稀土摻雜鈮酸鋰單晶的光譜特性

定　價(jià)：￥56.00

作　者：	孫亮，李艾華，代麗著
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	工業(yè)技術(shù) 一般工業(yè)技術(shù)

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ISBN：	9787030356765	出版時(shí)間：	2013-04-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	227	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　前言稀土離子上轉(zhuǎn)換發(fā)光是沿兩條途徑發(fā)展的：一是如何提高上轉(zhuǎn)換熒光的強(qiáng)度，二是拓寬上轉(zhuǎn)換熒光的光譜范圍。對(duì)于稀土摻雜單晶材料的上轉(zhuǎn)換發(fā)光研究來(lái)說(shuō)，研究者們最希望達(dá)到的目標(biāo)是研發(fā)短波長(zhǎng)上轉(zhuǎn)換的激光器，鈮酸鋰波導(dǎo)中的稀土離子位于具備確定光譜特性的晶格位，能減小非均勻加寬進(jìn)而擁有更好的泵浦效率，所以鈮酸鋰波導(dǎo)微型激光器研制方面具有相當(dāng)大的潛力。鈮酸鋰晶體具有優(yōu)良的電光效應(yīng)和非線性光學(xué)效應(yīng)，是應(yīng)用廣泛的多功能晶體。而鈮酸鋰晶體因摻雜不同的離子具備多種優(yōu)異的光學(xué)特性備受人們青睞。稀土離子的一個(gè)特點(diǎn)是具備豐富的能級(jí)結(jié)構(gòu)，故將其常用作激活離子摻雜到晶體中。稀土摻雜鈮酸鋰晶體是結(jié)合了鈮酸鋰晶體的非線性和稀土離子的上轉(zhuǎn)換特性，一直是晶體材料研究的熱點(diǎn)。？目前，鈮酸鋰晶體在理論和應(yīng)用方面有待繼續(xù)開發(fā)。近10年作者對(duì)稀土鈮酸鋰進(jìn)行了大量系統(tǒng)的研究，主要集中以下幾個(gè)方面：①稀土單摻鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)、缺陷結(jié)構(gòu)及摻雜離子在晶體中的占位；②稀土雙摻鈮酸鋰晶體的缺陷結(jié)構(gòu)及摻雜離子在晶體中的占位；③稀土單摻鈮酸鋰晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光特性；④稀土雙摻鈮酸鋰晶體的上轉(zhuǎn)化發(fā)光特性及其應(yīng)用；⑤稀土雙摻雜鈮酸鋰晶體的抗光損傷性能。本書系統(tǒng)地闡述了稀土摻雜鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)、缺陷結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用以及它們之間的密切關(guān)系，將稀土離子的特性和鈮酸鋰晶體在應(yīng)用中有機(jī)結(jié)合，具有廣泛的應(yīng)用前景。本書總共分為九章：第一章是緒論，第二章是稀土摻雜鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)，第三章是稀土/抗光損傷元素雙摻鈮酸鋰晶體的缺陷結(jié)構(gòu)，第四章是稀土摻雜鈮酸鋰單晶的吸收光譜及Judd？Ofelt理論分析，第五章是稀土離子單晶鈮酸鋰晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光特性，第六章是Nd/Yb/RE三摻雜鈮酸鋰晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光特性，第七章是Er/抗光損傷離子雙摻鈮酸鋰晶體的近紅外發(fā)射特性，第八章是上轉(zhuǎn)換發(fā)光的應(yīng)用，第九章是稀土/抗光損傷離子雙摻雜鈮酸鋰晶體的抗光損傷性能。？第一、三、四章由宜賓學(xué)院孫亮、王藩侯、高曾輝撰寫，第二、六、八章由廈門大學(xué)李艾華撰寫，第五、七、九章由哈爾濱理工大學(xué)代麗撰寫。全書由孫亮、李艾華與宜賓學(xué)院李強(qiáng)統(tǒng)審。？由于作者水平有限，撰寫差錯(cuò)在所難免，敬請(qǐng)讀者批評(píng)指正。？此外，本書在寫作和出版過(guò)程中得到下列項(xiàng)目的支持：①國(guó)家自然科學(xué)基金（編號(hào)：50902027）；②國(guó)家博士后特別資助項(xiàng)目（編號(hào)：200902390）；③中國(guó)博士后基金（編號(hào)：2012M520759）；④教育部博士點(diǎn)基金（編號(hào)：20092302120030）；？⑤國(guó)？家博士后一等資助項(xiàng)目（編號(hào)：20080440128）；⑥黑龍江省博士后二等資助項(xiàng)目（編號(hào)：LBH？Z08144）；⑦宜賓市科技計(jì)劃項(xiàng)目（編號(hào)：2010SF035、2011ZSF004）。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《稀土摻雜鈮酸鋰單晶的光譜特性》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

前言
第一章緒論
1.1 鈮酸鋰晶體概述
1.1.1 鈮酸鋰晶體的結(jié)構(gòu)
1.1.2 鈮酸鋰晶體中的本征缺陷
1.1.3 鈮酸鋰晶體中的非本征缺陷
1.1.4 鈮酸鋰晶體的抗光損傷能力
1.2 稀土離子的光譜性質(zhì)
參考文獻(xiàn)
第二章稀土摻雜鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)
2.1 提拉法生長(zhǎng)鈮酸鋰晶體
2.1.1 原料的配比
2.1.2 晶體的生長(zhǎng)設(shè)備
2.1.3 晶體的生長(zhǎng)過(guò)程
2.1.4 晶體生長(zhǎng)的工藝參數(shù)
2.2 稀土離子單摻鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)
2.3 稀土離子/抗光損傷元素雙摻鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)
2.4 稀土離子三摻鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)
2.5 化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)
2.6 晶體的極化及加工
2.6.1 晶體的極化
2.6.2 晶片的加工
2.7 晶體組分測(cè)試
參考文獻(xiàn)
第三章稀土/抗光損傷元素雙摻鈮酸鋰晶體的缺陷結(jié)構(gòu)
3.1 紅外吸收光譜測(cè)試
3.2 Ho/抗光損傷離子雙摻LN晶體中摻雜離子的分凝系數(shù)
3.3 Er/Mg：LN的紅外光譜分析
3.4 雙摻Er/In：LN晶體的紅外光譜分析
3.5 雙摻Er/Sc：LN晶體的紅外光譜分析
3.6 雙摻Ho/Mg：LN的紅外光譜分析
3.7 雙摻Ho/In：LN的紅外光譜分析
3.8 雙摻Ho/Hf：LN的紅外光譜分析
3.9 鉺/抗光損傷元素雙摻鈮酸鋰晶體的紫外吸收邊分析
3.10 鈥/抗光損傷元素雙摻鈮酸鋰晶體的紫外吸收邊分析
參考文獻(xiàn)
第四章稀土摻雜鈮酸鋰單晶的吸收光譜及Judd-ofelt理論分析
4.1 吸收光譜的測(cè)量方法及能級(jí)位置的確定
4.1.1 吸收光譜
4.1.2 通過(guò)吸收光譜確定激發(fā)態(tài)能級(jí)位置
4.2 Judd-Ofelt理論介紹
4.2.1 電偶極躍遷的J-O理論
4.2.2 三參量J-O公式
4.3 Er：LN晶體的Judd-Ofelt理論分析及結(jié)果
4.3.1 Er：CLN晶體的J-O理論分析
4.3.2 Er/Mg：CLN晶體的J-O理論分析
4.3.3 Er/Zn：CLN晶體的J-O理論分析
4.3.4 Er/In：CLN晶體的J-O理論分析
4.3.5 Er/Sc：CLN晶體的J-O理論分析
4.3.6 Er/Hf：CLN晶體的J-O理論分析
4.3.7 抗光損傷離子雙摻對(duì)Er：LN光譜特性的影響
4.3.8 Er/Mg：sLN晶體的J-O理論分析
4.4 Ho：LN的Judd_Ofelt理論分析及結(jié)果
4.4.1 Ho：LN晶體的J-O理論分析
4.4.2 Ho/Mg：LN晶體的J-O理論分析
4.4.3 Ho/In：LN晶體的J-O理論分析
4.4.4 Ho/Hf：LN晶體的J-O理論分析
4.5 Dy：LN的J-O理論分析及結(jié)果
4.5.1 Dy：LN晶體的J-O理論分析
4.5.2 Dy/Zn：LN晶體的J-O理論分析
參考文獻(xiàn)
第五章稀土離子單摻LN晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光特性
5.1 上轉(zhuǎn)換熒光測(cè)試方法
5.2 Er：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
5.2.1 Er：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制
5.2.2 Er：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光效率
5.2.3 Mg2+摻雜對(duì)Er/Mg：LN晶體上轉(zhuǎn)換發(fā)光的影響
5.2.4 Mg2+摻雜對(duì)Er/Mg：SLN晶體光譜位的影響
5.3 Ho：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光及上轉(zhuǎn)換過(guò)程
5.3.1 雙摻Ho/Mg：LN晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
5.3.2 雙摻Ho/In：LN晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
5.3.3 雙摻Ho/Hf：LN晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
5.4 Dy：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
5.4.1 Dy：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
5.4.2 Dy/Er：LN中的能量傳遞
5.5 Eu：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
5.5.1 Eu：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制
5.5.2 5Do→7Fo躍遷的機(jī)制：J混
5.6 Tb：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光
參考文獻(xiàn)
第六章 Nd/Yb/RE三摻LN晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光特性
6.1 Nd3+→Yb3+的能量傳遞特性
6.2 Nd/Yb/Ho：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光及上轉(zhuǎn)換過(guò)程
6.3 Nd/Yb/Tm：LN的上轉(zhuǎn)換發(fā)光及上轉(zhuǎn)換過(guò)程
參考文獻(xiàn)
第七章 Er/抗光損傷離子雙摻LN晶體的近紅外發(fā)射特性
7.1 近紅外1.54/靘波段發(fā)射性能測(cè)試系統(tǒng)
7.2 雙摻Er/Mg：LN晶體的近紅外發(fā)射性能
7.2.1 近紅外穩(wěn)態(tài)熒光光譜
7.2.2 1.54靘處的熒光衰減特性
7.3 雙摻Er/In：LN晶體的近紅外發(fā)射性能
7.3.1 近紅外穩(wěn)態(tài)熒光光譜
7.3.2 1.54tzm處的熒光衰減特性
7.4 雙摻Er/Sc：LN晶體的近紅外發(fā)射性能
7.4.1 近紅外穩(wěn)態(tài)熒光光譜
7.4.2 1.54靘處的熒光衰減特性
參考文獻(xiàn)
第八章上轉(zhuǎn)換發(fā)光的應(yīng)用
8.1 溫度傳感
8.2 紅外上轉(zhuǎn)換中間能級(jí)的可見區(qū)測(cè)定
8.3 晶體結(jié)構(gòu)探針
參考文獻(xiàn)
第九章稀土/抗光損傷離子雙摻鈮酸鋰晶體的抗光損傷性能
9.1 抗光損傷能力測(cè)試裝置
9.2 Er/抗光損傷離子：LN晶體的抗光損傷性能
9.2.1 Er/Mg：LN晶體的抗光損傷性能
9.2.2 Er/In：LN晶體的抗光損傷性能
9.2.3 Er/Sc：LN晶體的抗光損傷性能
9.2.4 抗光損傷能力增強(qiáng)機(jī)理
9.3 Ho/抗光損傷離子：LN晶體的抗光損傷性能
9.3.1 Ho/Mg：LN晶體的抗光損傷性能
9.3.2 Ho/In：LN晶體的抗光損傷性能
9.3.3 Ho/Hf：LN晶體的抗光損傷性能
9.3.4 抗光損傷能力增強(qiáng)機(jī)理
參考文獻(xiàn)