硫化礦物浮選晶格缺陷理論

第1章 晶格缺陷對(duì)硫化礦物性質(zhì)及可浮性的影響
1.1 硫化礦物可浮性的差異
1.2 礦物的晶格缺陷
1.3 晶格缺陷對(duì)硫化礦物半導(dǎo)體性質(zhì)的影響
1.4 晶格缺陷與可浮性
參考文獻(xiàn)
第2章 固體物理及密度泛函理論概述
2.1 固體物理歷史簡(jiǎn)介
2.2 品體的結(jié)構(gòu)
2.3 倒易點(diǎn)陣和第一布里淵區(qū)
2.4 布洛赫定理
2.5 密度泛函理論
參考文獻(xiàn)
第3章 晶格缺陷對(duì)硫化礦物體相陛質(zhì)的影響
3.1 計(jì)算模型和參數(shù)
3.2 品格缺陷的形成能
3.3 晶格缺陷對(duì)硫化礦物品胞參數(shù)的影響
3.4 晶格缺陷對(duì)硫化礦物半導(dǎo)體類(lèi)型和帶隙的影響
3.5 品格缺陷對(duì)硫化礦物費(fèi)米能級(jí)的影響
3.6 晶格缺陷對(duì)硫化礦物前線(xiàn)軌道的影響
3.7 晶格缺陷對(duì)硫化礦物電子結(jié)構(gòu)的影響
3.8 品格缺陷對(duì)硫化礦物電荷和鍵極性的影響
3.9 晶格缺陷對(duì)硫化礦物電荷密度的影響
參考文獻(xiàn)
第4章 晶格缺陷對(duì)硫化礦物表面結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響
4.1 硫化礦物表面結(jié)構(gòu)模型
4.2 空位缺陷對(duì)硫化礦物表面電子結(jié)構(gòu)的影響
4.3 雜質(zhì)對(duì)硫化礦物表面電子結(jié)構(gòu)的影響
4.4 雜質(zhì)對(duì)硫化礦表面電荷和鍵極性的影響
4.5 晶格缺陷對(duì)硫化礦表面電荷密度的影響
參考文獻(xiàn)
第5章 晶格缺陷對(duì)硫化礦物表面氧化的影響
5.1 氧分子在理想硫化礦物表面的吸附
5.2 空位缺陷對(duì)氧分子吸附的影響
5.3 雜質(zhì)原子對(duì)閃鋅礦表面吸附氧分子的影響
5.4 雜質(zhì)原子對(duì)黃鐵礦表面吸附氧分子的影響
5.5 雜質(zhì)原子對(duì)方鉛礦表面吸附氧分子的影響
參考文獻(xiàn)
第6章 晶格缺陷對(duì)硫化礦物活化的影響
6.1 硫化礦物表面銅活化模型
6.2 空位缺陷對(duì)硫化礦物表面銅活化的影響
6.3 雜質(zhì)對(duì)硫化礦物表面銅活化的影響
6.4 含缺陷黃鐵礦表面吸附銅原子的電子態(tài)密度
參考文獻(xiàn)
第7章 晶格缺陷對(duì)捕收劑分子在硫化礦物表面吸附的影響
7.1 礦物表面空位缺陷對(duì)捕收劑分子吸附的影響
7.2 雜質(zhì)原子對(duì)黃藥分子在黃鐵礦表面吸附的影響
7.3 雜質(zhì)原子對(duì)黃藥、黑藥和硫氮分子在方鉛礦表面吸附的影響
7.4 雜質(zhì)對(duì)閃鋅礦表面黃藥作用產(chǎn)物的影響
參考文獻(xiàn)
第8章 晶格缺陷對(duì)硫化礦物抑制行為的影響
8.1 晶格缺陷對(duì)黃鐵礦堿性介質(zhì)抑制的影響
8.2 晶格缺陷對(duì)硫氫根吸附的影響
8.3 晶格缺陷對(duì)氰化物分子吸附的影響
8.4 品格缺陷對(duì)鉻酸根分子在方鉛礦表面吸附的影響
參考文獻(xiàn)
第9章 晶格缺陷對(duì)方鉛礦表面吸附熱動(dòng)力學(xué)行為的影響
9.1 摻雜方鉛礦的合成與表征
9.2 雜質(zhì)對(duì)方鉛礦浮選行為的影響
9.3 雜質(zhì)對(duì)方鉛礦表面微量吸附熱的影響
9.4 雜質(zhì)對(duì)方鉛礦表面吸附黃藥動(dòng)力學(xué)的影響
參考文獻(xiàn)
第10章 晶格缺陷對(duì)方鉛礦電化學(xué)行為的影響
10.1 雜質(zhì)對(duì)方鉛礦電極活性的影響
10.2 不同介質(zhì)中含雜質(zhì)方鉛礦的氧化行為
10.3 含雜質(zhì)方鉛礦與黃藥的電化學(xué)作用
10.4 雜質(zhì)對(duì)氫氧化鈣抑制方鉛礦電化學(xué)行為的影響
10.5 雜質(zhì)對(duì)硫化鈉抑制方鉛礦電化學(xué)行為的影響
參考文獻(xiàn)