集成電路制造工藝技術(shù)體系

第1章IC制造的技術(shù)特點(diǎn)與發(fā)展趨勢 1.1IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史與趨勢 1.2IC制造技術(shù)的特點(diǎn) 1.2.1以復(fù)雜的物理—化學(xué)過程為主，技術(shù)門檻高 1.2.2生產(chǎn)效率高 1.2.3能夠?qū)崿F(xiàn)異常復(fù)雜的電路功能 1.2.4應(yīng)用極為廣泛 1.2.5微電子加工技術(shù)可延伸應(yīng)用于相近的其他產(chǎn)業(yè)制造 1.3本書的線索和章節(jié)內(nèi)容安排 第2章半導(dǎo)體器件與工藝結(jié)構(gòu) 2.1總論 2，1.1器件：基于能級 2.1.2器件：基于能帶 2.2集成電路中的常規(guī)器件 2.2.1PN結(jié) 2.2.2雙極晶體管 2.2.3MOS晶體管 2.3工藝結(jié)構(gòu) 2.3.1雙極工藝 2.3.2NMOS 2.3.3CMOS 2.3.4BiCMOS 2.4其他器件及工藝結(jié)構(gòu) 2.4.1微機(jī)電系統(tǒng)器件 2.4.2太陽能電池 2.5新材料與新器件 2.5.1FinFET 2.5.2無結(jié)器件 2.5.3納米器件 2.5.4SiGe材料及SiGeHBT 2.5.5SiC與GaN 2.6微電子器件的表示 2.6.1結(jié)構(gòu)單元 2.6.2單元鏈、截面和微結(jié)構(gòu)體 2.6.3器件結(jié)構(gòu)分析 2.7總結(jié) 第3章IC制造單項(xiàng)工藝技術(shù) 3.1半導(dǎo)體材料的加工處理 3.1.1外延 3.1.2摻雜擴(kuò)散 3.1.3離子注入 3.2介質(zhì)／絕緣材料的加工處理 3.2.1氧化 3.2.2LPCVD 3.2.3PECVD 3.3互連工藝 3.3.1Al金屬化 3.3.2Cu金屬化 3.3.3多晶硅 3.3.4接觸 3.4位置與幾何形狀定義 3.4.1光刻 3.4.2刻蝕 3.4.3剝離 3.5輔助性工藝技術(shù) 3.5.1化學(xué)清洗 3.5.2熱處理 3.5.3平坦化與CMP 3.5.4工藝質(zhì)量監(jiān)控 3.6新工藝技術(shù)舉例 3.6.1ALD原子層淀積技術(shù) 3.6.2激光加工技術(shù) 3.7工藝庫 3.8總結(jié) 第4章IC制造工藝原理 4.1工藝模塊與流程 4.1.1LOCOS工藝模塊 4.1.2用于銅互連的大馬士革工藝 4.1.3CV測試短流程 4.1.4CMOS工藝 4.1.5BiCMOS工藝 4.2工藝結(jié)構(gòu)加工制造排序 4.2.1單元加工的排序及規(guī)則 4.2.2CMOS結(jié)構(gòu)工藝順序 4.2.3工藝流程的全展開 4.2.4工藝流程優(yōu)化 4.3工藝過程仿真 4.3.1仿真軟件簡介 4.3.2流程仿真實(shí)例 4.4正交實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 4.5總結(jié) 第5章IC制造工藝設(shè)備 5.1IC制造設(shè)備總論 5.2IC制造設(shè)備 5.2.1熱處理 5.2.2LPCVD 5.2.3離子注入機(jī) 5.2.4等離子體加工設(shè)備 5.2.5光刻及輔助工藝裝備 5.2.6電學(xué)測試 5.3總結(jié) 第6章IC制造的實(shí)施與優(yōu)化 6.1IC制造的生產(chǎn)規(guī)劃和作業(yè)調(diào)度 6.1.1IC設(shè)備的產(chǎn)能匹配 6.1.2IC制造單流程作業(yè)調(diào)度 6.1.3IC制造多流程作業(yè)調(diào)度 6.1.4生產(chǎn)過程的狀態(tài)跟蹤 6.2成品率控制技術(shù) 6.2.1統(tǒng)計(jì)控制 6.2.2動態(tài)工藝條件技術(shù) 6.2.3工藝診斷分析 6.3總結(jié) 參考文獻(xiàn) 附錄多晶發(fā)射極NPN晶體管工藝仿真代碼