模擬集成電路設(shè)計(jì)：基于華大九天集成電路全流程設(shè)計(jì)平臺(tái)Aether

第1 章 緒論 ................................................................................................................................. 1
1.1 模擬集成電路的應(yīng)用 .................................................................................................... 1
1.2 模擬集成電路設(shè)計(jì)流程 ................................................................................................ 2
1.3 華大九天Empyrean Aether 簡介 .................................................................................. 3
第2 章 MOS 器件的基礎(chǔ)性 ................................................................................................... 5
2.1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ) ............................................................................................................ 5
2.1.1 單晶硅的晶體結(jié)構(gòu) ............................................................................................. 5
2.1.2 半導(dǎo)體能帶理論及載流子濃度 ......................................................................... 6
2.1.3 施主與受主雜質(zhì) ................................................................................................. 8
2.1.4 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ......................................................................... 9
2.2 PN 結(jié) ............................................................................................................................ 10
2.3 MIS 結(jié)構(gòu) ...................................................................................................................... 12
2.4 MOSFET 結(jié)構(gòu)及其基本制造工藝流程 ..................................................................... 13
2.4.1 MOSFET 結(jié)構(gòu) .................................................................................................. 13
2.4.2 基本制造工藝流程 ........................................................................................... 14
2.5 MOSFET 的電學(xué)性 ................................................................................................. 20
2.5.1 閾值電壓 ........................................................................................................... 20
2.5.2 I-V 性分析 ..................................................................................................... 24
2.5.3 MOS 器件電容 ................................................................................................. 28
2.5.4 小信號(hào)模型 ....................................................................................................... 29
2.6 MOSFET 的I-V 性分析 .................................................................................. 30
題 ....................................................................................................................................... 32