產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告高端通用芯片（第40冊(cè)）

定　價(jià)：￥68.00

作　者：	楊鐵軍著
出版社：	知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社
叢編項(xiàng)：	產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告
標(biāo)　簽：	暫缺

購買這本書可以去

ISBN：	9787513043069	出版時(shí)間：	2016-06-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	280	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是高端通用芯片行業(yè)的專利分析報(bào)告。報(bào)告從該行業(yè)的專利（國內(nèi)、國外）申請(qǐng)、授權(quán)、申請(qǐng)人的已有專利狀態(tài)、其他先進(jìn)國家的專利狀況、同領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)的專利壁壘等方面入手，充分結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，展開分析，并得出分析結(jié)果。本書是了解該行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀并預(yù)測(cè)未來走向，幫助企業(yè)做好專利預(yù)警的必備工具書。

作者簡介

暫缺《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告高端通用芯片（第40冊(cè)）》作者簡介

圖書目錄

第1章前言/
1.1研究背景/
1.1.1技術(shù)概況/
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀/
1.1.3行業(yè)需求/
1.2研究對(duì)象和方法/
1.2.1數(shù)據(jù)檢索/
1.2.2查全查準(zhǔn)率評(píng)估/
1.2.3相關(guān)事項(xiàng)約定/
第2章新型高密度隨機(jī)存取存儲(chǔ)器/
2.1新型高密度隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)概況/
2.2MRAM專利分析/
2.2.1MRAM技術(shù)概況/
2.2.2全球?qū)＠暾?qǐng)狀況/
2.2.3中國專利申請(qǐng)狀況/
2.2.4關(guān)鍵技術(shù)分析/
2.2.5重要申請(qǐng)人分析/
2.2.6小結(jié)/
2.3RRAM專利分析/
2.3.1RRAM技術(shù)概況/
2.3.2全球?qū)＠暾?qǐng)狀況/
2.3.3中國專利申請(qǐng)狀況/
2.3.4小結(jié)/
2.4FRAM專利分析/
2.4.1全球?qū)＠暾?qǐng)狀況/
2.4.2中國專利申請(qǐng)狀況/
2.4.3小結(jié)/
2.5PRAM專利分析/
2.5.1技術(shù)概況/
2.5.2全球?qū)＠暾?qǐng)狀況/
2.5.3中國專利申請(qǐng)狀況/
2.5.4小結(jié)/
2.6本章小結(jié)/
目錄產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告（第40冊(cè)）第3章16nm/14nm技術(shù)專利分析/
3.1技術(shù)概況/
3.1.1FinFET/
3.1.2EUV光刻技術(shù)/
3.1.33D集成技術(shù)/
3.1.43D集成熱管理技術(shù)/
3.2FinFET/
3.2.1全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
3.2.2中國專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
3.2.3FinFET技術(shù)路線/
3.2.4英特爾與中芯國際的技術(shù)比較/
3.2.5小結(jié)/
3.3EUV光刻技術(shù)/
3.3.1全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
3.3.2中國專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
3.3.3EUV技術(shù)路線/
3.3.4小結(jié)/
3.43D集成技術(shù)/
3.4.1全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
3.4.2中國專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分布/
3.4.33D集成TSV技術(shù)分析/
3.4.4小結(jié)/
3.53D集成熱管理技術(shù)/
3.5.1熱管理技術(shù)概況/
3.5.2全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
3.5.3中國專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
3.5.4國際專利技術(shù)發(fā)展路線分析/
3.5.5中國專利技術(shù)發(fā)展路線分析/
3.5.6小結(jié)/
3.6本章小結(jié)/
第4章CPU指令系統(tǒng)專利分析/
4.1CPU指令系統(tǒng)綜述/
4.1.1技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀/
4.1.2產(chǎn)業(yè)鏈位置/
4.1.3小結(jié)/
4.2全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
4.2.1總體申請(qǐng)趨勢(shì)分析/
4.2.2區(qū)域分布分析/
4.2.3原創(chuàng)分布分析/
4.2.4申請(qǐng)流向分析/
4.2.5主要申請(qǐng)人分析/
4.3中國專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
4.3.1總體申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
4.3.2技術(shù)構(gòu)成分析/
4.3.3國別分析/
4.3.4主要申請(qǐng)人分析/
4.3.5區(qū)域分布分析/
4.4英特爾/
4.4.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
4.4.2重點(diǎn)技術(shù)主題分析/
4.4.3法律狀態(tài)分析/
4.4.4發(fā)明人分析/
4.4.5技術(shù)發(fā)展路線分析/
4.4.6專利申請(qǐng)熱點(diǎn)分析/
4.4.7重點(diǎn)專利分析/
4.5ARM/
4.5.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/
4.5.2重點(diǎn)技術(shù)主題分析/
4.5.3地域分布分析/
4.5.4技術(shù)發(fā)展路線分析/
4.5.5專利申請(qǐng)熱點(diǎn)分析/
4.5.6重點(diǎn)專利分析/
4.6小結(jié)/
第5章結(jié)論和建議/
5.1新型高密度存儲(chǔ)器領(lǐng)域/
5.1.1MRAM/
5.1.2RRAM/
5.1.3FRAM/
5.1.4PRAM/
5.216nm/14nm技術(shù)領(lǐng)域/
5.2.1FinFET/
5.2.2EUV光刻技術(shù)/
5.2.33D集成技術(shù)/
5.2.43D集成熱管理技術(shù)/
5.3CPU指令系統(tǒng)領(lǐng)域/
5.3.1專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)/
5.3.2CPU指令系統(tǒng)未來的發(fā)展/