固體薄膜材料與制備技術(shù)

前言
第1章 薄膜的特征
　1.1 薄膜的定義
　1.2 表面效應(yīng)
　1.3 薄膜的結(jié)構(gòu)和缺陷
第2章 真空技術(shù)基礎(chǔ)
　2.1 真空的基本概念
　2.2 氣體的動力學描述
　2.3 氣體的流動與抽氣
　2.4 真空的獲得
　2.5 真空的測量
第3章 等離子體技術(shù)基礎(chǔ)
　3.1 等離子體的基本概念
　3.2 等離子體的分類
　3.3 低溫等離子體的產(chǎn)生
第4章 薄膜的物理氣相沉積
　4.1 蒸發(fā)沉積
　4.2 濺射沉積
　4.3 離子束沉積
　4.4 脈沖激光沉積
第5章 化學氣相沉積
　5.1 熱化學氣相沉積
　5.2 等離子體化學氣相沉積
　5.3 高密度等離子體化學氣相沉積
　5.4 其他化學氣相沉積
第6章 膜厚和沉積速率的測量
　6.1 光學法
　6.2 天平法
　6.3 電學方法
　6.4 表面粗糙度儀法
第7章 低介電常數(shù)薄膜材料
　7.1 低介電常數(shù)材料的研究背景
　7.2 碳基低介電常數(shù)薄膜
　7.3 硅基低介電常數(shù)薄膜
　7.4 SiCOH多孔（超）低介電常數(shù)材料的制備與性能
第8章 氧化鋅薄膜材料
　8.1 氧化鋅薄膜的特性和用途
　8.2 氧化鋅薄膜的制備和光致發(fā)光譜
第9章 鈦酸鍶鋇鐵電多層薄膜
　9.1 鐵電多層薄膜的研究意義
　9.2 BaTiO3/Ba0.6Sr0.4 TiO3多層薄膜的介電增強效應(yīng)
　9.3 界面對BaTiO3/SrTio3多層膜的介電學性質(zhì)的影響
　9.4 多層膜的鐵電性能
第10章 硅基顆粒復合發(fā)光薄膜
　10.1 硅基發(fā)光材料研究的意義及歷史
　10.2 硅基顆粒復合發(fā)光薄膜的制備
　10.3 Si-SiO2和Ge-SiO2薄膜的光致發(fā)光和電致發(fā)光特性
參考文獻