半導體微系統(tǒng)制造技術

前言
第1章MEMS及微系統(tǒng)常用材料
1.1襯底和晶片
1.1.1硅材料
1.1.2硅化合物
1.1.3化合物半導體材料
1.2壓電材料
1.2.1壓電效應
1.2.2石英晶體
1.2.3壓電陶瓷
1.2.4聚偏二氟乙烯薄膜
1.2.5 Zn0壓電薄膜
1.3其他材料
1.3.1磁致伸縮材料
1.3.2形狀記憶合金
1.3.3膨脹合金
1.3.4金剛石材料
本章小結
習題
第2章 硅的各向同性腐蝕
2.1各向同性腐蝕原理
2.2影響各向同性腐蝕的因素
2.2.1 溫度的影響
2.2.2腐蝕液成分的影響
2.2.3成分配比對硅腐蝕形貌及角、棱的影響
2.3各向同性自停止腐蝕
本章小結
習題
第3章 陽極腐蝕
3.1陽極腐蝕原理
3.2影響陽極腐蝕的因素
3.2.1摻雜濃度的影響
3.2.2外部電壓及HF濃度的影響
3.3采用陽極腐蝕的自停止腐蝕方法
本章小結
習題
第4章硅的各向異性腐蝕
第5章電鈍化腐蝕
第6章自停止腐蝕技術
第7章非晶薄膜的腐蝕與表面微加工
第8章靜電鍵合技術
第9章硅熱鍵合技術
第10章超大規(guī)模集成電路工藝
第11章?lián)诫s工藝
第12章平坦化
參考文獻