本工作原理
3.6 六極關(guān)斷能力及再導(dǎo)通機(jī)理的分析
3.7 大容量GTO的設(shè)計與制造
3.8 GTO的改進(jìn)
習(xí)題與思考題
第四章 MOS控制晶閘管（MCT）
4.1 MCT的結(jié)構(gòu)及工作原理
4.2 MCT關(guān)斷能力的分析
4.3 MCT的設(shè)計方法
4.4 MCT器件的改進(jìn)與發(fā)展
習(xí)題與思考題
參考文獻(xiàn)
第五章 功率MOSFET
5.1 功率MOSFET的種類
5.2 高壓VDMOS器件的結(jié)構(gòu)及工作原理
5.3 高壓VDMOS器件的主要電學(xué)參數(shù)
5.4 高壓VDMOS器件的設(shè)計方法
5.5 功率VDMOSFET設(shè)計考慮
習(xí)題與思考題
參考文獻(xiàn)
第六章 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
6.1 IGBT器件的結(jié)構(gòu)及工作原理
6.2 IGBT器件的特性
……
第七章 靜電感應(yīng)晶體管（SIT）
第八章 靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）
第九章 功率集成電路（PIC）
第十章 電力電子器件的計算機(jī)模擬