單片機外圍器件實用手冊

目錄 第一章易失性存儲器
1.1 靜態(tài)讀寫存儲器SRAM
1.1.1 16 Kb SRAM系列
1.1.1.1 CMOS 20腳SRAM(16 K×1位)：21C67
1.1.1.2 CMOS 20腳SRAM(4 K×4位)：6168
1.1.1.3 CMOS 24腳SRAM(2 K×8位)：6116
1.1.1.4 CMOS 24腳SRAM(2 K×8位)：6117/6118
1.1.2 64 Kb SRAM系列
1.1.2.1 CMOS 22腳SRAM(16 K×4位)：7188
1.1.2.2 CMOS 22腳SRAM(16 K×4位)：1620
1.1.2.3 CMOS 24腳SRAM(16 K×4位)：1624
1.1.2.4 CMOS 28腳SRAM(8 K×8位)：6264
1.1.2.5 CMOS 28腳SRAM(8 K×8位)：7165
1.1.3 72 Kb SRAM系列
1.1.3.1 CMOS 28腳SRAM(8 K×9位)：81C79
1.1.4 256 Kb SRAM系列
1.1.4.1 CMOS 24腳SRAM(256 K×1位)：81C81
1.1.4.2 CMOS 24腳SRAM(256 K×1位)：1800
1.1.4.3 CMOS 24腳SRAM(64 K×4位)：81C84
1.1.4.4 CMOS 28腳SRAM(32 K×8位)：62256
1.1.5 1 Mb SRAM系列
1.1.5.1 CMOS 28腳SRAM(256 K×4位)：521002
1.1.5.2 CMOS 32腳SRAM(128 K×8位)：628128
1.1.5.3 CMOS 52腳SRAM(64 K×18位)：521028
1.1.6 靜態(tài)讀寫存儲器SRAM器件索引
1.2 偽靜態(tài)讀寫存儲器PSRAM
1.2.1 256Kb CMOS 28腳偽SRAM(32 K×8位)：65256
1.2.2 512 Kb CMOS 32腳偽SRAM(64 K×8位)：5864
1.2.3 1Mb CMOS 32腳偽SRAM(128 K×8位)：658128
1.2.4 4 Mb CMOS 32腳偽SRAM(512 K×8位)：58512
1.2.5 偽靜態(tài)讀寫存儲器PSRAM器件索引
1.3 動態(tài)讀寫存儲器DRAM
1.3.1 動態(tài)讀寫存儲器技術的發(fā)展
1.3.2 DRAM的工作原理
1.3.3 1 Mb DSRAM系列
1.3.3.1 CMOS頁面方式DRAM(1M×1位)：
MCM511000／51L1000
1.3.3.2 CMOS頁面方式DRAM(256 K×4位)：
MCM514256A／51L4256A
1.3.4 4 Mb DRAM系列
1.3.4.1 CMOS快速頁面方式DRAM(4M×1位)：
MCM44100B／4L4100B
1.3.4.2 CMOS頁面方式DRAM(1M×4位)：
MCM44400B／4L4400B …
1.3.5 16 Mb DRAM系列
1.3.5.1 CMOS快速頁面方式DRAM：
MCM516100/MCM516400/MCM517400
1.3.5.2 CMOS快速頁面方式DRAM：
MCM516160A/518160A和
MCM516180A/518180A
1.3.6 動態(tài)讀寫存儲器DRAM器件索引
第二章 非易失性存儲器
2.1 可紫外線擦除可編程只讀存儲器EPROM和
一次性編程ROM
2.1.1 16 Kb EPROM/PROM系列
2.1.1.1 (4 K×4位)20腳TTL高速PROM 7133
2.1.1.2 (4 K×4位)20腳TTL高速PROM 63S1640/41
2.1.1.3 (2 K×8位)22腳TTL高速PROM 7135
2.1.1.4 (2 K×8位)24腳TTL高速PROM 631680/81
2.1.1.5 (2 K×8位)24腳TTL PROM 7616
2.1.1.6 (2 K×8位)24腳NMOS
EPROM 2716/CMOS EPROM 27C16
2.1.1.7 (2 K×8位)24腳NMOS EPROM TMS2716
2.1.2 32 Kb EPROM/PROM系列
2.1.2.1 (4 K×8位)24腳NMOS
EPROM 2732／CMOS EPROM 27C32
2.1.3 64 Kb EPROM／PROM 系列
2.1.3.1 (8 K×8位)28腳NMOS
EPROM 2764/CMOS EPROM 27C64 …
2.1.3.2 (8 K×8位)28腳帶鎖存器
CMOS EPROM 87C64
2.1.4 128 Kb EPROM／PROM 系列
2.1.4.1 (16 K×8位)28腳
NMOS EPROM 27128/CMOS EPROM 27C128
2.1.4.2 (16 K×8位)28腳 CMOS EPROM TMS27C128
2.1.5 256 Kb EPROM/PROM系列
2.1.5.1 (32 K×8位)28腳
NMOS EPROM 27256/CMOS EPROM 27C256
2.1.5.2 (32 K×8位)28腳
帶鎖存器CMOS EPROM 87C256
2.1.6 512 Kb EPROM/PROM系列
2.1.6.1(64 K×8位)28腳
NMOS EPROM 27512/CMOS EPROM 27C512
2.1.6.2 (4×16 K×8位)28腳
NMOS頁尋址EPROM 27513
2.1.7 1 Mb EPROM/PROM系列
2.1.7.1 (128 K×8位)32腳
NMOS EPROM 27010/CMOS EPROM 27C010
2.1.7.2 (64 K×16位)40腳
NMOS EPROM 27210/CMOS EPROM 27C210
2.1.7.3 (8×16 K×8位) 28
腳NMOS頁尋址EPROM 27011
2.1.8 2 Mb (256 K×8位)32
腳CMOS EPROM 27C020
2.1.9 4 Mb EPROM/PROM系列
2.1.9.1 (512 K×8位)32腳CMOS EPROM 27C040
2.1.9.2 (256 K×16位)40腳CMOS EPROM 27C4096
2.1.10 8 Mb (1 M×8位)32腳CMOS EPROM 27C080
2.1.11 36 Kb/64 Kb/128 Kb
串行OTP ROM 37LV36/65/128
2.1.12 可紫外線擦除可編程只讀存儲器EPROM
器件索引
2.2 可電擦除可編程只讀存儲器EEPROM
2.2.1 EEPROM 概述
2.2.2 4 Kb(512×8位)24腳CMOS并行接口
EEPROM 28C04
2.2.3 16 Kb (2 K×8位)CMOS并行接口
EEPROM 28C16和28C17
2.2.3.1 (2 K×8位)24腳CMOS并行接口
EEPROM 28C16
2.2.3.2 (2 K×8位)28腳CMOS并行接口
EEPROM 28C17
2.2.4 64 Kb(8 K×8位)28腳NMOS EEPROM
 2864(A)/CMOS EEPROM 28C64
2.2.5 256 Kb(32 K×8位)28腳CMOS頁面寫入
并行接口EEPROM 28C256
2.2.6 512 Kb(64 K×8位)32腳CMOS頁面寫入
并行接口EEPROM X28C512/X28C 513
2.2.7 1 Mb(128 K×8位)32腳CMOS頁面寫入
并行接口EEPROM 28C010
2.2.8 2 Mb(256 K×8位)32腳CMOS頁面寫入
并行接口EEPROM 28C020
2.2.9 4 Mb(512 K×8位)32腳CMOS頁面寫入
并行接口EEPROM 28C040
2.2.10 4 Mb(256 K×16位)40腳CMOS頁面寫入
并行接口EEPROM 28C4096
2.2.11二線制I2C CMOS串行EEPROM
 24C01(A)/02(A)/04(A)/08/16/32/64
2.2.12 二線制可加口令的8腳CMOS串行
EEPROM X76041
2.2.13 三線制Microwire CMOS同步串行
EEPROM 93C06/46/56/66
2.2.14 三線制Microwire帶有數(shù)據(jù)保護的CMOS
同步串行EEPROM 93CS06/46/56/66
2.2.15 SPI CMOS串行EEPROM 25C01/02/04
2.2.16 四線制CMOS串行EEPROM 59C11/22/13
2.2.17 可電擦除可編程只讀存儲器EEPROM器件索引
2.3 快擦寫可編程只讀存儲器Flash Memory
2.3.1 概 述
2.3.2 256 Kb/512 Kb/1 Mb/2 Mb
(32 K/64 K/128 K/256 K×8位)
 CMOSFlash 28F256/512/010/020
2.3.3 4 Mb(512 K×8位)CMOS分塊結構
Flash Memory 28F4001
2.3.4 4 Mb(512 K×8位)44腳CMOS
帶自舉模塊的Flash Memory 28F004BX
2.3.5 4 Mb(512 K×8位)44腳CMOS
帶自舉模塊的Flash Memory 28F400BX
2.3.6 8 Mb(1 M×8位)44腳
CMOS Flash Memory 28F008SA
2.3.7 Atmel的AT29CXXX Flash系列
2.3.7.1 Atmel的AT29CXXX Flash Memory概述
2.3.7.2 256 Kb/512 Kb/1 Mb/2 Mb
(32 K/64 K/128 K/256 K×8位/16位)
CMOS Flash EPROM
29C256/257/512/010/020/040(A)
和29C1024/2048/4096
2.3.8 串行快擦寫存儲器
2.3.8.1 帶塊鎖定保護二線制串行快擦寫
存儲器X24FXXX系列
2.3.8.2 帶鎖定保護的SPI串行接口快擦寫
存儲器X25FXXX系列
2.3.9 快擦寫可編程只讀存儲器
Flash Memory器件索引
2.4 非易失性靜態(tài)讀寫存儲器NVSRAM
2.4.1 非易失性SRAM系列DS12XX
2.4.2 帶有電源監(jiān)視器的非易失性SRAM系列DS13XX
2.4.3 可分區(qū)的非易失性SRAM系列DS16XX和
低壓DS17XX
2.4.4 帶有輸入輸出端口的非易失性SRAM DS1381
2.4.5 帶有64位標識碼的256位影子NOVSRAM DS2430
2.4.6 非易失性靜態(tài)讀寫存儲器NV SRTAM器件索引
2.5 鐵電介質讀寫存儲器FRAM
2.5.1 鐵電介質讀寫存儲器FRAM概述
2.5.2 4 Kb/16 Kb/64 Kb非易失性鐵電存儲器
FM 1208S/1408S/1608S
2.5.3 4 Kb/16 Kb非易失性串行鐵電讀寫存儲器
FM 24C04/24C16
第三章 多端口讀寫存儲器MPRAM
3.1 雙端口RAM
3.1.1 (1 K×8位)雙端口SRAM
CY7C130/131/140/141
3.1.2 (2 K×8位)雙端口SRAM CY7C132/136
和CY7C142/146
3.1.3 (256×8位)雙端口SRAM DS1609
3.2 FIFO存儲器
3.2.1 (512×9位)異步FIFO
LH540201/LH5496(H)/DS2009
3.2.2 (512×18位/1 K×18位)同步FIFO
LH540215/25 IDT72215B/25B…
3. 2.3 (4 K×9位)同步FIFO LH5492 MS76492
(Mosel/Vitelic) NMFC5492(National)
3.2.4 (4 K×9位)并行轉串行FIFO LH5493
MS76493(Mosel/Vitelic)/NMFP5
493(National)
3.2.5 (4 K×9位)串行轉并行FIFO LH5494
MS76494(Mosel/Vitelic)/ NMFP
5494(National)
3.3 其他多端口存儲器
3.3.1 (4 K×9位)4端口串行RAM DS2015
3.3.2 存儲器三線串行字節(jié)并行總線轉換器
DS1280
3.3.3 多端口讀寫存儲器MPRAM(/FIFO)器件
索引 
第四章 內嵌電池掉電自保護存儲器插座
4.1 掉電自保護SRAM插座
4.1.1 掉電自保護16Kb/64Kb SRAM插座DS1213B
4.1.2 掉電自保護256 Kb SRAM插座DS1213C
4.1.3 掉電自保護256Kb/1Mb SRAM插座DS1213D
4.2 帶實時時鐘的掉電自保護存儲器插座
4.2.1 帶實時時鐘的掉電自保護16 Kb/64 Kb SRAM插座DS1216B
4.2.2 帶實時時鐘的掉電自保護64 Kb/256 Kb SRAM插座DS1216C
4.2.3 帶實時時鐘的掉電自保護256 Kb/1 Mb SRAM插座DS1216D
4.2.4 帶實時時鐘的掉電自保護64 Kb/256 Kb
ROM插座DS1216E
4.2.5 帶實時時鐘的掉電自保護64 Kb/256
Kb/1 Mb ROM插座DS1216F…
4.3 分區(qū)寫保護掉電自保護SRAM插座
4.3.1 分區(qū)寫保護掉電自保護256 Kb SRAM
插座DS1613C
4.3.2 分區(qū)寫保護掉電自保護1 Mb SRAM
插座DS1613D
4.4 帶實時時鐘和NVSRAM的超級微控制器
插座DS1310/1311
第五章 微控制器片內存儲器
5.1 Motorola公司微控制器系列
5.1.1 Motorola公司含存儲器的
M6801/M6804/M6805/MC146805系列
微控制器 
5.1.2 Motorola公司
含存儲器的M68HC05系列微控制器
5.1.3 Motorola公司
含存儲器的M68HC11系列微控制器
5.1.4 Motorola公司
含存儲器的M68HC16系列微控制器
5.1.5 Motorola公司
含存儲器的M68300系列微控制器
5.2 Intel公司微控制器系列
5.2.1 Intel公司
含存儲器的MCS51系列8位微控制器
5.2.2 Intel公司
含存儲器的MCS52系列8位微控制器
5.2.3 Intel公司
含存儲器的MCS96系列16位微控制器
5.3 Philips公司微控制器系列
5.3.1 Philips公司
含存儲器的80C51系列微控制器
5.3.2 Philips公司
含存儲器的80C52系列微控制器
5.4 Zilog公司微控制器系列
5.4.1 Zilog公司
含存儲器的Z84/Z86系列微控制器
5.4.2 Zilog公司含存儲器的Z89系列微控制器
5.5 National Semiconductor公司
微控制器系列
5.5.1 National Semiconductor公司
含存儲器的4位微控制器系列
5.5.2 National Semiconductor公司
含存儲器的8位微控制器系列
5.5.3 National Semiconductor公司
含存儲器的16位高性能微控制器系列 …
5.6 Microchip公司
微控制器系列中含存儲器的芯片
5.6.1 Microchip公司基礎級微控制器系列
5.6.2 Microchip公司中檔微控制器系列
5.6.3 Microchip公司高檔微控制器系列
5.7 Atmel公司微控制器系列中含存儲器的芯片
5.8 NEC公司微控制器系列
5.8.1 NEC公司含存儲器的4位微控制器系列
5.8.2 NEC公司含存儲器的準8位微控制器系列
5.8.3 NEC公司含存儲器的8位微控制器系列
5.8.4 NEC公司含存儲器的準16位微控制器系列
5.9 Toshiba 公司
微控制器系列中含存儲器的芯片
5.9.1 Toshiba公司
含存儲器的4位微控制器系列
5.9.2 Toshiba公司
含存儲器的8位微控制器系列
5.9.3 Toshiba公司
含存儲器的基于Z80微控制器系列
5.9.4 Toshiba公司含存儲器的
基于68HC05/11的微控制器系列
5.10 Fujitsu公司微控制器系列
5.10.1 Fujitsu公司
含存儲器的8850系列4位微控制器
5.10.2 Fujitsu公司
含存儲器的88200系列4位微控制器
5.10.3 Fujitsu公司
含存儲器的88500系列4位微控制器
5.10.4 Fujitsu公司
含存儲器的89700系列8位微控制器
5.11 Panasonic公司微處理器系列
5.11.1 Panasonic公司
含存儲器的1400系列4位微處理器
5.11.2 Panasonic公司
含存儲器的1500系列4位微處理器
5.12 Hitachi公司微控制器系列
5.12.1 Hitachi公司
含存儲器的4位微控制器系列
5.12.2 Hitachi公司
含存儲器的8位微控制器系列
5.13 Texas Instruments公司微控制器系列
5.13.1 Texas Instruments公司
含存儲器的7000系列8位微控制器
5.13.2 Texas Instruments公司
含存儲器的TMS370系列8位微控制器
5.14 Holtek公司微控制器系列
5.14.1 Holtek公司
含存儲器的4位微控制器系列
5.14.2 Holtek公司含
存儲器的8位微控制器系列
第六章 存儲器應用技術
6.1 存儲器擴展技術
6.1.1 存儲器的基本操作控制
6.1.2 超過地址尋址范圍的大容量存儲器
擴展技術
6.2 存儲器兼容設計技術
6.2.1 相同引腳數(shù)目的EPROM和SRAM兼容設計
6.2.2 不同型號存儲器插座兼容設計
6.2.3 8031單片機中EPROM和SRAM通用存儲器
全兼容設計
6.3 EPROM應用技術
6.3.1 3V EPROM與5 V BUS的接口技術
6.3.2 用VCC=5 V給EPROM編程和編程器
印刷板設計
6.3.3 頁面尋址EPROM的應用
6.3.4 EPROM的正確使用和快速固化技術
6.4 EEPROM應用技術
6.4.1 EEPROM的數(shù)據(jù)保護
6.4.2 EEPROM的芯片擦除軟件算法
6.4.3 串行EEPROM的操作
6.5 存儲器節(jié)能設計技術
6.5.1 低功率微系統(tǒng)環(huán)境的存儲器設計概述
6.5.2 低功耗存儲器與非易失性存儲器的選擇
6.5.3 使用CHMOS DRAM的系統(tǒng)設計
6.5.4 電 池
6.5.5 電源切換電路
6.5.6 結 論
參考文獻
附錄 國內外生產(chǎn)半導體存儲器器件公司
和代理商名錄