微電子技術(shù)創(chuàng)新與實(shí)踐教程

第1章第三代半導(dǎo)體材料

1.1第三代半導(dǎo)體材料概述

1.2第三代半導(dǎo)體材料國內(nèi)外技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

1.3第三代半導(dǎo)體在光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用

1.3.1半導(dǎo)體照明

1.3.2短波長激光器

1.3.3光伏電池

1.3.4其他

1.4AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管

1.4.1GaN材料

1.4.2AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)

1.4.3AlGaN/GaN HEMT工作原理

1.5ZnO異質(zhì)結(jié)光電器件

1.5.1ZnO晶體的物理性質(zhì)和基本結(jié)構(gòu)

1.5.2ZnO的能帶結(jié)構(gòu)

1.5.3ZnO的光學(xué)特性

1.5.4ZnO的電學(xué)特性

1.5.5ZnO的壓電特性

1.5.6ZnO紫外探測(cè)器

1.6小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第2章半導(dǎo)體納米材料

2.1納米材料

2.1.1納米材料概述

2.1.2納米材料的特性

2.1.3納米材料的合成與制備

2.2半導(dǎo)體納米材料

2.2.1半導(dǎo)體納米材料概述

2.2.2半導(dǎo)體納米材料的特性

2.2.3半導(dǎo)體納米材料的合成與制備

2.2.4半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用

2.3納米氧化鋅復(fù)合材料在電化學(xué)生物傳感器方面的應(yīng)用

2.3.1電化學(xué)生物傳感器概述

2.3.2電化學(xué)生物傳感器的分類

2.3.3基于氧化鋅/金納米復(fù)合材料的電化學(xué)傳感器對(duì)抗壞血酸和
尿酸的同時(shí)檢測(cè)

2.4ZnO納米材料在其他方面的應(yīng)用

2.4.1ZnO納米材料在發(fā)光器件中的應(yīng)用

2.4.2ZnO納米材料在太陽能電池中的應(yīng)用

2.4.3ZnO納米材料在探測(cè)器中的應(yīng)用

2.5石墨烯

2.5.1石墨烯概述

2.5.2石墨烯復(fù)合材料

2.6石墨烯基復(fù)合材料的應(yīng)用

2.7石墨烯/硅光電探測(cè)器

2.7.1石墨烯簡介

2.7.2石墨烯的制備方法

2.7.3石墨烯在光電探測(cè)器中的應(yīng)用

2.7.4石墨烯/硅光電探測(cè)器

參考文獻(xiàn)






第3章金屬硫化物半導(dǎo)體材料

3.1ZnS半導(dǎo)體材料

3.1.1ZnS基本性質(zhì)

3.1.2ZnS薄膜的制備方法

3.2ZnS應(yīng)用研究

3.2.1ZnS在太陽能電池方面的應(yīng)用研究

3.2.2ZnS在電致發(fā)光器件方面的應(yīng)用研究

3.2.3ZnS在透明電極方面的應(yīng)用研究

3.3二硫化鉬最新研究進(jìn)展

3.3.1MoS2的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)

3.3.2MoS2的價(jià)帶結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

3.3.3MoS2的制備方法

3.3.4基于MoS2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用

3.4小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第4章金屬硒化物半導(dǎo)體納米材料

4.1CdSe半導(dǎo)體納米材料

4.1.1CdSe的基本性質(zhì)

4.1.2CdSe納米半導(dǎo)體薄膜的制備方法

4.1.3CdSe半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用

4.2SnSe半導(dǎo)體材料簡述

4.2.1引言

4.2.2國內(nèi)外SnSe材料研究現(xiàn)狀

4.3ZnSe半導(dǎo)體納米材料

4.3.1引言

4.3.2ZnSe的性質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)

4.3.3ZnSe納米材料的制備方法

4.3.4ZnSe納米材料的應(yīng)用

4.4小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第5章絕緣柵雙極型晶體管

5.1IGBT原理

5.2IGBT結(jié)構(gòu)及分類

5.2.1IGBT結(jié)構(gòu)

5.2.2PTIGBT和NPTIGBT

5.3IGBT的工作原理

5.4IGBT的特性分析

5.4.1IGBT的靜態(tài)特性

5.4.2IGBT的動(dòng)態(tài)特性

5.5小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第6章碳化硅器件

6.1引言

6.2SiC分立器件的研究現(xiàn)狀

6.3SiC器件的分類

6.3.1SiC肖特基二極管

6.3.2SiC功率器件

6.3.3SiC開關(guān)器件

6.3.4SiC微波器件

6.4SiC集成電路的研究現(xiàn)狀

6.5SiC材料的外延生長

6.6SiC材料的特點(diǎn)與結(jié)構(gòu)

6.7SiC器件在高溫環(huán)境中的應(yīng)用

6.8小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第7章高電子遷移率晶體管

7.1HEMT簡介

7.2HEMT原理

7.2.1MESFET

7.2.2HEMT

7.3HEMT器件熱特性

7.4AlGaN/GaN材料HEMT器件優(yōu)化分析與IV特性關(guān)系

7.4.1引言

7.4.2器件性能的優(yōu)化分析

7.5小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第8章可控硅

8.1可控硅簡介

8.2可控硅特性

8.3可控硅的檢測(cè)

8.3.1單向可控硅的檢測(cè)

8.3.2雙向可控硅的檢測(cè)

8.3.3光控可控硅的檢測(cè)

8.4可控硅元件的使用原理

8.4.1可控硅的分類

8.4.2可控硅元件使用的注意事項(xiàng)

8.4.3可控硅元件的保護(hù)措施

8.5可控硅應(yīng)用

8.6小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第9章新工具、新技術(shù)在微電子學(xué)中的應(yīng)用

9.1人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

9.1.1人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)概述

9.1.2人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)

9.1.3人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在微電子學(xué)中的應(yīng)用

9.1.4小結(jié)

9.2智能優(yōu)化算法

9.2.1概述

9.2.2禁忌搜索算法

9.2.3模擬退火算法

9.2.4遺傳算法

9.2.5遺傳算法在集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

9.2.6小結(jié)

9.3異步設(shè)計(jì)

9.3.1異步設(shè)計(jì)的研究

9.3.2異步控制器的實(shí)現(xiàn)

9.4小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第10章集成電路的超低功耗設(shè)計(jì)

10.1引言

10.2集成電路的功耗分析

10.3納米尺度工藝的功耗趨勢(shì)

10.4超低功耗集成電路的工藝及器件結(jié)構(gòu)

10.5集成電路的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)

10.6小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第11章新型工藝

11.1半導(dǎo)體工藝

11.1.1半導(dǎo)體工藝概述

11.1.2半導(dǎo)體工藝發(fā)展現(xiàn)狀

11.27nm工藝

11.3FinFET技術(shù)

11.3.1FinFET概述

11.3.2高K基FinFET

11.4小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第12章微電子新型封裝技術(shù)

12.1微電子封裝技術(shù)

12.1.1微電子封裝技術(shù)概述

12.1.2微電子封裝技術(shù)發(fā)展及其方向

12.2MEMS封裝

12.2.1MEMS封裝技術(shù)

12.2.2鍵合技術(shù)

12.2.3倒裝芯片封裝技術(shù)

12.2.4多芯片封裝技術(shù)

12.3疊層3D封裝

12.3.1芯片疊層

12.3.2封裝疊層

12.3.3晶圓疊層3D封裝

12.4小結(jié)

參考文獻(xiàn)