寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵：結(jié)構(gòu)、制備與性能

定　價(jià)：￥128.00

作　者：	陶緒堂著
出版社：	西安電子科技大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787560664446	出版時(shí)間：	2022-09-01	包裝：	精裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書(shū)從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個(gè)方面做了較全面的介紹，重點(diǎn)梳理了作者及國(guó)內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的思路和方法，并對(duì)氧化鎵的發(fā)展進(jìn)行了綜述和展望。本書(shū)可作為寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)的半導(dǎo)體、材料、化學(xué)、微電子等專業(yè)研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級(jí)本科生的參考書(shū)或工具書(shū)，也可供其他對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵感興趣的人員參考。