產業(yè)專利分析報告：芯片先進制造工藝（第50冊）

定　價：￥68.00

作　者：	張茂于著
出版社：	知識產權出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787513049535	出版時間：	2017-06-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	268	字數(shù)：

內容簡介

　　本書是芯片先進制造工藝行業(yè)的專利分析報告。報告從該行業(yè)的專利（國內、國外）申請、授權、申請人的已有專利狀態(tài)、其他先進國家的專利狀況、同領域領先企業(yè)的專利壁壘等方面入手，充分結合相關數(shù)據，展開分析，并得出分析結果。本書是了解該行業(yè)技術發(fā)展現(xiàn)狀并預測未來走向，幫助企業(yè)做好專利預警的必備工具書。

作者簡介

　　審查業(yè)務部的各報告課題組，及相關行業(yè)協(xié)會。每個課題組有20-30個人組成，分別進行數(shù)據收集、整理、分析、制圖、審核、統(tǒng)稿。

圖書目錄

第1章研究概述
1.1研究背景
1.1.1技術概況
1.1.2產業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對象和方法
1.2.1技術分解
1.2.2數(shù)據檢索
1.2.3查全率、查準率評估
1.2.4相關事項約定
第2章芯片制造工藝專利現(xiàn)狀分析
2.1概述
2.1.1外延工藝簡述
2.1.2光刻工藝簡述
2.1.3刻蝕工藝簡述
2.1.4摻雜工藝簡述
2.1.5銅互連工藝簡介
2.2全球專利申請狀況
2.2.1全球專利申請態(tài)勢分析
2.2.2全球主要申請人分析
2.2.3專利申請國別地區(qū)分布
2.3中國專利申請狀況
2.3.1中國專利申請態(tài)勢分析
2.3.2中國主要申請人分析
2.3.3法律狀態(tài)分析
2.4小結與建議
第3章光刻技術專利現(xiàn)狀分析
3.1概述
3.2浸沒式光刻技術的專利分析
3.2.1全球專利申請狀況
3.2.2中國專利申請狀況
3.3多重圖形光刻技術的專利分析
3.3.1全球專利申請狀況
3.3.2中國專利申請狀況
3.4電子束光刻技術的專利現(xiàn)狀
3.4.1全球專利申請狀況
3.4.2中國專利申請狀況
3.5小結與建議
第4章先進邏輯器件結構及其制造工藝專利現(xiàn)狀分析
4.1FinFET技術的專利現(xiàn)狀
4.1.1概述
4.1.2全球專利申請態(tài)勢分析
4.1.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.1.4FinFET技術發(fā)展路線
4.2FDSOI技術的專利現(xiàn)狀
4.2.1概述
4.2.2全球專利申請態(tài)勢分析
4.2.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.2.4FDSOI技術技術發(fā)展路線
4.3NWFET技術的專利現(xiàn)狀
4.3.1概述
4.3.2全球專利申請態(tài)勢分析
4.3.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.4小結與建議
第5章3D
NAND制造工藝的專利現(xiàn)狀分析
5.1概述
5.2全球專利申請態(tài)勢分析
5.2.1申請趨勢分析
5.2.2主要技術分布
5.2.3重要申請人分析
5.2.4重要發(fā)明人分析
5.3中國專利申請態(tài)勢分析
5.3.1申請趨勢分析
5.3.2主要申請人分析
5.4技術發(fā)展路線
5.4.1三星
5.4.2東芝
5.4.3海力士
5.5非實體生產公司專利布局
5.6小結與建議
第6章攻防分析
6.1旺宏與飛索
6.1.1旺宏專利狀況
6.1.2飛索專利狀況
6.1.3旺宏與飛索專利訴訟
6.1.4專利比對
6.1.5小結與建議
6.2海力士與東芝
6.2.1海力士專利狀況
6.2.2東芝專利狀況
6.2.3戰(zhàn)略聯(lián)盟
6.2.4海力士與東芝閃迪專利訴訟
6.2.5專利比對
6.2.6小結與建議
第7章結論
7.1主要結論
7.1.1晶圓處理工序及其關鍵步驟
7.1.2先進邏輯器件及其制造工藝
7.1.33D
NAND存儲器件及其制造工藝
7.1.4攻防分析
7.2主要建議
7.2.1企業(yè)建議
7.2.2行業(yè)建議
附錄
圖索引
表索引