123,123,123

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性質(zhì)，不僅在制備短波長(zhǎng)光電子器件方面具有不可替代性，而且是制備高功率、高頻、高溫射頻電子器件和功率電子器件的**選半導(dǎo)體體系，在信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防軍工等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。本書系統(tǒng)介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O3四種最重要的寬禁帶半導(dǎo)體電子材料和器件，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長(zhǎng)、射頻電子器件和功率電子器件等方面論述了其基礎(chǔ)物理性質(zhì)、面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題、國(guó)內(nèi)外前沿研究成果和應(yīng)用前景。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

目錄
叢書序
序
前言
第1章緒論1
第2章氮化物寬禁帶半導(dǎo)體及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)6
2.1 氮化物半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)6
2.2 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基本物理性質(zhì)10
2.3 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的高場(chǎng)輸運(yùn)性質(zhì)12
2.4 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的量子輸運(yùn)性質(zhì)18
2.5 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的自旋性質(zhì)23
參考文獻(xiàn)27
第3章氮化物半導(dǎo)體及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)34
3.1 氮化物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)方法概述34
3.2 氮化物半導(dǎo)體的同質(zhì)外延生長(zhǎng)57
3.3 氮化物半導(dǎo)體的異質(zhì)外延生長(zhǎng)61
參考文獻(xiàn)79
第4章氮化物半導(dǎo)體射頻電子器件93
4.1 GaN基射頻電子器件概述93
4.2 SiC襯底上GaN基微波功率器件94
4.3 Si襯底上GaN基射頻電子器件104
4.4 GaN基超高頻電子器件108
4.5 GaN基射頻電子器件的應(yīng)用113
參考文獻(xiàn)119
第5章氮化物半導(dǎo)體功率電子器件123
5.1 GaN基功率電子器件概述123
5.2 增強(qiáng)型GaN基功率電子器件及異質(zhì)結(jié)構(gòu)能帶調(diào)制工程125
5.3 GaN基功率電子器件表面／界面局域態(tài)特性與調(diào)控136
5.4 GaN基垂直結(jié)構(gòu)功率電子器件140
5.5 GaN基功率電子器件的可靠性147
5.6 GaN基功率電子器件的應(yīng)用158
參考文獻(xiàn)167
第6章 SiC半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料176
6.1 SiC半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)176
6.2 SiC半導(dǎo)體單晶襯底材料的生長(zhǎng)179
6.3 SiC半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)184
參考文獻(xiàn)199
第7章 SiC半導(dǎo)體功率電子器件205
7.1 SiC基功率電子器件概述205
7.2 SiC基整流二極管206
7.3 SiC基功率開關(guān)器件216
7.4 SiC基功率電子器件的應(yīng)用226
參考文獻(xiàn)230
第8章半導(dǎo)體金剛石材料與功率電子器件236
8.1 半導(dǎo)體金剛石的基本物理性質(zhì)236
8.2 金剛石單晶材料的制備方法245
8.3 單晶金剛石襯底的制備251
8.4 高質(zhì)量半導(dǎo)體金剛石薄膜的外延生長(zhǎng)256
8.5 半導(dǎo)體金剛石的摻雜和電導(dǎo)調(diào)控257
8.6 金剛石基半導(dǎo)體功率電子器件261
參考文獻(xiàn)269
第9章氧化鎵半導(dǎo)體功率電子材料與器件280
9.1 氧化鎵半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)280
9.2 氧化鎵半導(dǎo)體單晶材料的生長(zhǎng)282
9.3 氧化鎵基半導(dǎo)體功率電子器件296
參考文獻(xiàn)309