納米材料與納米技術(shù)

緒論
第一章 計(jì)量和標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)知識(shí)
1.1 計(jì)量
1.1.1 基本概念
1.1.2 測(cè)量方法及其分類
1.1.3 測(cè)量的實(shí)施
1.1.4 不確定度與誤差的概念
1.1.5 納米計(jì)量
1.2 標(biāo)準(zhǔn)（標(biāo)準(zhǔn)化）
1.2.1 基本概念
1.2.2 標(biāo)準(zhǔn)的種類
1.2.3 納米檢測(cè)涉及的標(biāo)準(zhǔn)
1.2.4 標(biāo)準(zhǔn)的查閱
1.2.5 標(biāo)準(zhǔn)在促進(jìn)社會(huì)發(fā)展的重要性和挑戰(zhàn)
1.3 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
1.3.1 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的定義
1.3.2 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的基本要求
1.3.3 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的級(jí)別
1.3.4 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的用途
1.3.5 有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的使用
第二章 透射電子顯微鏡
2.1 基本原理
2.1.1 主要結(jié)構(gòu)及功能
2.1.2 電子光源
2.1.3 主要性能指標(biāo)
2.1.4 像差及其起源
2.1.5 電子束與物質(zhì)相互作用的機(jī)制與產(chǎn)生的信息
2.1.6 幾種成像模式
2.1.7 像襯理論
2.1.8 常用樣品制備技術(shù)
2.1.9 常用附件
2.2 TEM的應(yīng)用領(lǐng)域
2.2.1 TEM應(yīng)用領(lǐng)域
2.2.2 TEM使用中的問題
2.3 TEM的應(yīng)用實(shí)例
2.3.1 碳納米管
2.3.2 薄膜材料、器件
2.3.3 調(diào)制結(jié)構(gòu)
第三章 掃描電子顯微鏡
3.1 基本原理
3.1.1 掃描電鏡的工作原理
3.1.2 電子束與固體樣品相互作用時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)
3.1.3 掃描電鏡的構(gòu)造
3.1.4 掃描電鏡的成像原理
3.1.5 掃描電鏡的性能和特點(diǎn)
3.1.6 掃描電鏡的試樣制備
3.1.7 能譜儀
3.2 用途
3.2.1 表面形貌觀察
3.2.2 組織結(jié)構(gòu)觀察
3.2.3 顆粒大小分析
3.2.4 斷口性質(zhì)分析
3.2.5 微區(qū)成分分析
3.3 應(yīng)用領(lǐng)域
第四章 掃描探針顯微鏡
4.1 掃描隧道顯微鏡（STM）
4.1.1 STM工作原理
4.1.2 STM針尖概述
4.1.3 STM的應(yīng)用
4.2 原子力顯微鏡（AFM）
4.2.1 AFM的基本原理
4.2.2 AFM的工作模式
4.2.3 AFM應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)
4.3 摩擦力顯微鏡（LFM）
4.4 磁力顯微鏡（MFM）和靜電力顯微鏡（EFM）
4.5 化學(xué)力顯微鏡（CFM）
4.6 掃描探針顯微鏡發(fā)展與展望
第五章 X射線衍射分析
5.1 基本原理
5.1.1 X射線物理學(xué)基礎(chǔ)
5.1.2 晶體學(xué)基礎(chǔ)
5.1.3 晶體對(duì)X射線的衍射
5.1.4 X射線衍射儀
5.2 用途
5.2.1 物相定性分析
5.2.2 物相定量分析
5.2.3 晶粒度測(cè)定
5.2.4 結(jié)晶度測(cè)定
5.2.5 點(diǎn)陣參數(shù)精密測(cè)定
5.2.6 宏觀殘余應(yīng)力測(cè)定
5.2.7 織構(gòu)測(cè)定
5.2.8 高溫原位反應(yīng)、物質(zhì)結(jié)構(gòu)變化的測(cè)定和在線分析
5.3 在納米材料中的實(shí)際應(yīng)用
5.3.1 納米材料的晶態(tài)物相組成定性定量分析
5.3.2 納米材料的平均晶粒尺寸大小的測(cè)定
5.3.3 介孔材料的孔結(jié)構(gòu)（晶型和大?。y(cè)定
5.3.4 高溫原位反應(yīng)在研究納米碳纖維中的應(yīng)用
第六章 粒度分析
6.1 基本概念
6.1.1 顆粒與顆粒系
6.1.2 各類平均粒徑的定義
6.1.3 常見粒度測(cè)量方法及其粒徑的表征
6.1.4 粒度測(cè)量結(jié)果的表示方法
6.2 顆粒在液體中的分散過程和樣品的制備方法
6.2.1 顆粒在液體中的分散過程
6.2.2 樣品制備
6.3 激光衍射法粒度測(cè)量
6.3.1 測(cè)量原理
6.3.2 測(cè)量裝置
6.3.3 儀器的校準(zhǔn)與檢驗(yàn)
6.3.4 樣品的制備
6.3.5 測(cè)量過程
6.3.6 應(yīng)用實(shí)例
6.4 光子相關(guān)法粒度分析
6.4.1 測(cè)量原理
6.4.2 測(cè)量裝置
6.4.3 儀器的校準(zhǔn)與檢驗(yàn)
6.4.4 樣品的制備
6.4.5 測(cè)量過程
6.4.6 影響測(cè)量準(zhǔn)確度的幾個(gè)因素
6.4.7 應(yīng)用實(shí)例
第七章 納米薄膜測(cè)量
7.1 納米級(jí)薄膜測(cè)量儀器簡介
7.2 橢圓偏振儀
7.2.1 橢圓偏振儀的基本工作原理及其結(jié)構(gòu)分類
7.2.2 橢圓偏振儀的測(cè)量與分析
7.2.3 橢圓偏振儀的主要應(yīng)用與舉例
7.3 臺(tái)階儀
7.3.1 臺(tái)階儀的定義及其分類
7.3.2 臺(tái)階儀的主要影響因素
7.4 橢圓偏振儀和臺(tái)階儀在納米薄膜測(cè)量中的分析、比對(duì)和展望
第八章 BET氮吸附法測(cè)量比表面積
8.1 基本概念
8.2 測(cè)量原理
8.3 計(jì)算方法
8.3.1 多點(diǎn)法（Multi-point）測(cè)量
8.3.2 單點(diǎn)法（Single-point）測(cè)量
8.4 測(cè)量方法
8.4.1 容積法
8.4.2 重量法
8.4.3 載氣法
8.5 樣品制備
8.6 測(cè)量過程
8.7 對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響因素
8.8 應(yīng)用實(shí)例
第九章 納米力學(xué)測(cè)試儀
9.1 納米壓痕技術(shù)及其應(yīng)用
9.1.1 納米壓痕實(shí)驗(yàn)的基本原理
9.1.2 納米壓痕實(shí)驗(yàn)技術(shù)
9.1.3 納米壓痕技術(shù)應(yīng)用
9.2 納米刻劃技術(shù)及其應(yīng)用
9.2.1 納米刻劃技術(shù)
9.2.2 納米刻劃技術(shù)應(yīng)用
第十章 納米薄膜及多層膜厚度測(cè)量方法及實(shí)例
10.1 納米薄膜厚度測(cè)量的必要性及常用的方法
10.2 樣品制備及測(cè)量
10.2.1 樣品的制備
10.2.2 納米多層膜的厚度測(cè)量
10.2.3 納米薄膜的厚度測(cè)量及誤差分析