漫談光通信·芯片卷

半導體激光器激光器2
激光器小信號頻響24
DFB激光器等效電路模型26
FP，DFB，DBR的區(qū)別30
【5G光模塊】——FP激光器的模式分配噪聲35
DFB雙峰對光通信系統(tǒng)的影響37
DFB激光器雙峰40
DFB直調(diào)激光器的發(fā)展方向41
相干光模塊中的窄線寬激光器46
用于突發(fā)模式下一代PON的MEL激光器雙電級DFB47
非制冷DWDM激光器50
FP和DBR的區(qū)別53
DFB的發(fā)展史58
DFB的光柵60
雙腔DFB激光器62
區(qū)分FP，DFB，DML，EML，VCSEL65
激光器發(fā)散角優(yōu)化結構69
為什么激光器的BH結構需要多次外延71
背光74
為什么不能“輕易”把GPON　ONU的DFB激光器換成
便宜的FP76
區(qū)分DFB，DML，EML80DBR激光器82
DFB激光器的增益耦合光柵與折射率耦合光柵83
多縱模激光器的傳輸距離87
單縱模激光器的傳輸距離89
FP與DFB的波長溫度漂移91
區(qū)分電光效應、光電效應與電致發(fā)光效應94
相干通信歷程、可調(diào)諧光源標準發(fā)展史97
可調(diào)諧激光器102
外腔激光器104
DML的啁啾與補償激光器的啁啾、展寬與色散108
啁啾110
直調(diào)激光器啁啾管理的幾個方案113
啁啾光柵與色散補償115
利用微環(huán)做DML的啁啾管理117
直調(diào)激光器的傳輸并不是距離越長TDP就一定越大121
PT對稱光柵122
Avago的高速VCSEL124
MEMS　VCSEL128
比VCSEL小100倍的BICSEL130
Finisar　VCSEL　用OM4光纖可傳輸2.3km的56Gb/s　
PAM4信號134
超薄激光器135
鈮酸鋰調(diào)制器電光調(diào)制器140
鈮酸鋰調(diào)制器141
為何鈮酸鋰調(diào)制器那么長146
鈮酸鋰薄膜制備148
電吸收調(diào)制器EAM電吸收調(diào)制器等效模型154
為何探測器和電吸收調(diào)制器，加反電壓，而不是正電壓157
電吸收調(diào)制器的吸收波長紅移159
非制冷單波100Gb/s　EML164
EML更容易實現(xiàn)更大的消光比167
電吸收調(diào)制激光器EML169
為什么EML要加一個TEC171
調(diào)制器熱光調(diào)制176
PN結載流子耗盡型硅基調(diào)制器178
光調(diào)制器的載流子耗盡型與注入型的區(qū)別181
光探測器探測器186
探測器響應度與光模塊靈敏度之間的關系196
幾種探測器的結構198
垂直型與波導型PIN202
平衡探測器204
探測器速率與結電容207
探測器結構與響應度、靈敏度211
探測器材料與截止波長214
探測器材料之Si，GeSi，GaAs217
探測器響應度下降原因218APD的蓋革模式220
APD蓋革模式的應用223
光電二極管臺面結構225
半導體工藝GaAs襯底230
激光器襯底——InP單晶233
激光器中含鋁材料238
為什么激光器的熱燒蝕，更容易發(fā)生在腔表面244
激光器有源材料晶格缺陷與可靠性，GaAs比InP更難246
激光器晶格缺陷之線位錯248
激光器襯底生長技術： VGF垂直梯度凝固法250
分子束外延253
半導體工藝中的“退火”257
激光器材料生長——張應變和壓應變260
衍射極限264
電子束光刻EBL269
納米壓印271
激光器波導結構制作： 干法刻蝕與濕法刻蝕273
MACOM激光器垂直端面刻蝕280
DFB激光器的倒臺波導283
磁控濺射——光芯片電極制作287
CBN立方氮化硼291
脈沖激光濺射292
電子束蒸鍍——光芯片電極制作296
半導體激光器歐姆接觸以及歐姆接觸與肖特基接觸的
區(qū)別299
激光器減薄，與臺階儀厚度檢測原理304
激光器端面鈍化307
激光器從材料到芯片310激光器晶圓劃片與裂片314
特殊波導制作與激光冷加工319
半導體物理與器件結構電芯片的材料Si，GeSi和GaAs324
半導體材料，P型、N型半導體與PN結328
FET，MOSFET，MESFET，MODFET330
三星3nm全環(huán)柵結構335
5nm晶體管技術之爭GAA　FET，IMEC　8nm納米線337
晶體管之BJT，F(xiàn)ET，CMOS，HBT，HEMT340
電芯片的鍺硅與CMOS區(qū)別343
MOSFET與符號344
縮略語349’