薄膜晶體管微電子學(xué)（TFT）

定　價(jià)：￥78.00

作　者：	雷東著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121383496	出版時(shí)間：	2020-09-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	260	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書從薄膜晶體管（TFT）的材料講起，大部分內(nèi)容是作者實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的總結(jié)和概括。全書構(gòu)成了完整的、針對(duì)薄膜晶體管微電子學(xué)的理論和實(shí)踐體系。本書涵蓋了薄膜晶體管微電子學(xué)相關(guān)的材料、器件、電路及版圖設(shè)計(jì)的基本原理和思想方法，全書共6章：第1章闡述了薄膜晶體管的基本原理，包括半導(dǎo)體的原理和能帶理論、半導(dǎo)體材料，以及包括TFT在內(nèi)的常見(jiàn)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)和原理；第2章闡述了薄膜晶體管的可靠性的基本理論；第3章闡述了薄膜晶體管電路的基本邏輯單元，既有針對(duì)這些邏輯單元的功能的闡述，也有針對(duì)這些邏輯單元的原理分析，特別是采用TFT實(shí)現(xiàn)時(shí)，這些電路單元所具有的差異性和解決方法；第4章是在第3章所述的邏輯單元的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步講解這些電路單元如何采用TFT來(lái)實(shí)現(xiàn)，以及其中的問(wèn)題和解決辦法；第5章結(jié)合TFT的光刻工藝，闡述了TFT版圖設(shè)計(jì)的基本概念、基本思想和方法；第6章是TFT的電路應(yīng)用舉例，主要闡述了目前常見(jiàn)的三種TFT的應(yīng)用及其電路原理。

作者簡(jiǎn)介

　　雷東，內(nèi)蒙古人，浙江大學(xué)材料系碩士畢業(yè)。北京道古視界科技有限公司總經(jīng)理。長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體通信技術(shù)，顯示技術(shù)，及相關(guān)EDA軟件的研發(fā)。劉文軍，江蘇人，復(fù)旦大學(xué)微電子系博士畢業(yè)，青年研究員。長(zhǎng)期從事新型氧化物半導(dǎo)體器件、工藝及功能電路的研究。

圖書目錄

目錄
第1章薄膜晶體管的基本原理 1
1．1 半導(dǎo)體的基本原理 1
1．1．1 導(dǎo)體、絕緣體與半導(dǎo)體 1
1．1．2 本征半導(dǎo)體材料中的電子和空穴 5
1．1．3 半導(dǎo)體的能帶圖 6
1．1．4 半導(dǎo)體中載流子的分布 11
1．2 半導(dǎo)體材料 14
1．2．1 半導(dǎo)體單晶材料 15
1．2．2 半導(dǎo)體多晶材料 18
1．2．3 非晶態(tài)半導(dǎo)體材料 20
1．3 半導(dǎo)體結(jié) 24
1．3．1 半導(dǎo)體的接觸電勢(shì) 24
1．3．2 半導(dǎo)體二極管 27
1．4 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體（MIS）結(jié)構(gòu)與薄膜晶體管（TFT） 34
1．4．1 MIS結(jié)構(gòu)與三端MIS器件概述 34
1．4．2 薄膜晶體管的結(jié)構(gòu) 36
1．4．3 薄膜晶體管的工作模式 42
1．4．4 三端MIS器件的浮體效應(yīng) 52
1．4．5 薄膜晶體管的器件特征（Target） 54
1．4．6 薄膜晶體管的SPICE模型 65
1．4．7 雙柵薄膜晶體管 75
1．4．8 薄膜晶體管的二極管連接 77
參考文獻(xiàn) 79
第2章薄膜晶體管的可靠性 80
2．1 薄膜晶體管的可靠性概述 80
2．2 非晶硅薄膜晶體管（a-Si TFT）的可靠性 82
2．2．1 弱鍵的影響 83
2．2．2 GI層中的電荷俘獲 84
2．2．3 界面態(tài)的影響 84
2．2．4 轉(zhuǎn)移特性曲線的滯回效應(yīng) 85
2．2．5 器件層面的補(bǔ)償 87
2．3 低溫多晶硅薄膜晶體管（LTPS TFT）的可靠性 89
2．4 IGZO TFT的可靠性 92
2．4．1 柵極電壓偏置對(duì)IGZO TFT可靠性的影響 92
2．4．2 光照對(duì)IGZO TFT可靠性的影響 94
參考文獻(xiàn) 98
第3章　薄膜晶體管電路的基本邏輯單元 99
3．1　傳輸門 99
3．1．1　nMOS傳輸門 99
3．1．2　pMOS傳輸門 102
3．1．3　CMOS傳輸門 103
3．2　反相器 104
3．2．1　電阻負(fù)載nMOS反相器 105
3．2．2　E/E飽和負(fù)載nMOS反相器 111
3．2．3　E/E非飽和負(fù)載nMOS反相器 116
3．2．4　自舉反相器 117
3．2．5　CMOS反相器 119
3．3　反相器的放大功能 127
3．3．1　概述 127
3．3．2　電阻負(fù)載反相器的放大功能（電阻負(fù)載共源放大器） 127
3．3．3　E/E飽和負(fù)載反相器的放大功能（二極管負(fù)載共源放大器） 129
3．3．4　CMOS反相器的放大功能（推挽放大器） 129
3．4　TFT的串聯(lián)特性和并聯(lián)特性 130
3．4．1　TFT的串聯(lián)特性 130
3．4．2　TFT的并聯(lián)特性 132
3．5　TFT靜態(tài)邏輯門 133
3．5．1　與非門 134
3．5．2　TFT與門 139
3．5．3　TFT或非門 143
3．5．4　TFT或門 149
參考文獻(xiàn) 153
第4章薄膜晶體管電路單元 154
4．1 RS觸發(fā)器 154
4．1．1 與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器 154
4．1．2 或非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器 160
4．2 鐘控RS觸發(fā)器 164
4．2．1 與非門構(gòu)成的鐘控RS觸發(fā)器 164
4．2．2 或門和與非門及或非門和與非門構(gòu)成的鐘控RS觸發(fā)器 169
4．2．3 CMOS與非門構(gòu)成的鐘控RS觸發(fā)器 169
4．2．4 傳輸門和反相器構(gòu)成的鐘控RS觸發(fā)器 170
4．3 邊沿觸發(fā)的RS觸發(fā)器 173
4．3．1 邊沿脈沖的產(chǎn)生 173
4．3．2 邊沿觸發(fā)的RS觸發(fā)器觸發(fā)原理 178
4．4 RS主從觸發(fā)器 179
4．5 D觸發(fā)器 180
4．5．1 基本D觸發(fā)器 181
4．5．2 鐘控D觸發(fā)器 183
4．6 JK觸發(fā)器 185
4．7 寄存器和移位寄存器 186
4．7．1 靜態(tài)TFT電路 186
4．7．2 動(dòng)態(tài)TFT電路 189
4．7．3 動(dòng)態(tài)移位寄存器 207
參考文獻(xiàn) 212
第5章薄膜晶體管電路的版圖設(shè)計(jì) 213
5．1 版圖設(shè)計(jì)的基本概念 213
5．1．1 設(shè)計(jì)流程 213
5．1．2 器件尺寸 214
5．1．3 層次結(jié)構(gòu) 215
5．2 版圖設(shè)計(jì)與光刻工藝 216
5．2．1 圖形的轉(zhuǎn)移 216
5．2．2 TFT的形成 219
5．2．3 TFT制造工藝的對(duì)位標(biāo) 222
5．3 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 224
5．4 分立元器件的版圖設(shè)計(jì) 226
5．4．1 TFT的版圖 226
5．4．2 電阻的設(shè)計(jì) 227
5．4．3 電容的設(shè)計(jì) 227
5．4．4 電感的設(shè)計(jì) 228
參考文獻(xiàn) 229
第6章薄膜晶體管電路的應(yīng)用 231
6．1 顯示和液晶天線面板的柵極驅(qū)動(dòng)電路 231
6．2 二維液晶天線的單元充、放電電路 234
6．3 AMOLED顯示面板的像素電路 238
6．3．1 AMOLED像素電路的基本原理 238
6．3．2 AMOLED像素電路的補(bǔ)償 239
參考文獻(xiàn) 250