近代物理實(shí)驗(yàn)

前言
第1章 原子物理實(shí)驗(yàn)
1.1 氫原子光譜
1.2 塞曼效應(yīng)
1.3 弗蘭克-赫茲實(shí)驗(yàn)
1.4 密立根油滴實(shí)驗(yàn)
第2章 核物理實(shí)驗(yàn)
2.0 核物理實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)知識
2.1 核衰變的統(tǒng)計規(guī)律
2.2 γ射線能譜測量
第3章 激光和光學(xué)實(shí)驗(yàn)
3.1 全息照相
3.2 全息干涉計量
3.3 彩虹全息
3.4 晶體的電光效應(yīng)及電光調(diào)制
3.5 普朗克常量的光電效應(yīng)法測定
3.6 光電器件的光譜靈敏度
3.7 橢偏法測薄膜厚度和折射率
3.8 光拍頻法測量光速
第4章 微波和磁共振實(shí)驗(yàn)
4.0 微波基礎(chǔ)知識
4.1 微波分光實(shí)驗(yàn)
4.2 微波順磁共振
4.3 鐵磁共振
4.4 核磁共振
4.5 脈沖核磁共振
4.6 光泵磁共振
第5章 磁學(xué)實(shí)驗(yàn)
5.0 磁化率及磁性物質(zhì)的分類
5.1 弱磁性物質(zhì)磁化率的測量
5.2 法拉第效應(yīng)實(shí)驗(yàn)
5.3 磁疇的靜態(tài)特性參數(shù)測量
5.4 法拉第效應(yīng)法觀測磁晶各向異性
5.5 龐磁電阻材料電阻率和磁電阻的溫度特性測量
5.6 溶膠-凝膠法制備粉體材料
第6章 半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)
6.1 半導(dǎo)體霍爾系數(shù)與電導(dǎo)率的測量
6.2 C-U法測量Si-SiO2界面態(tài)和半導(dǎo)體摻雜濃度
6.3 用化學(xué)氣相沉積法制備半導(dǎo)體薄膜
第7章 真空鍍膜技術(shù)
7.1 真空的獲得與測量
7.2 真空鍍膜
7.3 射頻濺射法制備Si-SiO2薄膜
7.4 磁控濺射法制備磁性多層膜
第8章 電子衍射和X射線衍射
8.1 電子衍射
8.2 晶體缺陷的研究
8.3 X射線衍射技術(shù)
8.4 掃描隧道顯微鏡
第9章 低溫物理實(shí)驗(yàn)
9.1 超導(dǎo)材料的電磁特性
9.2 Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)高溫超導(dǎo)單晶生長及表征
第10章 鐵電材料實(shí)驗(yàn)
10.0 鐵電材料基礎(chǔ)知識
10.1 鐵電材料電滯回線的測量
10.2 固相反應(yīng)法制備鐵電材料