半導體物理學（上冊 第二版）

重要符號表
第1章 晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
1.1 晶格的周期性
1.2 常見半導體的晶格結(jié)構(gòu)
1.3 結(jié)合性質(zhì)
1.4 晶格缺陷
1.5 半導體表面的再構(gòu)
第1章參考文獻
第2章 半導體中的電子狀態(tài)
2.1 晶體中的能帶
2.2 晶體中電子的運動 有效質(zhì)量和有效質(zhì)量近似
2.3 導電電子和空穴
2.4 常見半導體的能帶結(jié)構(gòu)
2.5 雜質(zhì)和缺陷能級
2.6 局域態(tài)的晶格弛豫
2.7 重摻雜半導體
2.8 表面態(tài)
　第2章參考文獻
第3章 電子和空穴的統(tǒng)計平衡分布
3.1 費米分布函數(shù)
3.2 栽流子濃度對費米能的依賴關(guān)系
3.3 本征載流子濃度
3.4 含單一能級雜質(zhì)情形的統(tǒng)計
3.5 補償及多重能級情形的統(tǒng)計
3.6 簡并情形的統(tǒng)計
3.7 化學勢和費米能
3.8 寬禁帶半導體的摻雜問題和自補償
　附錄3.1 若干半導體的等效態(tài)密度(300K)
　第3章參考文獻
第4章 電荷輸運現(xiàn)象
4.1 電導和霍爾效應的分析
4.2 載流子的散射
4.3 電導統(tǒng)計理論
4.4 霍爾效應的統(tǒng)計理論
4.5 磁阻
4.6 強電場下的載流子輸運
4.7 漂移速度過沖和近彈道輸運
　　附錄4.1 微擾勢引起的狀態(tài)之間的躍遷
　　附錄4.2 玻爾茲曼積分一微分方程和弛豫時間的存在性
　　附錄4.3 電阻率和雜質(zhì)濃度的對應關(guān)系
　第4章參考文獻
第5章 過剩載流子
5.1 過剩栽流子及其產(chǎn)生和復合
5.2 過剩載流子的擴散
5.3 過剩載流子的漂移和擴散
5.4 雙極擴散和雙極漂移
5.5 丹倍效應和光磁效應
5.6 表面復合對壽命的影響
5.7 復合機制和直接復合
5.8 間接復合
5.9 陷阱效應
5.10 空間電荷的弛豫
　第5章參考文獻
第6章 接觸現(xiàn)象
6.1 同質(zhì)和異質(zhì)pn結(jié)勢壘
6.2 金屬-半導體接觸：肖特基勢壘
6.3 pn結(jié)電流：注入電流 勢壘區(qū)產(chǎn)生復合電流
6.4 肖特基勢壘電流 尖峰發(fā)射
6.5 勢壘電容和擴散電容
6.6 隧道穿透勢壘——隧道電流
6.7 光生伏特效應
6.8 雪崩擊穿和齊納擊穿
　第6章 參考文獻
第7章 半導體表面層和MIS結(jié)構(gòu)
7.1 半導體表面電荷層
7.2 MIS電容
7.3 界面態(tài)及其電容效應
7.4 場效應和表面電導
7.5 表面復合
　附錄7.1 半導體表面電荷層電荷、表面電場和電容作為ys函數(shù)的一般表示式
　第7章參考文獻
第8章 微結(jié)構(gòu)和超晶格
8.1 半導體中的尺寸量子化和低維電子氣
8.2 微結(jié)構(gòu)和超晶格的生長和形成
8.3 二維電子氣的電荷輸運
8.4 微結(jié)構(gòu)中垂直于界面的輸運 共振隧穿
8.5 一維系統(tǒng)的輸運介觀輸運
8.6 有關(guān)量子點的輸運現(xiàn)象
8.7 半導體超晶格
8.8 超晶格的輸運
8.9 Rashba效應和自旋晶體管
8.10 碳納米管
8.11 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的帶階
8.12 晶格失配的異質(zhì)結(jié)構(gòu)
　第8章參考文獻
第9章 半導體的光吸收和光反射
9.1 光的吸收和基本吸收邊
9.2 基本吸收與能帶結(jié)構(gòu)
9.3 激子和激子吸收
9.4 雜質(zhì)吸收
9.5 自由載流子吸收
9.6 晶格吸收和反射
　第9章參考文獻
第10章 半導體中的發(fā)光現(xiàn)象
10.1 自發(fā)發(fā)射和受激發(fā)射
10.2 發(fā)光光譜
10.3 微結(jié)構(gòu)和超晶格的光譜現(xiàn)象
10.4 發(fā)光二極管及相關(guān)問題
10.5 半導體激光器
10.6 單光子發(fā)射和量子點一微腔系統(tǒng)
　第10章參考文獻
索引
重要的物理常量