多媒體技術(shù)應用（第3版）

第1章　集成電路設計概述
　1.1　集成電路的發(fā)展
　1.2　集成電路設計流程及設計環(huán)境
　1.3　集成電路制造途徑
　1.4　集成電路設計的知識范圍
　思考題
第2章　集成電路材料、結(jié)構(gòu)與理論
　2.1　集成電路材料
　　2.1.1　硅
　　2.1.2　砷化鎵
　　2.1.3　磷化銦
　　2.1.4　絕緣材料
　　2.1.5　金屬材料
　　2.1.6　多晶硅
　　2.1.7　材料系統(tǒng)
　2.2　半導體基礎知識
　　2.2.1　半導體的晶體結(jié)構(gòu)
　　2.2.2　本征半導體與雜質(zhì)半導體
　2.3　PN結(jié)與結(jié)型二極管
　　2.3.1　PN結(jié)的擴散與漂移
　　2.3.2　PN結(jié)型二極管
　　2.3.3　肖特基結(jié)二極管
　　2.3.4　歐姆型接觸
　2.4　雙極型晶體管
　　2.4.1　雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)
　　2.4.2　雙極型晶體管的工作原理
　2.5　MOS晶體管
　　2.5.1　MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)
　　2.5.2　MOS晶體管的工作原理
　　2.5.3　MOS晶體管的伏安特性
　思考題
　本章參考文獻
第3章　集成電路基本工藝
　3.1 外延生長
　3.2　掩模版的制造
　3.3　光刻原理與流程
　　3.3.1　光刻步驟
　　3.3.2　曝光方式
　3.4　氧化
　3.5　淀積與刻蝕
　3.6　摻雜原理與工藝
　思考題
　本章參考文獻
第4章　集成電路器件工藝
　4.1　雙極型集成電路的基本制造工藝
　　4.1.1　雙極型硅工藝
　　4.1.2　HBT工藝
　4.2　MESFET和HEMT工藝
　　4.2.1　MESFET工藝
　　4.2.2　HEMT工藝
　4.3　MOS和相關的VLSl工藝
　　4.3.1　PMOS工藝
　　4.3.2　NMOS工藝
　　4.3.3　CMOS工藝
　4.4　BiCMOS工藝
　思考題
　本章參考文獻
第5章　MOS場效應管的特性
　5.1　MOS場效應管
　　5.1.1　MOS管伏安特性的推導
　　5.1.2　MOS電容的組成
　　5.1.3　MOS電容的計算
　5.2　MOS FET的閡值電壓VT
　5.3　體效應
　5.4　MOSFET的溫度特性
　5.5　MOSFET的噪聲
　5.6　MOSFET尺寸按比例縮小
　5.7　MOS器件的二階效應
　　5.7.1　L和W的變化
　　5.7.2　遷移率的退化
　　5.7.3　溝道長度的調(diào)制
　　5.7.4　短溝道效應引起的閾值電壓的變化
　　5.7.5　狹溝道效應引起的閾值電壓的變化
　思考題
　本章參考文獻
第6章　集成電路器件及SPICE模型
第7章　SPICE數(shù)?；旌戏抡娉绦虻脑O計流程及方法
第8章　集成電路版圖設計與工具
第9章　模擬集成電路基本單元
第10章　數(shù)字集成電路基本單元與版圖
第11章　集成電路數(shù)字系統(tǒng)設計基礎
第12章　集成電路的測試和封裝