模擬電子系統(tǒng)設計指南：從半導體、分立元件到TI集成電路的分析與實現(xiàn)（基礎篇）

定　價：￥138.00

作　者：	何賓著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：	電子系統(tǒng)EDA新技術叢書
標　簽：	>電子通信 >工業(yè)技術 >一般性問題

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ISBN：	9787121326844	出版時間：	2017-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	684	字數(shù)：

內容簡介

　　本書從*基本的半導體ＰＮ結開始，以二極管、雙極結型晶體管、金屬氧化物半導體場效應管，以及美國ＴＩ公司的集成運算放大器、集成功率放大器、集成線性低壓降電源芯片、集成開關電源芯片為主線，系統(tǒng)介紹了半導體和PN結特性、半導體二極管的特性和分析、二極管電路的設計和分析、雙極結型晶體管的特性和分析、雙極結型晶體管放大電路應用、雙極結型晶體管電路反饋原理及穩(wěn)定分析、金屬氧化物半導體場效應管特性和電路分析、金屬氧化物半導體場效應管放大電路應用、運算放大器電路的設計和分析、集成差動放大器的原理和分析、運算放大器的性能指標、運算放大器電路穩(wěn)定性分析、高速放大器的原理和分析、有源濾波器的原理和設計、功率放大器的分析和設計、振蕩器的特性和分析、電源管理器的原理和應用、模擬-數(shù)字轉換器的原理及應用、數(shù)字-模擬轉換器的原理及應用等內容。本書的一大特色是將模擬電子系統(tǒng)理論知識和SPICE電路仿真進行系統(tǒng)化融合，通過理論計算及SPICE仿真結果，詮釋了模擬電子系統(tǒng)的本質；本書的另一大特色是通過與美國TI公司和美國NI公司的產(chǎn)、學、研深度合作，將*新的模擬電子設計理論和設計方法引入書中，使得本書內容能與時俱進，將更精彩的內容呈現(xiàn)給廣大讀者。本書適用于從事模擬系統(tǒng)設計的工程師，尤其適用于從事TI集成電路設計的工程師。同時，本書也可以作為高等學校模擬電子技術基礎課程的教學參考用書。

作者簡介

　　何賓，著名的嵌入式技術和EDA技術專家，長期從事電子設計自動化方面的教學和科研工作，與全球多家知名的半導體廠商和EDA工具廠商大學計劃保持緊密合作。目前已經(jīng)出版嵌入式和EDA方面的著作近30部，內容涵蓋電路仿真、電路設計、可編程邏輯器件、數(shù)字信號處理、單片機、嵌入式系統(tǒng)、片上可編程系統(tǒng)等。典型的代表作有《Xilinx FPGA設計*威指南》、《Altium Designer13.0電路設計、仿真與驗證*威指南》、《Xilinx FPGA數(shù)字設計-從門級到行為級的雙重描述》、《Xilinx FPGA數(shù)字信號處理*威指南-從HDL、模型到C的描述》、《模擬與數(shù)字系統(tǒng)協(xié)同設計*威指南-Cypress集成開發(fā)環(huán)境》、《STC單片機原理及應用》、《Altium Designer15.0電路仿真、設計、驗證與工藝實現(xiàn)*威指南》、《STC單片機C語言程序設計》。

圖書目錄

第1章模擬電子技術緒論
1.1電子技術的發(fā)展歷史
1.2模擬電子技術的目標
1.2.1模擬電子技術的基礎地位
1.2.2模擬電子技術的知識點結構
1.2.3模擬電子技術的研究角度
1.3模擬電子系統(tǒng)的評價和分析
方法
1.3.1理論分析方法類型
1.3.2理論分析方法的實質
1.3.3實際測試
第2章半導體和PN結特性
2.1半導體材料
2.1.1N型雜質
2.1.2P型雜質
2.1.3多子和少子
2.1.4費米函數(shù)
2.1.5載流子濃度
2.2零偏置PN結
2.2.1內建結電勢
2.2.2電場分布
2.2.3結電勢分布
2.2.4空間耗盡區(qū)寬度
2.3正偏PN結
2.3.1耗盡區(qū)寬度
2.3.2少子電荷分布
2.4反偏PN 結
2.4.1耗盡區(qū)寬度
2.4.2結電容
2.5結電流密度
2.6溫度依賴性
2.7高頻交流模型
2.7.1耗盡電容
2.7.2擴散電容
2.7.3正偏模型
2.7.4反偏模型
第3章半導體二極管的特性和
分析
3.1二極管的符號和分類
3.1.1二極管的符號
3.1.2二極管的分類
3.2二極管電壓和電流特性
3.2.1測試電路構建和分析
3.2.2查看和分析SPICE網(wǎng)表
3.2.3二極管SPICE模型描述
3.2.4二極管正偏電壓-電流
特性分析
3.2.5二極管反偏電壓-電流
特性分析
3.2.6二極管電壓-電流線性
化模型
3.3二極管溫度特性
3.3.1執(zhí)行二極管溫度掃描分析
3.3.2繪制和分析二極管溫度
特性圖
3.4二極管頻率特性
3.4.1波特圖工具的原理
3.4.2波特圖使用說明
3.4.3二極管頻率特性分析
3.5二極管額定功率特性
3.6發(fā)光二極管及其特性
3.7齊納二極管及其特性
3.7.1電壓電流特性
3.7.2電源管理器的設計
第4章二極管電路的設計和分析
4.1二極管整流器
4.1.1半波整流
4.1.2全波整流
4.1.3平滑整流器輸出
4.2二極管峰值檢測器
4.2.1二極管峰值檢測器原理
4.2.2包絡檢波器實現(xiàn)
4.3二極管鉗位電路
4.4二極管斬波器
4.4.1二極管斬波器原理
4.4.2二極管斬波器應用
4.5二極管倍壓整流器
4.6壓控衰減器
第5章雙極結型晶體管的特性和
分析
5.1晶體管基本概念
5.2雙極結型晶體管符號
5.3雙極結型晶體管SPICE
模型參數(shù)
5.4雙極結型晶體管工作原理
5.4.1雙極結型晶體管結構
5.4.2電壓、電流和電荷控制
5.4.3晶體管的α和β
5.4.4BJT工作區(qū)域
5.5雙極結型晶體管輸入和
輸出特性
5.5.1輸入特性
5.5.2輸出特性
5.6雙極結型晶體管電路模型及
分析方法
5.6.1直流模型
5.6.2大信號模型
5.6.3厄爾利效應
5.6.4小信號模型
5.7密勒定理及其分析方法
5.7.1密勒定理及其推導
5.7.2密勒定理的應用
5.7.3密勒效應
5.8雙極結型晶體管的直流
偏置
5.8.1有源電流源偏置
5.8.2單基極電阻偏置
5.8.3發(fā)射極電阻反饋偏置
5.8.4射極跟隨器偏置
5.8.5雙基極電阻偏置
5.8.6偏置電路設計
5.9共發(fā)射極放大器
5.9.1有源偏置共射極放大器
5.9.2電阻偏置共射極放大器
5.10共集電極放大器
5.10.1有源偏置射極跟隨器
5.10.2電阻偏置射極跟隨器
5.11共基極放大器
5.11.1輸入電阻Ri
5.11.2無負載電壓增益Avo
5.11.3輸出電阻Ro
5.12達林頓對晶體管
5.13直流電平移位和放大器
5.13.1電平移動方法
5.13.2電平移位的直流放大器
5.14雙極結型晶體管電路的
頻率響應
5.14.1高頻模型
5.14.2BJT頻率響應
5.15BJT放大器的頻率響應
5.15.1共發(fā)射極BJT放大器
5.15.2共集電極BJT放大器
5.15.3共基極BJT放大器
第6章雙極結型晶體管放大電路
應用
6.1BJT多級放大器及頻率
響應
6.1.1電容耦合
6.1.2直接耦合
6.1.3級聯(lián)晶體管
6.1.4頻率響應
6.2BJT電流源原理
6.2.1基本電流源
6.2.2改進型基本電流源
6.2.3Widlar電流源
6.2.4共射-共基電流源
6.2.5威爾遜電流源
6.2.6多重電流源
6.2.7零增益放大器
6.2.8穩(wěn)定電流源
6.3BJT差分放大器原理
6.3.1采用阻性負載的BJT
差分對
6.3.2采用基本電流鏡有源負載
的BJT差分放大器
6.3.3采用改進電流鏡的差分
放大器
6.3.4共射極-共基極差分放
大器
6.3.5差分放大器頻率響應
第7章雙極結型晶體管電路反饋
原理及穩(wěn)定分析
7.1放大器反饋機制類型
7.2放大器反饋特性
7.2.1閉環(huán)增益系數(shù)
7.2.2頻率響應
7.2.3失真
7.3放大器反饋結構
7.3.1串聯(lián)-并聯(lián)反饋結構
7.3.2串聯(lián)-串聯(lián)反饋結構
7.3.3并聯(lián)-并聯(lián)反饋結構
7.3.4并聯(lián)-串聯(lián)反饋結構
7.4放大器反饋分析
7.4.1串聯(lián)-并聯(lián)反饋結構
7.4.2串聯(lián)-串聯(lián)反饋結構
7.4.3并聯(lián)-并聯(lián)反饋結構
7.4.4并聯(lián)-串聯(lián)反饋結構
7.5放大器穩(wěn)定性分析
7.5.1閉環(huán)頻率和穩(wěn)定性
7.5.2瞬態(tài)響應和穩(wěn)定性
7.5.3閉環(huán)極點和穩(wěn)定性
7.5.4奈奎斯特穩(wěn)定準則
7.5.5相對穩(wěn)定性判定
7.5.6相位裕度的影響
7.5.7波特圖分析穩(wěn)定性方法
第8章金屬氧化物半導體場效應
管特性和電路分析
8.1金屬氧化物半導體場效應
管基礎
8.1.1金屬氧化物半導體場效應
管概述
8.1.2金屬氧化物場效應晶體管
符號
8.1.3金屬氧化物場效應管的基本
概念
8.1.4MOSFET的SPICE模型
參數(shù)
8.2增強型MOSFET
8.2.1內部結構
8.2.2工作模式
8.2.3工作特性
8.3耗盡型MOSFET
8.3.1內部結構
8.3.2工作模式
8.3.3工作特性
8.4MOSFET低頻模型
8.4.1直流模型
8.4.2小信號模型
8.4.3小信號分析
8.5MOSFET直流偏置
8.5.1MOSFET偏置電路原理
8.5.2MOSFET偏置電路設計
8.6共源極放大器
8.6.1采用電流源負載的共源極
放大器
8.6.2采用增強型MOSFET負載的
共源極放大器
8.6.3采用耗盡型MOSFET負載的
共源極放大器
8.6.4采用電阻負載的共源極
放大器
8.7共漏極放大器
8.7.1有源偏置的源極跟隨器
8.7.2電阻偏置的源極跟隨器
8.8共柵極放大器
8.9直流電平移位和放大器
8.9.1電平移動方法
8.9.2電平移位的MOSFET
放大器
8.10MOSFET放大器頻率響應
8.10.1MOSFET高頻模型
8.10.2共源極放大器頻率響應
8.10.3共漏極放大器頻率響應
8.10.4共柵極放大器頻率響應
第9章金屬氧化物半導體場效應
管放大電路應用
9.1MOSFET多級放大器及
頻率響應
9.1.1電容耦合級聯(lián)放大器
9.1.2直接耦合放大器
9.1.3共源-共柵放大器
9.2MOSFET電流源原理
9.2.1基本電流源
9.2.2改進型基本電流源
9.2.3多重電流源
9.2.4共源-共柵電流源
9.2.5威爾遜電流源
9.2.6零增益放大器
9.2.7穩(wěn)定電流源
9.3MOSFET差分放大器原理
9.3.1NMOSFET差分對
9.3.2采用有源負載的MOSFET
差分對
9.3.3共源-共柵MOSFET差分
放大器
9.4耗盡型MOSFET差分放大器
原理
9.4.1采用阻性負載的耗盡型
MOSFET差分對
9.4.2采用有源負載的耗盡型
MOSFET差分對
第10章運算放大器電路的設計
和分析
10.1集成運算放大器的原理
10.1.1集成運放的內部結構
10.1.2集成運放的通用符號
10.1.3集成運放的簡化原理
10.2理想運算放大器模型
10.2.1理想運算放大器的特點
10.2.2放大器“虛短”和
“虛斷”
10.2.3疊加定理
10.3理想運算放大器的分析
10.3.1同相放大器
10.3.2反相放大器
10.4運算放大器的應用
10.4.1電壓跟隨器
10.4.2加法器
10.4.3積分器
10.4.4微分器
10.4.5半波整流器
10.4.6全波整流器
10.5單電源供電運放電路
10.5.1單電源運放
10.5.2運算放大電路的基本
偏置方法
10.5.3其他一些基本的單電源
供電電路
第11章集成差動放大器的原理
和分析
11.1差分放大器的基本概念
11.2差分放大器
11.3儀表放大器
11.4電流檢測放大器
11.4.1低側電流測量方法
11.4.2高測電流檢測方法
11.5全差分放大器
11.5.1全差分放大器原理
11.5.2差分信號源匹配
11.5.3單端信號源匹配
11.5.4輸入共模電壓
第12章運算放大器的性能指標
12.1開環(huán)增益、閉環(huán)增益和
環(huán)路增益
12.2放大器直流精度
12.2.1放大器輸入端直流參數(shù)
指標
12.2.2放大器輸出端直流參數(shù)
指標
12.3放大器交流精度
12.3.1增益帶寬積
12.3.2壓擺率
12.3.3建立時間
12.3.4總諧波失真加噪聲
12.4其他指標
12.4.1共模抑制比
12.4.2電源噪聲抑制比
12.4.3電源電流
12.4.4運放噪聲
12.5精密放大器指標
12.5.1TI精密運算放大器
12.5.2精密放大器選型步驟
第13章運算放大器電路穩(wěn)定性分析
13.1運放電路穩(wěn)定性分析方法
13.2Aol和1/β的計算方法
13.3外部寄生電容對穩(wěn)定性的影響
13.3.1負載電阻影響的瞬態(tài)分析
13.3.2負載電阻影響的交流小信號
分析
13.4修改Aol的補償方法
13.4.1電路的瞬態(tài)分析
13.4.2電路的交流小信號分析
13.5