高比表面積碳化硅

第1章碳化硅概述/001
1.1自然界的碳化硅/001
1.2碳化硅的人工合成/004
1.3碳化硅的結(jié)構(gòu)和命名/007
1.4碳化硅的性質(zhì)和應(yīng)用/007
1.4.1碳化硅在磨料和磨具領(lǐng)域中的應(yīng)用/009
1.4.2碳化硅在耐火材料中的應(yīng)用/010
1.4.3碳化硅在復(fù)合材料增強(qiáng)方面的應(yīng)用/010
1.4.4碳化硅在電子材料領(lǐng)域的應(yīng)用/010
1.4.5碳化硅在吸波材料中的應(yīng)用/010
1.4.6碳化硅在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用/011
參考文獻(xiàn)/012

第2章高比表面積碳化硅的制備方法/014
2.1模板法/015
2.1.1碳模板法/015
2.1.2氧化硅模板法/021
2.2碳硅凝膠碳熱還原法/031
2.3化學(xué)氣相沉積法/034
2.4硅烷及聚碳硅烷熱解法/036
2.5溶劑熱還原法/037
2.6碳化硅復(fù)合型載體的制備方法/040
2.6.1碳化硅衍生碳/040
2.6.2分子篩/碳化硅復(fù)合物/040
參考文獻(xiàn)/042

第3章高比表面積碳化硅作為多相催化劑載體/048
3.1高溫催化反應(yīng)/049
3.1.1甲烷重整制合成氣/049
3.1.2烷烴的氧化偶聯(lián)和脫氫反應(yīng)/057
3.2強(qiáng)放熱反應(yīng)/063
3.2.1費(fèi)托合成/063
3.2.2甲烷催化燃燒/066
3.2.3甲烷化反應(yīng)/069
3.2.4甲醇轉(zhuǎn)化/071
3.2.5其他放熱反應(yīng)/072
3.3苛刻條件下的反應(yīng)/073
3.3.1H2S的選擇性氧化/073
3.3.2合成氨/073
3.3.3硫酸分解反應(yīng)/074
參考文獻(xiàn)/075

第4章高比表面積碳化硅光催化應(yīng)用/082
4.1碳化硅光催化的一般原理/083
4.2光催化分解水/085
4.2.1純碳化硅光解水/086
4.2.2金屬/碳化硅光解水/090
4.2.3石墨烯碳化硅復(fù)合物光解水/091
4.2.4半導(dǎo)體碳化硅復(fù)合物光解水/093
4.3光催化降解有機(jī)污染物/094
4.4光催化CO2還原/098
4.5光催化有機(jī)合成/100
參考文獻(xiàn)/113

第5章高比表面積碳化硅電催化應(yīng)用/118
5.1電化學(xué)傳感器/119
5.1.1氣體檢測(cè)/119
5.1.2溶液中離子的檢測(cè)/121
5.1.3有機(jī)污染物及生物分子的檢測(cè)/122
5.2燃料電池催化劑/128
5.2.1氧氣還原催化劑/129
5.2.2甲醇氧化催化劑/131
5.3染料敏化太陽(yáng)能電池/137
5.3.1碳化硅光陽(yáng)極/138
5.3.2碳化硅對(duì)電極/139
5.4鋰離子電池材料/140
5.5超級(jí)電容器材料/145
參考文獻(xiàn)/148

第6章高比表面積碳化硅吸波材料/156
6.1材料吸收電磁波的機(jī)理/157
6.2SiC微粉的吸波性能/159
6.3納米SiC的吸波性能/161
6.4摻雜SiC的吸波性能/164
6.5SiC復(fù)合材料的吸波性能/166
參考文獻(xiàn)/168