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SiC/GaN功率半導(dǎo)體封裝和可靠性評(píng)估技術(shù)

SiC/GaN功率半導(dǎo)體封裝和可靠性評(píng)估技術(shù)

定 價(jià):¥89.00

作 者: 菅沼,克昭 著
出版社: 機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng): 新型電力電子器件叢書(shū)
標(biāo) 簽: 暫缺

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ISBN: 9787111669531 出版時(shí)間: 2021-03-01 包裝: 平裝
開(kāi)本: 16開(kāi) 頁(yè)數(shù): 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  本書(shū)重點(diǎn)介紹全球功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展潮流中的寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝的基本原理和器件可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)。書(shū)中以封裝為核心,由熟悉各個(gè)領(lǐng)域前沿的專(zhuān)家詳細(xì)解釋當(dāng)前的狀況和問(wèn)題。主要章節(jié)為寬禁帶功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和封裝、模塊結(jié)構(gòu)和可靠性問(wèn)題、引線(xiàn)鍵合技術(shù)、芯片貼裝技術(shù)、模塑樹(shù)脂技術(shù)、絕緣基板技術(shù)、冷卻散熱技術(shù)、可靠性評(píng)估和檢查技術(shù)等。盡管極端環(huán)境中的材料退化機(jī)制尚未明晰,書(shū)中還是總結(jié)設(shè)計(jì)了新的封裝材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),以盡量闡明未來(lái)的發(fā)展方向。本書(shū)對(duì)于我國(guó)寬禁帶(國(guó)內(nèi)也稱(chēng)為第三代)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有積極意義,適合相關(guān)的器件設(shè)計(jì)、工藝設(shè)備、應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和投資領(lǐng)域人士閱讀。

作者簡(jiǎn)介

  何鈞 現(xiàn)任職于重慶偉特森電子科技有限公司,1995年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系,曾于Charactered Semiconductor(后歸屬于Global Foundries), Hewlett Packard, Global Communication Semiconductor, Semisouth Lab.,北京泰科天潤(rùn)等企業(yè)多年從事硅集成電路、MEMS(噴墨打印頭芯片)、砷化鎵和氮化鎵射頻、磷化銦光電、碳化硅功率等化合物半導(dǎo)體器件的工藝制造以及工藝和設(shè)計(jì)研發(fā)工作。許恒宇博士,現(xiàn)任職于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所,中國(guó)科學(xué)院大學(xué)研究生導(dǎo)師。2006年畢業(yè)于四川大學(xué),同年留學(xué)日本,先后于日本的德島大學(xué)、大阪大學(xué)和新日本無(wú)線(xiàn)株式會(huì)社開(kāi)展碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體器件研究。一直以來(lái),主要從事碳化硅器件的仿真設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)整合和可靠性失效機(jī)理分析等領(lǐng)域的工作。2011年歸國(guó)后,致力于碳化硅器件在面向光伏逆變器、新能源汽車(chē)和智能電網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域提供技術(shù)服務(wù)和產(chǎn)品。

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