系統(tǒng)與芯片ESD防護的協(xié)同設計

定　價：￥79.00

作　者：	[美] 弗拉迪斯拉夫·瓦什琴科（Vladislav Vashchenko）著，韓雁丁扣寶張世峰譯
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：	電子電氣工程師技術叢書
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111619192	出版時間：	2019-03-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	255	字數(shù)：

內容簡介

　　本書涉及模擬集成電路和系統(tǒng)關鍵方面的系統(tǒng)級靜電放電（ESD）保護設計。本書重點介紹嵌入式半導體集成電路（IC）、片上系統(tǒng)組件和集成電路系統(tǒng)級保護設計。本書基于IC系統(tǒng)的ESD保護的循序漸進的過程，結合集成電路級和系統(tǒng)級ESD測試方法的相關性探討，提供一個詳細可用的芯片級ESD測試方法。

作者簡介

　　Vladislav Vashchenko博士，于1987和1990年在莫斯科物理技術學院獲得工程物理碩士學位和半導體物理博士學位。他曾在美國國家半導體公司負責ESD組的技術開發(fā)。自2011年起，他在美信集成產品公司擔任ESD組的執(zhí)行董事，他和他的團隊主要負責ESD-IC協(xié)同設計的業(yè)務流程，包括ESD設計指南、閂鎖規(guī)則、新ESD技術開發(fā)、產品評價、自動閂鎖及ESD驗證和系統(tǒng)級認證。他擁有151項美國專利并發(fā)表超過120篇論文。 Mirko Scholz博士于2013年在布魯塞爾自由大學（VUB）獲得電氣工程博士學位，2015年至今在比利時微電子研究中心擔任高級研究員。他自2007年起擔任ESDA標準委員會成員，目前他是人體金屬模型（HMM）工作組的聯(lián)合主席。他撰寫或共同撰寫了ESD可靠性和ESD測試領域的100多種出版物、教程和專利。

圖書目錄

譯者序
前言
第1章　系統(tǒng)級ESD設計1
1.1　認識ESD事件1
1.1.1　IC和系統(tǒng)級ESD應力1
1.1.2　IC元器件和系統(tǒng)ESD設計趨勢2
1.2　片上ESD防護策略4
1.2.1　基于軌的ESD防護網(wǎng)絡7
1.2.2　局部鉗位網(wǎng)絡和兩級防護9
1.2.3　多電壓域14
1.3　片外ESD防護策略15
1.3.1　高集成度的趨勢：SoC和SiP15
1.3.2　ESD電壓抑制16
1.3.3　電容和信號完整性18
1.3.4　片外網(wǎng)絡的ESD抑制因素 20
1.4　基于ESD緊湊模型的防護網(wǎng)絡仿真24
1.4.1　低壓器件的ESD緊湊模型25
1.4.2　高壓器件的ESD緊湊模型26
1.5　用混合模式電路仿真進行片上ESD設計29
1.5.1　基于TCAD的工業(yè)級ESD開發(fā)流程29
1.5.2　參數(shù)化器件和工藝的新方法31
1.6　小結36
第2章　系統(tǒng)級測試方法37
2.1　板級測試方法38
2.1.1　一般電氣設備的IEC 61000-4-2標準和測試方法38
2.1.2　汽車標準 ISO 1060546
2.1.3　IEC 61000-4-5浪涌標準48
2.2　HMM測試53
2.2.1　具有ESD槍的HMM裝置54
2.2.2　50Ω的HMM裝置55
2.3　傳輸線脈沖表征56
2.3.1　TLP測試方法56
2.3.2　極快TLP測試方法60
2.4　ESD應力的瞬態(tài)波形表征63
2.4.1　ESD 波形校準64
2.4.2　HV電路的瞬態(tài)特性69
2.4.3　晶圓級HMM 裝置的瞬態(tài)特性71
2.5　HMM測試儀相關72
2.5.1　測試裝置和器件表征72
2.5.2　阻抗匹配和對失效水平的影響77
2.6　小結79
第3章　片上系統(tǒng)級ESD器件和鉗位81
3.1　片上ESD設計的重要入門知識81
3.1.1　局部鉗位和基于軌的防護網(wǎng)絡81
3.1.2　半導體結構的電導率調制84
3.1.3　集成工藝中ESD相關細節(jié)87
3.1.4　ESD脈沖域的SOA和自防護93
3.2　系統(tǒng)級防護的低壓ESD器件95
3.2.1　非回滯解決方案96
3.2.2　SCR和LVTSCR器件98
3.2.3　高維持電壓SCR103
3.2.4　低壓雙向器件105
3.3　系統(tǒng)級防護的高壓ESD器件108
3.3.1　高壓有源鉗位109
3.3.2　LDMOS-SCR器件110
3.3.3　高維持電壓HV器件：雪崩二極管114
3.3.4　橫向PNP ESD器件121
3.3.5　HV雙向器件124
3.4　ESD單元設計原理126
3.4.1　不受歡迎的多叉指開啟效應127
3.4.2　多晶硅鎮(zhèn)流克服多叉指開啟效應132
3.4.3　通過適當?shù)膯卧紙D工程克服多叉指不均勻開啟效應135
3.4.4　金屬化限制及優(yōu)化136
3.5　ESD 器件工藝能力指數(shù)139
3.5.1　對器件工藝能力指數(shù)的認識139
3.5.2　雪崩二極管擊穿的Cpk仿真143
3.5.3　NLDMOS-SCR鉗位的Cpk分析148
3.6　總結152
第4章　系統(tǒng)級應力下的閂鎖155
4.1　常規(guī)的I/O閂鎖和核心電路閂鎖156
4.1.1　閂鎖仿真結構156
4.2　高壓閂鎖163
4.2.1　n外延-n外延閂鎖163
4.2.2　有源保護環(huán)隔離和實驗對比170
4.2.3　高壓閂鎖抑制規(guī)則174
4.3　TLU174
4.3.1　TLU閂鎖測試175
4.3.2　電源軌中開關引腳的TLU176
4.3.3　TLU，基于獨立ESD器件的簡單網(wǎng)絡179
4.3.4　TLU，片上和片外防護網(wǎng)絡的影響181
4.4　應用案例184
4.4.1　LIN和CAN收發(fā)機185
4.4.2　CAN收發(fā)機案例研究188
4.5　總結191
第5章　IC與系統(tǒng)的ESD協(xié)同設計193
5.1　采用硅基TVS元器件進行片外ESD防護193
5.1.1　硅基TVS器件結構194
5.1.2　硅基TVS器件特性196
5.2　系統(tǒng)級ESD設計建模和仿真198
5.2.1　ESD測試模型198
5.2.2　ESD器件的行為模型198
5.2.3　TVS二極管模型200
5.2.4　板級無源元器件建模201
5.2.5　混合模式仿真203
5.3　基于數(shù)據(jù)手冊的系統(tǒng)級ESD防護設計204
5.4　IC與系統(tǒng)的ESD協(xié)同設計概念206
5.4.1　基于TLP數(shù)據(jù)的協(xié)同設計方法207
5.4.2　基于HMM測試的IC與系統(tǒng)協(xié)同設計209
5.4.3　基于TLP和HMM測試的協(xié)同設計流程215
5.5　系統(tǒng)感知片上ESD防護設計216
5.5.1　案例研究的實驗設置216
5.5.2　給外部IC引腳選擇合適的ESD鉗位器件216
5.5.3　基于先進CMOS工藝的協(xié)同設計222
5.5.4　元器件級ESD設計準則225
5.6　系統(tǒng)級ESD協(xié)同設計方法的比較229
5.6.1　基于數(shù)據(jù)手冊的設計230
5.6.2　基于TLP特性的設計236
5.6.3　基于HMM測試的設計優(yōu)化238
5.6.4　設計基準和比較239
5.7　總結241
5.8　展望24
參考文獻245
縮略詞表252