硅基鍺材料生長與器件構筑

第1章 緒論
1．1 研究背景和意義
1．2 Si基Ge外延生長的研究進展與存在的問題
1．3 Si基Ge材料的器件應用與存在的問題
1．4 本書主要內容
參考文獻
第2章 Si基Ge材料的外延生長
2．1 材料生長系統(tǒng)及表征方法
2．2 高質量Si基Ge材料的制備
2．3 本章小結
參考文獻
第3章 Si基Ge材料的原位摻雜
3．1 Si基Ge原位摻雜B和P的理論模型
3．2 Si基Ge材料中B和P的原位摻雜
3．3 退火對原位P摻雜Ge材料的影響
3．4 本章小結
參考文獻
第4章 Ni與Si基n-Ge接觸的熱穩(wěn)定性與電學特性
4．1 Ni／n-Ge接觸的熱穩(wěn)定性
4．2 Ni／n-Ge接觸的電學特性
4．3 本章小結
參考文獻
第5章 Si基Ge PN結與PIN結構
5．1 Si基Ge原位摻雜Ge PN結的制作
5．2 Si基Ge PN結的I-V特性和C-V特性
5．3 SOI基Ge PIN結構的研制與EL譜
5．4 本章小結
參考文獻
……
第6章 總結與展望