直拉單晶硅工藝技術（第二版）

緒論1
第1章單晶硅的基本知識3
1.1晶體和非晶體3
1.2單晶和多晶7
1.3空間點陣和晶胞8
1.4晶面和晶向11
1.5晶體的熔化和凝固15
1.6結晶過程的宏觀特征16
1.7晶核的形成17
1.8二維晶核的形成18
1.9晶體的長大19
1.10生長界面結構模型21
習題23
第2章直拉單晶爐25
2.1直拉單晶爐設備簡介25
2.2直拉單晶爐的結構26
2.3機械部分27
2.4電氣部分35
2.5直拉單晶爐的工作環(huán)境40
習題41
第3章直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場43
3.1熱系統(tǒng)43
3.2熱系統(tǒng)的安裝與對中46
3.3熱場47
3.4溫度梯度與單晶生長47
3.5熱場的調整51
習題52
第4章晶體生長控制器54
4.1CGC-101A型晶體生長控制器功能簡介54
4.2CGC-101A型晶體生長控制器的開關狀態(tài)說明55
4.3CGC-101A型晶體生長控制器的鍵盤操作說明56
4.4CGC-101A型晶體生長控制器參數(shù)設置及定義61
4.5CGC-101A型晶體生長控制器使用說明64
習題65
第5章原輔材料的準備67
5.1硅原料67
5.2石英坩堝72
5.3摻雜劑與母合金74
5.4其他材料75
5.5原輔材料的腐蝕和清洗76
5.6腐蝕原理及安全防護77
5.7自動硅料清洗機簡介78
習題80
第6章直拉單晶硅生長技術81
6.1直拉單晶硅工藝流程81
6.2拆爐及裝料82
6.3抽空及熔料86
6.4引晶及放肩88
6.5轉肩及等徑91
6.6收尾及停爐93
6.7拉速、溫校曲線的設定95
6.8堝升速度的計算方法97
6.9異常情況及處理方法99
習題101
第7章鑄錠多晶硅工藝102
7.1光伏產業(yè)簡介102
7.2鑄錠多晶硅爐的結構103
7.3鑄錠多晶硅工藝流程105
7.4鑄錠多晶硅的優(yōu)缺點108
習題109
第8章?lián)诫s技術110
8.1雜質110
8.2導電型號111
8.3熔硅中的雜質效應111
8.4雜質的分凝效應113
8.5Keff與K0的關系117
8.6結晶后固相中的雜質分布規(guī)律118
8.7摻雜121
習題125
附錄1硅的物理化學性質（300K）126
附錄2硅中雜質濃度和電阻率關系127
附錄3元素周期表128
附錄4立方晶系各晶面（或晶向）間的夾角129
附錄5塵室的分級標準130
參考文獻131