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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書系統(tǒng)性地介紹輻射對(duì)電子學(xué)系統(tǒng)的損傷機(jī)制、研究方法和加固技術(shù)。～3章介紹輻射環(huán)境、輻射與物質(zhì)的相互作用，以及電子元器件的輻射效應(yīng)；第4～6章介紹多物理響應(yīng)與多物理場(chǎng)作用、輻射效應(yīng)的試驗(yàn)與測(cè)試，以及輻射環(huán)境與輻射效應(yīng)的計(jì)算與仿真；第7章和第8章介紹電子學(xué)系統(tǒng)抗輻射加固技術(shù)與抗輻射性能評(píng)估。附錄提供了常用的輻射效應(yīng)數(shù)據(jù)以便查詢。本書適合輻射效應(yīng)與加固技術(shù)相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生使用，也可供相關(guān)工程技術(shù)人員和科研人員參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《電子學(xué)系統(tǒng)輻射效應(yīng)與加固技術(shù)》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第l章輻射環(huán)境
1.1 概述
1.2 人為輻射環(huán)境
1.3 大氣輻射環(huán)境
1.4 空間輻射環(huán)境
1.5 其他輻射環(huán)境
1.6 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第2章輻射與物質(zhì)的相互作用
2.1 概述
2.2 荷電粒子與靶物質(zhì)的相互作用
2.3 光子與物質(zhì)的相互作用
2.4 中子與靶物質(zhì)的相互作用
2.5 物質(zhì)的電離損傷和位移損傷
2.6 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第3章電子元器件的輻射效應(yīng)
3.1 概述
3.2 材料的輻射效應(yīng)
3.3 PN結(jié)和二極管、雙極晶體管的輻射效應(yīng)
3.4 SiO2/Si界面和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輻射效應(yīng)
3.5 雙極工藝集成電路的輻射效應(yīng)
3.6 CMOS集成電路的輻射效應(yīng)
3.7 光電器件的輻射效應(yīng)
3.8 其他元器件的輻射效應(yīng)
3.9 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第4章多物理響應(yīng)與多物理場(chǎng)作用
4.1 概述
4.2 多物理響應(yīng)
4.3 多物理場(chǎng)作用
4.4 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第5章輻射效應(yīng)的試驗(yàn)與測(cè)試
5.1 概述
5.2 輻射模擬源
5.3 劑量測(cè)量
5.4 宏觀特性參數(shù)測(cè)量
5.5 微觀特性參數(shù)測(cè)量
5.6 試驗(yàn)方法
5.7 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第6章輻射環(huán)境與輻射效應(yīng)的計(jì)算與仿真
6.1 概述
6.2 計(jì)算與仿真工具
6.3 輻射感生缺陷建模與仿真
6.4 器件建模與仿真
6.5 電路建模與仿真
6.6 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)